半導體前段設備概念股

此類公司直接銷售晶圓廠最核心機台，是前段設備概念中 受惠純度最高 的族群。ASML 獨家供應 EUV 並切入 High-NA EUV；應用材料橫跨沉積、CMP、離子植入與材料工程；Lam 強在蝕刻、清洗與 HBM TSV；KLA 掌握製程控制與量測檢測；TEL 在塗佈顯影具近壟斷地位。2 奈米 GAA、晶背供電與 HBM 擴產會提高 蝕刻、ALD、量測檢測密度，benefit_level 多為 Critical 或 High。重點觀察 EUV 出貨、訂單能見度、記憶體設備復甦與中國出口管制。
  • 美股 ASML
    艾司摩爾
    受惠最高
    1. 1. ASML 獨家供應 EUV，並握有 High-NA EUV 壟斷權，2 奈米 GAA、A14 量產都離不開它，先進節點每往前推一步都直接拉高接單。
    2. 2. 台積電 2026 年資本支出上修至 600～640 億美元，約 7 成以上投入先進製程與先進封裝，EUV 與 DUV 出貨、裝機及服務收入同步放大。
    3. 3. 2026 年 Q2 營收 93.26 億歐元、年增 21%，全年財測上修至 430～450 億歐元；AI 需求強勁使訂單能見度延伸到 2027 年。
    4. 4. 2027 年 Low-NA EUV 與 DUV 產能都規劃再增 30%，反映客戶對 2 奈米、A14 與記憶體微縮需求升溫，出貨成長具中期延續性。
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  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠最高
    1. 1. AMAT 在沉積、蝕刻、CMP、離子植入到量測檢測都有完整產品線，2 奈米 GAA 與晶背供電讓單片晶圓步驟增加，直接墊高設備單價與用量。
    2. 2. 2026 財年半導體設備業務成長指引已上修至 30% 以上，先進邏輯、DRAM/HBM 與先進封裝是最快成長區，AI 擴產把 WFE 需求直接轉成訂單。
    3. 3. Q2 FY2026 營收 79.1 億美元、年增 11%，non-GAAP 毛利率升至 50% 以上創 25 年高點；DRAM 營收年增 18%，反映記憶體擴產已實際放量。
    4. 4. 與台積電、SK 海力士、美光在 EPIC Center 深化合作，並併購 NEXX 強化面板級封裝，設計導入後切換成本高，後續備件與服務收入也更穩。
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  • 美股 LRCX
    科林研發
    受惠最高
    1. 1. 主攻乾式蝕刻、沉積與清洗，直接吃到 2 奈米 GAA、晶背供電與 HBM TSV 深孔蝕刻需求；WFE 市場上修到約 1,400 億美元，訂單能見度延伸至 2027。
    2. 2. HBM、3D NAND 與 3D DRAM 持續堆疊，單片晶圓蝕刻強度與高深寬比製程步驟明顯增加，Lam 在記憶體設備市占高，AI 記憶體擴產最直接受惠。
    3. 3. 2026Q3 營收 58.4 億美元、年增 24%，CSBG 單季首破 20 億美元，顯示裝機基數擴大後備件與維修高毛利收入同步放大，現金流更強。
    4. 4. 科林研發投資逾 30 億美元擴大全球 R&D 實驗室網絡，實驗容量提升逾 50%，可加速新製程導入客戶產線，強化先進邏輯與記憶體的搶單速度。
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  • 美股 KLAC
    科磊
    受惠最高
    1. 1. KLA 掌握製程控制與量測檢測約 58% 市占，2 奈米 GAA、A16 與晶背供電讓缺陷更難抽樣取代，單片晶圓檢測次數與設備含量同步提升。
    2. 2. 先進封裝製程控管營收 2026 年估由 2025 年約 6.35 億美元跳升至約 10 億美元，直接受惠 CoWoS、SoIC 與 HBM 堆疊擴產。
    3. 3. 台積電 2026 年資本支出上修至 520～560 億美元，其中 70%～80% 投向先進製程與封裝，KLA 受惠於量測、缺陷檢測與製程控制機台出貨加速。
