LRCX 科林研發 美東 11/05 收盤價：185.2 元-36.23 (-16.36%)

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科林研發（LRCX）是全球半導體製造設備供應商，核心工作是提供晶圓廠在製造晶片時所需的關鍵製程設備、軟體與後續維護服務。它不設計或生產 GPU、記憶體晶片本身，而是販售讓客戶能做出這些晶片的「工具」。

主要業務可分成三類：

• 蝕刻設備（Etch）
  用電漿等技術在晶圓上精準移除材料、刻出電路結構。隨著 AI 晶片、HBM、高階 DRAM、3D NAND 與先進邏輯晶片的結構更立體、線寬更小，蝕刻的步驟與難度都提高。這是科林研發最重要的技術強項之一。

• 薄膜沉積設備（Deposition）
  在晶圓表面一層層覆上導電、絕緣或其他功能材料，形成電晶體、記憶體單元與互連結構。先進製程中的 GAA 電晶體、背面供電，以及高層數 3D NAND，都會增加這類設備的需求。

• 清洗與晶圓處理設備（Clean／Process）
  在每道製程之間去除微粒、殘留物與污染，維持良率。晶片結構越複雜、堆疊層數越多，清洗的重要性就越高。

此外，公司也有規模很大的客戶支援與零組件服務業務，包括設備保養、耗材、備品、升級與製程最佳化。這部分通常比新機台銷售更具經常性，能在半導體資本支出循環波動時提供部分營收與獲利支撐。

簡單說，科林研發的價值在於：把先進晶片日益複雜的製造需求，轉化為更多、更高單價的蝕刻、沉積與清洗設備需求。AI、HBM、先進記憶體與先進邏輯製程，正是目前最直接的成長驅動。

科林研發目前市場關注的主軸，不是單一「AI 設備」題材，而是 AI 帶動晶片製造走向更複雜的 3D 結構、先進記憶體與先進封裝，進而提升蝕刻與沉積設備的單位製程價值。可歸納為以下六項。

1. AI 帶動整體晶圓廠設備支出上修

AI 訓練、推論到後續實體 AI，持續推升先進邏輯、DRAM、HBM、NAND 與封裝的資本支出。公司已將 2026 年全球晶圓廠設備市場展望上修至約 1,500 億美元出頭，且認為供給仍落後需求；主要客戶至 2027 年底前預計將有 8～10 座大型無塵室投入使用，支持設備需求延續至 2027 年。

對科林而言，重點是先進製程越複雜，蝕刻、薄膜沉積與清洗步驟越多，公司可服務市場占整體晶圓廠設備支出的比例今年已提升至約 36% 以上，且仍有擴張空間。

2. HBM、先進 DRAM 與 3D 記憶體製程

AI 伺服器的高頻寬記憶體需求，是科林最直接的成長題材之一。HBM 需要 TSV（矽穿孔）製程來堆疊 DRAM，涉及高深寬比蝕刻與材料沉積，正是公司技術優勢所在。

此外，DRAM 邁向更先進節點時，產業逐漸導入原子層沉積等更複雜製程；公司指出，先進 DRAM 製程轉換將使其在 DRAM 介電材料沉積的可服務市場增加逾兩成。

3. 先進封裝：TSV、電鍍、2.5D／3D 與面板級封裝

這是近期市場最明確聚焦的題材。科林在先進封裝的核心能力包括：

• TSV 深孔蝕刻
• 銅電鍍填孔
• 2.5D／3D 異質整合相關製程
• 大型 AI 封裝所需設備
• 面板級封裝（Panel-Level Packaging, PLP）

公司最新說法已將 2026 年先進封裝營收成長預期提高至 年增超過 70%。驅動力不只來自 HBM，也包括高階邏輯晶片與 AI 加速器封裝尺寸增加、2.5D／3D 整合，以及封裝製程由晶圓形式逐步朝面板形式延伸。

其中，面板級封裝可視為較長線的選擇權：目前仍未大規模量產，但若未來 AI 封裝為提升面積利用率、產能與成本效率而採用面板化，科林原有 TSV 蝕刻與銅電鍍能力可直接延伸至新型態基板。公司已表示此布局主要可透過既有技術與研發推進。

4. 3D NAND 升層與 AI 儲存需求

科林在 3D NAND 的高深寬比蝕刻、堆疊薄膜沉積與金屬化製程具強勢地位。AI 資料中心除了 GPU 與 HBM，也需要大量高容量、低成本的 SSD 儲存來支援資料集、推論快取與記憶體階層，因此高層數 QLC NAND 的需求上升。

市場目前關注的是既有 NAND 產能升級至 200 層以上、256 層及更高的製程轉換。公司認為，約 400 億美元的 NAND 製程轉換投資，多數將提前集中於 2027 年底前發生；升層會增加每片晶圓的蝕刻與沉積設備需求，也使科林的設備內容價值提高。

