乾式蝕刻主設備是蝕刻概念的核心，直接承接晶圓廠 WFE 訂單。科林研發在 高深寬比 HAR 蝕刻、3D NAND、HBM TSV 與 GAA 結構最具純度，受惠程度為 Critical；應材與東京威力科創產品線較廣，蝕刻、沉積、清洗與整合製程同步受惠；北方華創則受中國先進記憶體與國產替代訂單拉動。關鍵觀察是 NAND 轉換支出、DRAM/HBM CapEx、毛利率與中國出口管制。
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美股 LRCX科林研發受惠最高
- 1. 科林研發在高深寬比 HAR 蝕刻具領先地位，3D NAND 由 128 層升向 200 層以上會增加深孔與介電層蝕刻步驟，直接提高每片晶圓的設備含量與 SAM。
- 2. AI 推動 HBM、GAA 與先進封裝升級，科林研發的 TSV 蝕刻、選擇性蝕刻及沉積設備可切入 2 奈米以下邏輯與堆疊記憶體；公司預估 2026 年先進封裝營收年增逾 70%。
- 3. NAND 超過 200 層的製程轉換支出約 400 億美元，管理層預期多數提前於 2027 年底前完成；2026 年 6 月季度 NAND 營收季增逾一倍，顯示升級需求已轉為實際出貨。
- 4. 2026 年 6 月季度營收 67.2 億美元、毛利率 52%，CSBG 服務收入近 25 億美元且年增 43%，可提高獲利韌性；但中國營收占比仍約 26%，出口管制是設備訂單與估值的重要風險。
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美股 AMAT應用材料受惠高
- 1. 應材產品涵蓋乾式蝕刻、沉積、CMP、離子植入與先進封裝；2 奈米 GAA、背面供電及 3D 結構增加材料移除步驟，能從同一座晶圓廠多製程承接 WFE 訂單。
- 2. FY2026 Q3 半導體系統營收 70.4 億美元、年增 26.5%，其中 DRAM 營收年增 52%；AI 帶動 HBM 與先進 DRAM 擴產，直接推升蝕刻及相關設備出貨。
- 3. 先進邏輯、DRAM 與先進封裝預計合計占 2026 至 2027 年 WFE 增量約 80%，應材並預期 2026 年先進封裝營收成長逾 70%，可透過 TSV、混合鍵合與堆疊製程擴大蝕刻商機。
- 4. 應材 Q3 中國營收占比降至 28%，但美國出口管制仍可能限制高階機台銷售；因此蝕刻受惠主軸需觀察非中國先進產能增長能否抵銷中國需求減弱。
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日股 8035東京威力科創受惠高
- 1. 東京威力科創乾式蝕刻市占約 23%，且在 DRAM 電容、互連與 GAA 閘極蝕刻具客戶 POR；HBM 與先進邏輯擴產可直接轉化為設備訂單。
- 2. FY2027 財年蝕刻營收估年增近 30%，先進封裝營收估增逾 60%；HBM TSV、3D NAND 與 3D IC 製程複雜化，同步提高蝕刻設備內容量。
- 3. FY2026 新機銷售中 DRAM 占 31%、非記憶體占 59%，產品同時覆蓋邏輯、記憶體與封裝；AI 帶動 WFE 2026 年約 1,500 億美元，TEL 可分享多元資本支出。
- 4. 全球累計裝機逾 9.6 萬台，Field Solutions 營收年增 16.3%，設備出貨後可持續帶來零件、維修與改機收入；但中國營收占比仍約 27%，出口管制是估值風險。
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陸股 002371北方華創受惠中
- 1. 北方華創已建立 ICP、CCP、高選擇比與離子束蝕刻產品矩陣；新一代 12 吋 ICP 蝕刻深寬比達數百比一並完成客戶驗證，進入量產導入，可承接先進邏輯與高階記憶體製程需求。
- 2. 2025 年公司蝕刻設備與薄膜沉積設備收入均超過人民幣 100 億元，積體電路設備收入年增超過 50%；產品已適配 3D NAND、HBM，記憶體擴產與製程升級將提高其設備訂單。
- 3. 公司同時布局清洗、熱處理、離子注入與鍵合，形成前道多工序平台；在美國出口管制及中國國產替代推進下，晶圓廠更有動機導入本土設備，平台化有助提高單一客戶採購份額。
- 4. 2026 年第二季毛利率受新品驗證成本與客戶讓利壓力，半年末存貨達人民幣 305.06 億元、合同負債 53.20 億元；若後續批量導入順利，規模效應可改善獲利，否則競爭與庫存風險將限制蝕刻題材轉化。