    4. 4. 服務營收年增 16%，且過去 12 個月自由現金流達 40 億美元；裝機基數超過 5.7 萬台，讓備件、升級與維護收入具高毛利長尾。
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  • 日股 8035
    東京威力科創
    受惠高
    1. 1. 塗佈／顯影機台市占約 90% ，EUV 與 2 奈米 GAA 量產都離不開 TEL；台積電 2026 年資本支出上修至 520～560 億美元，直接拉動出貨與維修收入。
    2. 2. FY2026 營收 2.44 兆日圓、純益 5,744 億日圓雙創新高，FY2027 上半年營收指引再創高；AI 帶動先進邏輯與 HBM 訂單延續到 2027 年。
    3. 3. FY2027 塗佈顯影營收估年增逾 50% ，先進封裝逾 60% ，DRAM 佔新機銷售 31% ；HBM、3D NAND 擴產同步推升蝕刻、沉積與清洗需求。
    4. 4. 累計裝機約 9.6 萬台，現場解決方案營收年增 16.3% ，零件、維護與改機收入占比提高；不只吃新機訂單，也能靠高稼動率放大高毛利現金流。
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  • NL ASM
    ASM International
    受惠高
    1. 1. 以單片 ALD 見長，市占逾 55%，2 奈米 GAA 與 1.4 奈米導入都更依賴原子級沉積，台積電與三星擴產會直接放大設備需求。
    2. 2. Q2 2026 營收年增 15%，上半年邏輯／晶圓代工占設備銷售 77%，其中高階邏輯動能最強，顯示 AI 先進製程訂單已實際轉成出貨。
    3. 3. HBM DRAM 需求回升帶動記憶體業務成長，1.4 奈米與 DRAM 4F² 轉換將新增 ALD、Epi 層數，單機價值量與耗材收入同步提升。
    4. 4. Spare & Services 年增 34%，且 2027 年營收有望超越原先目標區間，裝機基數擴大後的高毛利維保與備件收入，提升長線獲利韌性。
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  • 美股 ONTO
    Onto Innovation Inc.
    受惠中
    1. 1. ONTO 主力是製程控制、量測檢測與先進封裝微影，Dragonfly G5、Atlas G6 已切入 CoWoS、HBM 與 2 奈米 GAA，AI 擴產直接拉動訂單。
    2. 2. 2025 年營收約 10.05 億美元，管理層看 2026 年營收成長逾 30%，先進封裝營收估增超過 50%，顯示 AI 與 HBM 正轉成實際放量。
    3. 3. Dragonfly 2D / 3D 檢測在 HBM 與 2.5D 邏輯客戶完成驗證，能抓 micro-bump、RDL、翹曲與裂紋，卡位封裝良率瓶頸，替換成本高。
    4. 4. 與 TSMC 合作拿下生產支援獎，且 2027 年需求看增，反映其軟硬整合與工藝資料黏著度高，裝機後還能持續吃服務與軟體收入。
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台灣設備廠較少切入 EUV、主蝕刻或主沉積機台，但在 濕製程、清洗、濕蝕刻、AOI、自動化與先進封裝相關設備 的在地化商機逐步放大。弘塑與辛耘受惠台積電 CoWoS、SoIC、WMCM 與 2 奈米相關清洗、去光阻、濕蝕刻需求，受惠較直接；均豪、均華、萬潤則受益於檢測、自動化、點膠、CMP 與背面供電新增站點。benefit_level 取決於台積電驗證深度、設備營收占比與接單能見度；風險是股價位階、交期遞延與外商主設備競爭。
  • 台股 3131
    弘塑
    受惠高
    1. 1. 弘塑主力是濕製程設備，直接切入 CoWoS、SoIC、WMCM 與 CoPoS 的清洗、濕蝕刻與去光阻站點，台積電先進封裝擴產越快，出貨動能越強。
    2. 2. 2025 年設備營收占比已升至 65%，先進封裝與 3D IC 成為主成長引擎；香山二期已投產，後續自製率拉升有助外包比重下降、毛利回升。
    3. 3. 在台灣 12 吋晶圓級封裝酸槽與單晶片旋轉機台市佔約 60%～80%，導入後替換成本高，訂單能見度已延伸至 2027 年，具長單與高黏著優勢。