5. 先進邏輯：GAA 與背面供電

AI ASIC、GPU 與高效能運算晶片需要持續縮小製程、改善功耗與提升密度。兩個重要架構轉折是：

• GAA（環繞式閘極）電晶體
• 背面供電（Backside Power Delivery）

兩者都會增加高選擇性蝕刻、原子層沉積與高深寬比製程的需求。公司估計，若每增加 10 萬片晶圓月產能的 GAA 製程，將增加約 10 億美元的可服務市場；背面供電也有相近的增量潛力。

6. 客戶支援服務：高稼動率下的較穩定成長來源

設備本體之外，客戶支援業務涵蓋備品、維修、升級與設備智慧化服務。近期該業務單季營收接近 25 億美元、連續創高，原因包括晶圓廠設備高稼動率提高耗材與維修需求，以及 NAND 製程轉換帶來大量既有設備升級需求。

這部分雖然不像先進封裝或 HBM 那樣具題材爆發力，但有助降低公司完全依賴新設備訂單的景氣循環波動，也支撐毛利率與現金流品質。

市場如何排序題材

整體來看，科林研發的投資敘事可濃縮為：AI 不只推升晶圓數量，更增加每顆晶片與每個封裝的製程複雜度；而蝕刻與沉積正是複雜度提升最直接受惠的環節。短期業績動能以 NAND 升層、DRAM／HBM 與先進封裝為主；中長期則看 GAA、背面供電與面板級封裝能否擴大設備市場。

科林研發後續展望維持偏強且具多年成長能見度，核心不是單一記憶體復甦，而是 AI 同時推升先進邏輯、DRAM／HBM、企業級 SSD 與先進封裝的設備強度；公司在蝕刻、沉積、TSV 與服務業務皆位於受惠位置。

近期營運：高成長仍在延續

公司 2026 年 9 月季度營收達 82.19 億美元、非 GAAP EPS 2.20 美元，均創新高；毛利率為 52.4%、營益率 40.2%。12 月季度則指引營收 86 億美元上下 4 億美元、EPS 2.33 美元上下 0.15 美元，意味高檔營運動能仍有延續。

先前 FY2026 全年營收已達 232.3 億美元、EPS 5.82 美元，相較 FY2025 的營收 184.4 億美元、EPS 4.13 美元明顯提升；這也反映景氣上行不只是一季性的拉貨。

成長動能

1. AI 使蝕刻與沉積設備「每片晶圓含量」提高

AI 不只增加晶片數量，更提高製程複雜度。GAA 電晶體、背面供電、HBM TSV、2 奈米以下邏輯與高層數 NAND，都需要更多高深寬比蝕刻、沉積、表面處理與材料工程步驟。

科林研發預期其可服務市場占整體晶圓製造設備支出的比例，將從過去低 30%區間提升至中高 30%區間；這代表即使整體設備市場成長，公司的產品組合仍有機會靠「設備含量增加＋市占提升」跑贏產業。

其中，導體蝕刻平台持續導入先進邏輯客戶，乾式光阻已切入 HBM 量產；TSV 蝕刻、沉積與電鍍能力也讓公司能從先進封裝升級中受惠。

2. 記憶體是 2027 年最重要的彈性來源

公司預期 2027 年產品需求的成長排序為：DRAM、先進邏輯／晶圓代工、NAND。DRAM 的動能來自 HBM 與先進節點轉換；NAND 則由企業級 SSD、AI 資料儲存與 200 層以上製程升級帶動。

尤其 NAND 客戶正加速從 200 層以下轉往更高層數，公司估計至 2027 年底前，相關製程轉換支出機會約 400 億美元。這種轉換型投資比單純新增產能更有利於其高深寬比蝕刻與沉積設備。

9 月季度系統設備營收中，記憶體已占 46%，顯示公司對記憶體景氣回升的參與度很高；因此若 DRAM、HBM、NAND 資本支出延續，營收彈性也會相對突出。

3. 2027 年設備景氣仍有支撐

公司目前估計 2026 年全球晶圓製造設備市場規模位於 1,500 億美元中段，2027 年初步展望則超過 2,000 億美元。管理層提到，至 2027 年底前預計有 8 至 10 座大型晶圓廠陸續投產，帶來設備移入需求。

現階段的瓶頸反而是無塵室空間與部分供應鏈零件，而非終端需求不足。這使部分設備需求可能遞延，但也提高 2027 年的出貨與營收可見度。

獲利率與服務業務：有望成為第二成長引擎

除了新機銷售，客戶支援事業是科林研發降低景氣波動的重要支柱。9 月季度服務相關營收為 24.9 億美元，公司預期 2026 年該業務營收年增逾 30%，2027 年仍可成長逾 15%。高稼動率下的備品、升級、維護需求，以及自動化維護與設備資料服務的導入，將提高收入的持續性。

長期獲利率方面，公司目標是在未來數年將毛利率推向約 55%。驅動因素包括高附加價值新產品、服務收入占比、接近客戶的製造布局、供應鏈效率與選擇性定價，而不是只依賴景氣循環。

