【SEMICON】盛新材料(6930)SiC 迎爆發期!6 吋產品明年放量 長晶爐擴至百座搶攻 AI、衛星商機

發佈時間:2026/09/02 · 編輯整理

第三代半導體材料廠盛新材料(6930)亮相 SEMICON Taiwan,展現碳化矽(SiC)材料布局成果。公司表示,目前 4 吋 N 型及半絕緣 SiC 產品已進入量產,6 吋產品也完成客戶驗證,預計 2027 年開始放量;因應下游訂單需求快速升溫,目前約 65 座長晶爐將擴充至 100 座,提前為明年量產做準備。法人預期,盛新材料 2026 年營運相較 2025 年已呈倍數成長,2027 年仍有機會維持倍數成長。

6 吋 SiC 完成驗證 明年放量成主要成長引擎

盛新材料成立於 2020 年,為廣運集團旗下第三代半導體材料公司,主要布局 SiC 晶錠與基板,從晶種、原料、長晶製程、晶態穩定、缺陷修補到電性控制皆自行開發,並與廣運共同研發 SiC 長晶爐,掌握關鍵製程技術。

公司表示,目前主要營運動能仍來自 N 型 SiC 功率半導體。隨著車用市場需求逐步回溫,加上 AI 資料中心對高效率電源系統的需求持續增加,下游客戶近期重新積極擴充 SiC 相關產能。

產品布局方面,4 吋 N 型與半絕緣 SiC 已量產,6 吋 N 型及半絕緣產品則完成客戶驗證,預計 2027 年開始放量。尤其美系客戶對 6 吋產品需求逐步提高,產品尺寸升級可望成為明年營運成長的重要推力。

衛星通訊需求升溫 半絕緣 SiC 切入美系供應鏈

除了車用功率半導體,衛星通訊也成為盛新材料近期快速成長的新應用。公司指出,自 2025 年底開始觀察到衛星通訊需求升溫,2026 年上半年需求進一步放大,目前已切入美系客戶供應鏈,主要供應 4 吋及 6 吋半絕緣 SiC 晶圓,應用於高頻通訊領域。

由於半絕緣 SiC 具備高熱導率及高頻特性,可應用於 GaN RF 元件基板,在衛星通訊及高頻功率放大器需求持續增加下,市場前景受到看好。公司也觀察到美系客戶正逐步由 4 吋轉向 6 吋,預期將成為 2027 年主要新增動能。

長晶爐擴至 100 座 產能提前備戰 2027 年

面對訂單成長,盛新材料也積極擴充產能,目前約 65 座長晶爐將提高至 100 座,增幅超過五成。公司表示,現階段台灣產能已接近滿載,新增設備主要是因應 SiC 基板需求快速增加,並為 6 吋產品放量提前布局。

值得注意的是,公司此次於 SEMICON Taiwan 也展出 12 吋 SiC 晶體開發成果及 P 型 SiC 基板,顯示產品持續朝大尺寸及高電壓應用延伸。P 型 SiC 則瞄準智慧電網、軌道交通等 6.5kV 至 10kV 以上超高壓功率元件市場。

AI 散熱、光通訊再添想像空間 2027 年看倍數成長

除了 SiC 功率半導體及衛星通訊外,盛新材料也積極布局 AI 資料中心與光通訊散熱材料,正與客戶進行 SiC 載板認證,希望利用 SiC 較高的熱傳導能力,切入高功率光模組、雷射元件及 AI 晶片平台。

長期則規劃布局 InP(磷化銦)材料,瞄準矽光子與高速光通訊市場。法人預期,盛新材料 2026 年營運相較 2025 年已呈倍數成長,2027 年隨 6 吋 SiC 放量、衛星通訊需求增加,以及 AI 與光通訊新應用逐步貢獻,營運仍有機會維持倍數成長。

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