    4. 4. 台積電 2026 年資本支出上看 520 億至 560 億美元，約 60%～80% 投入先進製程與封裝；弘塑已切入 3D IC、HBM 與面板級封裝，受惠直接且純度高。
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  • 台股 3583
    辛耘
    受惠高
    1. 1. 辛耘主力濕製程設備直接切入 CoWoS、SoIC、CoPoS 的清洗、TBDB 與前處理站點，台積電先進封裝擴產越快，接單與出貨動能越強。
    2. 2. 設備代理涵蓋微影、蝕刻、薄膜沉積等前段關鍵機台，搭配自製濕製程與再生晶圓三引擎，營運同時吃到設備拉貨與耗材重複消耗。
    3. 3. 再生晶圓月產能已由 16 萬片升至 21 萬片且滿載，2026 年下半年規劃再增約 4 萬片，2 / 3 奈米投片放量可直接推升重複性需求。
    4. 4. 湖口二廠預計 2026 下半年完工、台南新廠 2027 下半年完工，訂單能見度已延伸到 2027 年，產能擴充有助把先進封裝需求轉成營收。
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  • 台股 5443
    均豪
    受惠中
    1. 1. 半導體營收占比已升至 79%～87%，主攻 AOI 檢測、晶圓分類與先進封裝自動化，直接對應 CoWoS、SoIC、TGV 與 FOPLP 擴產的良率把關需求。
    2. 2. 2026 Q1 毛利率升至 38.34%，2026 Q2 獲利季增 4.58 倍，顯示高毛利半導體設備比重拉高，AI 與先進封裝訂單已開始反映在 EPS 與毛利結構。
    3. 3. G2C 聯盟切入台積電 CoWoS、SoIC 與前段 Fab 驗證，2026 年預計再打入 3 家前段廠，訂單能見度拉長，後續還有前段與封裝自動化滲透空間。
    4. 4. 均豪股價位階貼近成本區，報告中現價約 95 元、Q1 主力成本約 98 元，若先進封裝 AOI 與檢測訂單持續轉營收，具補漲與安全邊際雙優勢。
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  • 台股 6640
    均華
    受惠中
    1. 1. 均華以 Die Sorter、Die Bonder 為核心，直接卡位 CoWoS、SoIC、WMCM 先進封裝產線；AI 晶片尺寸與堆疊顆數增加，單機需求與 ASP 同步墊高。
    2. 2. 先進封裝營收占比已逾 85%，Sorter 市占高於 95%，Die Bonder 又是高毛利新成長引擎；產品組合持續升級，毛利率與 EPS 彈性明顯優於一般設備股。
    3. 3. 客戶涵蓋全球前 10 大 OSAT 與台積電供應鏈，訂單能見度已看到 2027 年第二季；台積電 AP7、AP8 與海外封裝擴產持續，營收認列動能具延續性。
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  • 台股 6187
    萬潤
    受惠中
    1. 1. 萬潤 8～9 成營收來自半導體封測設備，主力涵蓋 CoWoS 點膠、植球、AOI 與自動化搬運，AI 晶片封裝越複雜，單機需求與 ASP 也同步墊高。
    2. 2. 台積電 2026 年資本支出上修至 520～560 億美元，且先進封裝仍是瓶頸；萬潤已切入 CoWoS、SoIC、CoPoS 與 CPO，訂單能見度延伸到 2027 年。
    3. 3. 2026 年 6 月營收 10.12 億元創單月新高，Q2 營收 23.55 億元季增 66.82%、年增逾 50%，反映 AI 封裝設備交機加速，營運進入放量認列期。
    4. 4. 公司已擴大美國、日本子公司投資，對應台積電亞利桑那與熊本先進封裝布局；在地服務能力提升，有利接下海外長單與新廠導入。
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這一層不一定出售整台前段機台，而是供應 EUV 光罩盒、晶圓載具、CMP 鑽石碟、設備腔體模組、精密零組件、材料通路與系統整合。家登受惠 EUV 機台與先進製程光罩盒需求，中砂吃到 CMP 道數增加與再生晶圓消耗，京鼎、翔名則跟隨國際設備大廠拉貨，帆宣兼具設備模組與系統整合角色。benefit_level 看國際設備商訂單、耗材更換頻率、客戶集中度與新廠產能開出；相較主設備商，受惠傳導較間接，但營收彈性可能很高。