主要風險與需驗證的變數

• 無塵室與供應鏈瓶頸：需求很強不等於當季都能出貨；客戶建廠與設備安裝遞延，可能造成季度營收波動。
• 記憶體景氣反轉：公司在 NAND、DRAM 的曝險提高，若 HBM、企業級 SSD 或一般 DRAM／NAND 報價轉弱，資本支出可能下修。
• 中國營收與出口管制：中國占比正因其他地區成長更快而下降，但出口限制、客戶採購資格與地緣政治仍可能改變產品組合及訂單節奏。
• 高估值對執行要求提高：目前頁面顯示本益比位於五年區間偏高位置，市場已反映部分 AI 與設備超級循環預期；後續需要營收、毛利率與 2027 訂單持續兌現，才能支撐溢價。

整體而言，科林研發正處於 AI 資本支出週期中最直接的受惠位置之一：短期由記憶體轉換與先進邏輯設備拉動，中期有新晶圓廠投產，長期則由製程複雜化與服務收入擴張支撐。真正需要持續驗證的是，強勁需求能否順利穿透無塵室、供應鏈與出口管制等執行限制，轉為 2027 年後的實際出貨與獲利。

科林研發的財年結算在 6 月，因此「未來兩年」應看 FY2027（2026/7～2027/6）與 FY2028（2027/7～2028/6）。目前市場預估的 non-GAAP EPS 約為：

較接近市場共識的預估為 FY2027 9.47 美元、FY2028 11.89 美元；另一份近期預估則為 9.68／12.26 美元。

成長邏輯：FY2027 是獲利跳升年

FY2027 預估 EPS 大幅成長，主要反映 AI 帶動晶圓製造設備投資、記憶體升級與先進邏輯製程的設備需求同步走強。

• 公司初估 2027 日曆年的全球晶圓廠設備市場將超過 2,000 億美元，較 2026 年約 1,550 億美元成長近三成；其中以 DRAM 成長最快，其次為先進晶圓代工／邏輯與 NAND。
• FY2027 第一季系統設備營收中，記憶體占 46%，NAND 與 DRAM 分別占 26% 與 20%；NAND 營收單季成長約四成，反映 256 層以上、甚至 384 層 NAND 的設備升級需求。
• AI 也同時增加 HBM、先進 DRAM、GAA、背面供電與先進封裝的製程複雜度；蝕刻與薄膜沉積在每片晶圓的設備含量提升，是科林研發有機會持續優於整體設備市場成長的原因。

FY2028：成長率收斂，但獲利率仍有改善空間

FY2028 EPS 預期仍有約兩成多成長，但基期提高後，增速將低於 FY2027。市場預估營收將從 FY2027 的約 351 億美元增至 FY2028 約 419 億美元，營業利益率則可由約 40%提升至 42%附近。

獲利率改善主要取決於高附加價值產品放量、客戶就近製造、定價優化與規模經濟。公司短期毛利率預期維持約 52%～53%，但中長期目標是往 55%靠攏。

以現價看前瞻評價

目前股價為 239.11 美元、近四季 EPS 為 6.75 美元，近四季本益比約 35.4 倍。

以市場 EPS 預估換算：

這表示市場已在反映設備超級週期，但若 FY2027 的 WFE 成長、記憶體資本支出與公司市占擴張如預期兌現，估值將隨 EPS 增加而下降。

需要留意的變數

短線最大的限制不是需求，而是交付能力。公司已指出部分零組件短缺讓 FY2027 第二季的部分設備出貨遞延到下一季；此外，新晶圓廠的無塵室進度、設備安裝與人力供給，也會影響設備投資由訂單轉為營收的速度。

另一項風險是記憶體設備具有循環性。雖然 HBM、DRAM 技術升級與高層數 NAND 帶來結構性需求，但若 NAND 或 DRAM 報價、資本支出轉弱，FY2028 的 EPS 成長可能低於目前約 12 美元的預期。

科林研發近年公開揭露的主要客戶包括：

• 台積電：先進邏輯晶圓代工客戶，採購用於 3 奈米、2 奈米、GAA、背面供電與先進封裝相關的蝕刻、沉積及清洗設備。
• 三星電子：同時具備記憶體與晶圓代工業務，因此是科林研發在 DRAM、HBM、NAND 與先進邏輯設備上的重要客戶。
• SK 海力士：以 DRAM、HBM 為主的記憶體大廠；HBM 堆疊與 DRAM 微縮帶來高深寬比蝕刻、沉積與清洗需求。
• 美光：DRAM、HBM 與 NAND 記憶體原廠，是記憶體設備景氣的重要需求來源。
• 英特爾：邏輯晶片 IDM 與晶圓代工業務客戶，先進節點與資料中心 CPU 擴產會帶動前段設備投資。
• 其他客戶還包括 格羅方德、鎧俠 等晶圓代工或 NAND 製造商。

其中，科林研發在 FY2024 至 FY2026 的公開文件中，持續列為「最重要客戶」的公司是：美光、三星、SK 海力士與台積電。

用客戶結構來看，可簡化為：

因此，科林研發的營運最直接連動兩類客戶的資本支出：台積電、三星等先進邏輯晶圓廠的擴產，以及SK 海力士、美光、三星等記憶體廠的 HBM／DRAM 升級與擴產。目前公司對 2027 年的成長動能排序為 DRAM、先進製程晶圓代工／邏輯、NAND，也反映記憶體客戶的邊際影響力正提高。