  • 台股 3680
    家登
    受惠高
    1. 1. 家登是全球 EUV 光罩盒（EUV Pod）主要供應商，直接卡位 ASML 與台積電 2 奈米、A16 擴產；先進製程越往前推，光罩防污染與載具需求越剛性。
    2. 2. 高潔淨 FOUP 與晶圓載具屬耗材型產品，隨 EUV 機台數與先進封裝投片量增加而重複回購，2026 年前 5 月營收年增 19.31%，成長已反映在接單。
    3. 3. High-NA EUV Pod 已通過認證，搭配台積電海外新廠與新世代微縮導入，家登可同步吃到新機安裝與替換需求，訂單能見度延伸到 2027～2028 年。
    4. 4. 先進封裝方形載具已進入送樣驗證，若 CoWoS、CoPoS 與 FOPLP 放量，家登可從前段 EUV 載具延伸到封裝載具，打開第二成長曲線。
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  • 台股 1560
    中砂
    受惠高
    1. 1. 中砂鑽石碟直接卡位台積電 CMP 關鍵耗材，3 奈米市佔約 70%，2 奈米與 A16、BSPDN 讓 CMP 道數增加，單片晶圓耗材用量同步放大。
    2. 2. 1Q26 半導體營收占比約 77%～78%，合併營收 22.9 億元年增 29.4%，最大客戶先進製程產品占比已達 58%，2 奈米拉貨明顯反映在營運。
    3. 3. 再生晶圓 12 吋月產能已由 33 萬片升至 40 萬片，第二季再生晶圓與鑽石碟出貨齊增，先進製程投片越高，耗材回購與稼動率越強。
    4. 4. 2 奈米鑽石碟市占約 80%，1.4 奈米也已開始出貨，先進節點認證門檻高、替換成本高，讓中砂在先進製程耗材鏈的黏著度與定價力都提升。
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  • 台股 3413
    京鼎
    受惠高
    1. 1. 京鼎 8 成以上營收來自美系設備大廠，主做 CVD、PVD、Etch 關鍵腔體與模組，台積電 2 奈米、HBM 與先進封裝擴產可直接帶動拉貨。
    2. 2. 2025 年營收 208.42 億元、年增 26.7% 創高，成長幅度約為 WFE 市場 2.2 倍；訂單能見度已延伸至 9～12 個月，部分品項可看到 2027 年底。
    3. 3. 泰國羅勇廠已量產、春武里廠 2026 年上半年試產，配合台灣與美國據點在地化供應，可縮短交期並承接設備商去中化轉單。
    4. 4. 應材 2026 年半導體設備營收成長預期上修至逾 30%，京鼎身為其關鍵模組供應商，會同步吃到前段設備擴產與後續備品維修收入。
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  • 台股 6196
    帆宣
    受惠高
    1. 1. 帆宣半導體營收占比約 80%，承接台積電 2 奈米、CoWoS 與海外新廠的廠務工程、自動化供應系統與設備代理，設備與建廠需求放大時最先反映。
    2. 2. 為 ASML EUV 次系統模組與美系設備大廠關鍵協力商，也切入 CVD／PVD 腔體、鍵合模組，台積電與國際設備商擴產越快，模組拉貨與認列就越強。
    3. 3. 截至 2026/3 在手訂單約 1,081 億元，營收能見度已延伸到 2027～2028 年；6 月營收 75.96 億元創高，顯示 AI 與先進製程建廠潮已實際轉成業績。
    4. 4. CoWoS、CoPoS、FOPLP 與美國亞利桑那廠同步擴建，帶動無塵室、水氣化、機電整合與微污染防治需求，廠務加設備代工雙引擎放大成長彈性。
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  • 台股 5434
    崇越
    受惠中
    1. 1. 半導體材料營收占比達 86.7%，代理信越化學的光阻、矽晶圓、石英與光罩基板，直接吃到台積電 3 奈米往 2 奈米升級後的材料放量。
    2. 2. EUV 光罩基板月需求已由約 50 片倍增到近 100 片，崇越切入先進製程材料鏈，先進節點越往前推，光阻與高純度耗材用量越大。
    3. 3. 高階石英布已打入多家 CCL 大廠供應鏈且出貨滿載，信越擴產後月供應量目標由 7.5 萬米拉升至 24 萬米，形成 AI 伺服器第二成長曲線。
    4. 4. 台積電在地採購間接原物料比重已達 65%、2030 年目標 68%，崇越兼具材料整合與深度代理優勢，驗證通過後客戶黏著度高、長約化明顯。
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  • 台股 8091
    翔名
    受惠中
    1. 1. 翔名 74% 營收來自半導體、82% 來自材料類，主做離子植入與前段設備零組件，蝕刻、薄膜、擴散設備的維修與汰換需求可直接帶動出貨。
    2. 2. 3 奈米以下特化管路已獨家供應單一客戶並量產，隨台積電 2 奈米 GAA 放量，耗材單價與更換頻率同步提高，先進製程營收 2026 年續增。
    3. 3. 日本熊本廠 2026 Q1 進機、嘉義馬稠後廠 2027 Q1 進機，就近服務台積電 JASM 與日系設備客戶，卡位供應鏈區域化與在地化採購趨勢。
    4. 4. 蝕刻腔體零件、鍍膜與特化管路屬高認證門檻耗材，設備稼動率越高換件越頻繁；晶圓廠擴產與裝機越多，翔名就同時吃到新機與後續回購。
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前段設備進廠前，晶圓廠必須先完成 無塵室、機電、純水、特殊氣體、化學品供應與微污染控制，因此廠務工程通常是資本支出循環的領先受惠端。台積電台灣 2 奈米廠、美國亞利桑那、日本熊本與先進封裝基地擴建，都會帶動漢唐、亞翔、聖暉、朋億、信紘科等訂單。此類公司 benefit_level 通常低於核心設備商，但在手訂單與認列期較長，能見度佳；需留意海外施工成本、毛利率控管、案場進度與台積電資本支出是否延續高檔。
  • 台股 2404
    漢唐
    受惠高
    1. 1. 漢唐主攻無塵室、機電、純水與特殊管路統包，直接吃到台積電 2 奈米、CoWoS 與海外新廠建置，屬資本支出最早認列環節。
    2. 2. 截至 2026 年 5 月底在手訂單達 1,939 億元創高，認列期約 2～2.5 年，營收能見度一路看到 2029 年，接單明確且延續性強。
    3. 3. 美國營收占比已升至 56%，亞利桑那 P2 進度逾五成、P3 可接續，海外大案放大單案金額與認列動能，2026 年起成長更具爆發性。
    4. 4. 2 奈米與先進封裝對微污染、震動與氣體純度要求更嚴，漢唐具高階晶圓廠整合經驗與台積電深度綁定，客戶轉換成本高、護城河穩。
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  • 台股 6139
    亞翔
    受惠中
    1. 1. 台積電 2 奈米、CoWoS 與海外新廠擴建，亞翔主攻無塵室、機電、主幹管路與純水系統，屬建廠初期最先認列的高單價工程，訂單能見度長。
    2. 2. 2025 年在手訂單約 2,085 億元，半導體工程占比逼近 9 成；新加坡美光新廠 EPC 金額約 200 億新幣，台灣、美國、東協專案同步推進。
    3. 3. 台積電 2026 年資本支出維持 520～560 億美元高檔，台灣、美國、日本、德國同步擴廠；亞翔已切入 AP8、CoWoS / SoIC 與美光新加坡案。
    4. 4. 2 奈米與先進封裝對微污染、震動、氣體純度與溫控要求更嚴，亞翔具高規晶圓廠整合經驗，工程門檻高、客戶轉換成本高，毛利與黏著度較佳。
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  • 台股 5536
    聖暉*
    受惠中
    1. 1. 主攻無塵室與機電整合，直接承接台積電 2 奈米、CoWoS 與海外新廠建置；廠務工程通常先於設備認列，最早反映資本支出放大。
    2. 2. 2026 年 5 月底在手訂單達 1,939 億元創高，認列期約 2～2.5 年，台灣、美國、日本新案持續進場，營收能見度已延伸到 2029 年。
    3. 3. 2026 年上半年營收 249.8 億元、年增 28.36%，第二季營收 133.8 億元創新高；半導體、封裝封測與 AI 客戶專案同步放量。
    4. 4. 美國業務比重已升至 56%，德州與鳳凰城專案預計 2026 下半年至 2027 年陸續認列，海外擴廠帶動單案金額與毛利率結構持續改善。
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    彙整國內外數十份產業報告，濃縮 5~7 點受惠關鍵

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  • 台股 6613
    朋億*
    受惠中
    1. 1. 朋億主攻半導體特用化學品供應系統、分裝與自動化控制，直接對應先進製程與先進封裝的高潔淨輸送需求，單案金額與毛利結構同步提升。
    2. 2. 2026 年 5 月營收 10.83 億元、年增 81.72%，前 5 月營收 41.36 億元、年增 25.75%，在手訂單維持百億水準，顯示擴廠認列動能已明顯加速。
    3. 3. 台積電 2026 年資本支出維持 520 億至 560 億美元高檔，台灣、美國、日本與德國同步擴廠，廠務與化學系統通常先於設備認列，朋億可先卡位訂單。
    4. 4. 切入 CoWoS、CoPoS、FOPLP 等先進封裝後，化學品品項、系統複雜度與潔淨度要求拉高，帶動單案內容量增加，並受惠供應鏈在地化趨勢。
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  • 台股 6667
    信紘科
    受惠中
    1. 1. 主力做半導體廠務供應系統、機能水與化學廢液回收，直接卡位台積電 2 奈米與先進封裝擴廠，屬建廠初期最先認列的高單價工程。
    2. 2. 已由分包商升級為 EPC／總承攬商，大型訂單比重升到約 40%，2025 年營收年增 75.17%，接單深度與獲利結構同步改善。
    3. 3. 2026 年 5 月營收 5.4 億元年增 12.8%，前 5 月營收年增 10.3%，在手訂單高檔且能見度已延伸至 2027 年，認列動能延續。
    4. 4. 日本熊本與美國廠區都有在地團隊，跟隨台積電海外建廠放量，能縮短施工與裝機時程，受惠台、美、日三地擴產潮。
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這些公司不是前段設備供應商，而是 WFE 需求的源頭。台積電 N3/N2、A16、High-NA EUV 與 CoWoS 擴產，決定全球設備鏈最重要的訂單節奏；英特爾 18A/14A、三星 2 奈米與 HBM、SK 海力士與美光 DRAM/HBM 擴產，也會拉動 EUV、蝕刻、沉積與量測設備。benefit_level 對設備概念而言屬擴散受惠：它們透過資本支出推動供應鏈，但自身還要承擔良率、產能利用率與投資回收壓力。觀察重點是 CapEx 指引、良率里程碑與 HBM 長約需求。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠最高
    1. 1. 2026 年資本支出上修至 600～640 億美元，約 7 成以上投入 2 奈米、3 奈米與先進封裝，直接拉動 EUV、蝕刻、沉積與量測設備需求。
    2. 2. N2 已量產並進入放量期，A16 與 High-NA EUV 也提前布局；製程複雜度升高，使每片晶圓需要更多機台與更嚴格良率控管。
    3. 3. CoWoS 月產能持續擴張，AI GPU / ASIC 與 HBM 供需缺口仍在，封裝與晶圓廠同步擴產，形成前段設備最重要的需求驗證。
    4. 4. HPC 營收占比已達 66%，3 奈米與 2 奈米訂單能見度高，台積電握有全球先進製程定價權，設備採購具長約與持續加碼基礎。
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  • 美股 INTC
    英特爾
    受惠高
    1. 1. 18A 與 14A 推進帶動前段設備採購，Q1 2026 工具支出年增約 25%，High-NA EUV 已驗收進入 HVM，直接拉高 EUV、蝕刻與量測需求。
    2. 2. Intel 2026 年持續把資本支出轉向補產能與先進節點，亞利桑那、奧勒岡與愛爾蘭新廠同步建置，設備交期與驗收節奏可望延續到 2027 年。
    3. 3. 18A 良率優於內部預期、14A PDK 已開放客戶評估，量產時程往 2026 下半年到 2027 前移，代表先進製程擴產更確定，WFE 訂單能見度提升。
    4. 4. AI 伺服器由 GPU 走向 CPU + XPU 協同，Xeon 6 與 DCAI 需求回升，維持 18A / Intel 3 產線稼動率，讓前段設備與先進封裝投資不易中斷。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠高
    1. 1. 三星晶圓代工持續推進 2 奈米 SF2 / SF2P 與 Taylor 廠量產，2026 年半導體總投資逾 110 兆韓圜，直接拉動 EUV、蝕刻、沉積與量測設備採購。
    2. 2. HBM4、1c DRAM 與 P4 / P5 擴產同步展開，TSV 深孔蝕刻、ALD、PVD 與缺陷檢測需求明顯升溫，記憶體與邏輯雙線擴產放大 WFE 需求。
    3. 3. 三星 AI Factory 以高效能運算與 AI 客戶搶單，先進邏輯良率爬升與新廠進機會延續到 2027 年，設備驗證、改線與追加擴線需求具中長期能見度。
    4. 4. 三星是 ASML 重要客戶之一，EUV 導入節奏直接反映其先進製程投資強度；當 2 奈米報價降至約 2 萬美元 / 片搶市占時，CapEx 仍會維持高檔。
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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠中
    1. 1. HBM4、1γ DRAM 與 G9 NAND 擴產直接拉動 EUV、蝕刻、沉積與量測設備需求，2026 年資本支出上修至 250 億美元以上，設備訂單能見度延伸到 2027 年。
    2. 2. AI 伺服器帶動 HBM 與 DDR5 供給吃緊，Micron 2026 年 HBM 已全數售罄、HBM4 12H 量產出貨，擴線越快，前段設備與耗材拉貨越強。
    3. 3. 1γ DRAM 導入 EUV 與更高精度製程控制，製程複雜度明顯上升，對 ASML、Lam、應材與 KLA 的單片設備含量與驗證需求同步墊高。
    4. 4. 新增產能集中在愛達荷、台灣與新加坡廠，搭配長約與高毛利恢復後才敢持續擴投，讓美光成為記憶體設備週期回升的關鍵需求源。
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  • 韓股 000660
    SK 海力士
    受惠中
    1. 1. HBM4、1c DRAM 擴產直接拉升 EUV、蝕刻、沉積與量測設備採購，2026 年資本支出估年增約 20%，M15X 與龍仁新產能是後段設備的主要增量來源。
    2. 2. HBM 供應已成 AI 瓶頸，Vera Rubin 平台據稱拿下約 60%～70% HBM4 配額，SK 海力士擴產越快，Lam、KLA、AMAT 等前段設備訂單能見度越長。
    3. 3. 2026 年向 ASML 下單約 11.95 兆韓元、估超過 30 台 EUV，顯示記憶體廠也進入先進微影競賽，HBM 層數提升與 EUV 導入將持續墊高設備含量。
    4. 4. Q1 2026 營收 52.58 兆韓元、年增 198%，營益率 72%；強勁獲利支撐 HBM4、HBM4E 與 3D DRAM 擴產，讓設備支出不是一次性，而是可延續到 2027 年的長週期。
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近期新聞

台積電創史上最高上漲金額紀錄；確定延後導入艾司摩爾（ASML）高數值孔徑 EUV

台積電 3奈米 晶圓代工 EUV 先進製程 半導體 AI 艾司摩爾 ASML AI算力 半導體設備 資本支出 AI晶片 光罩EUV 價格議價能力 曝光機 半導體前段設備 HPC 算力 Nvidia DUV 資料中心 AMD 訂單能見度 Applied Materials 應用材料 Lam Research 東京威力科創 三星 黃仁勳 薄膜沉積 蝕刻 先進封裝 化學氣相沉積 矽光子CPO 晶圓檢測設備

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