記憶體設備概念股

前段設備是記憶體擴產最直接的「賣鏟人」，涵蓋蝕刻、沉積、CMP、量測檢測與微影。HBM 需要 TSV 深孔蝕刻與更多製程控制，3D NAND 層數提升則讓沉積與蝕刻循環近乎線性增加，因此科林研發、應用材料等對記憶體 WFE 的彈性最高。觀察重點是三星、SK 海力士、美光的 2026–2028 年 capex、設備交期與中國出口管制變化；若記憶體大廠從漲價轉向大規模擴產，這一層通常最先反映訂單。
  • 美股 LRCX
    科林研發
    受惠最高
    1. 1. 科林研發在乾式蝕刻與高深寬比製程市占領先，HBM 的 TSV 深孔蝕刻、3D NAND 200 層以上轉換都會提高蝕刻與沉積站點需求，直接拉動設備出貨。
    2. 2. 2026 Q1 記憶體占 Systems 營收已升至 39%，其中 DRAM 占 27%創高、NAND 占 12%；公司並把 2026 WFE 展望上修至約 1,400 億美元，顯示記憶體擴產已反映在接單動能。
    3. 3. HBM 與 AI 資料中心推升記憶體製程複雜度，讓沉積、蝕刻與先進封裝需求同步放大；科林研發預估 2026 年先進封裝營收年增逾 50%，NAND 轉換支出也提前到 2027 年底前完成。
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  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠最高
    1. 1. 應用材料是前段晶圓設備龍頭，沉積、蝕刻、CMP、量測與先進封裝一條龍覆蓋，HBM、DRAM 與 3D NAND 擴產都會直接拉高設備與耗材訂單。
    2. 2. AMAT 2026 會計年度半導體設備業務預期成長超過 30%，Q2 營收 79.1 億美元、年增 11%，管理層更提到客戶訂單能見度已延伸到 8 個季度。
    3. 3. HBM 產出每 bit 需 3～4 倍於標準 DRAM 的 wafer starts，且堆疊層數由 12 層往 16～20 層提升，AMAT 在 DRAM 與 HBM 設備市占領先，直接吃到製程複雜度升級。
    4. 4. 先進封裝 2026 年營收預期成長逾 50%，AMAT 又透過收購 NEXX 強化 panel-level packaging，對應 CoWoS、3D chiplet stacking 與 AI 記憶體封裝需求放大。
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  • 美股 KLAC
    科磊
    受惠高
    1. 1. 科磊有約 9 成營收來自半導體製程控管，DRAM 與 HBM 擴產會直接拉升缺陷檢測、量測與良率優化需求，記憶體廠一擴產就先反映在訂單。
    2. 2. 先進封裝營收估自 2025 年約 6.35 億美元躍升至 2026 年約 10 億美元，年增逾 50%，受 HBM 與混合鍵合架構帶動，成為記憶體升級的高彈性受惠項。
    3. 3. 在先進晶圓級封裝製程控管市場市占約 60%，且整體製程控管市占約為第二名 7 倍，當記憶體良率門檻升高時，科磊最能把擴產轉成高毛利接單。
    4. 4. 2026 年晶圓設備市場上修至 1,400 億美元以上，2027 年成長還會高於 2026 年；記憶體與封裝新建案、2027 以後 greenfield 設備潮，將延長科磊成長週期。
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  • NL ASML
    ASML
    受惠高
    1. 1. ASML 的 EUV / DUV 設備直接卡位記憶體先進製程，1b / 1c DRAM 與 HBM4 導入更多 EUV 層數，記憶體營收占比已升至 51%。
    2. 2. 2026 年 Q1 訂單與出貨顯示記憶體客戶需求強勁，全年營收指引上修至 360–400 億歐元，管理層也指出產能緊俏將延續到 2027 年後。
    3. 3. 三星、SK 海力士、美光把 capex 轉向 HBM 與先進 DRAM，帶動 ASML 在韓國與台灣的出貨比重提升，取代部分中國需求下滑的缺口。
    4. 4. High-NA EUV 已進入量產前期，對 2 奈米與次世代 DRAM 具長線升級價值；即使短期採用較慢，低 NA EUV 出貨與升級案仍可先挹注業績。
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  • 日股 8035
    東京威力科創
    受惠高
    1. 1. 2026 年記憶體原廠資本支出明顯回升，三星、SK 海力士、美光擴充 HBM 與 DRAM 產能，TEL 在蝕刻、沉積、清洗設備具高市佔，直接吃到前段 WFE 訂單。
    2. 2. HBM 與 3D NAND 層數提升，製程步驟幾乎線性增加，特別拉動蝕刻與薄膜沉積需求；TEL 在 DRAM 佈線與 NAND 高層數轉換上受惠幅度高於單純曝光設備商。
    3. 3. TEL 2026 會計年度半導體製造裝置營收達 2.44 兆日圓創新高，DRAM 佔新機銷售 31%、NAND 佔 10%，顯示記憶體已是公司成長主軸之一。
    4. 4. 公司上修 2027 年 3 月期上半年營收至 1.57 兆日圓、年增 33.1%，且 AI 伺服器帶動先進封裝與測試需求，後續訂單能見度延伸到 2027 年。
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HBM 與 AI 加速器把瓶頸從前段晶圓推向鍵合、堆疊、CoWoS、燒機與高階測試。每增加 HBM 堆疊層數，測試插入次數、良率管理與封裝設備需求同步上升；台灣的日月光、力成、京元電子則受惠 AI 封測資本支出創高與記憶體測試外包增加。benefit_level 較高的公司通常具備高功率測試、記憶體封測或先進封裝產能，需追蹤 capex 上修、客戶驗證、HBM4 / HBM4E 導入與台積電先進封裝外包節奏。
  • 日股 6857
    愛德萬測試
    受惠最高
    1. 1. AI 與 HBM 測試需求大增，愛德萬 2026 年 3 月期營收年增 44.7%、營益年增 118.8%，記憶體測試設備銷售也年增 17%，直接吃到高階測試升級。
    2. 2. HBM4 與高密度 DRAM 使每顆晶片測試次數、測試時間與插入點明顯增加，記憶體 bit growth 與頻寬提升同步拉動 ATE 需求，強化其全球龍頭地位。
    3. 3. 台灣市場銷售額年增 74% 至 5,695 億日圓，反映 AI 封裝、記憶體與 OSAT 擴產都在拉貨；愛德萬在全球測試設備市占率升至 65%，議價與接單能見度更強。
    4. 4. 公司預估 2026 年度營收再增 25.8%、記憶體測試設備再增 17%，顯示 AI 資本支出與 HBM 擴產已形成長單動能，業績可望延續到 2027 年。
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  • 台股 3711
    日月光投控
    受惠高
    1. 1. LEAP 先進封測成長最直接，2026 年營收目標上修至逾 35 億美元、年增 118%，AI GPU / HBM 帶動封裝與晶圓測試需求同步放量。
    2. 2. 2026 年資本支出再加碼至約 85 億美元，重點投向晶圓測試與 LEAP 產能，顯示 AI 封裝 / 測試訂單能見度已延伸到 2027 年。
    3. 3. Q1 2026 營收 1,736.6 億元、ATM 事業年增 30%，先進封裝需求撐住淡季；ATM 營益占比已達 91%，獲利結構明顯轉向高毛利。
    4. 4. 切入 CoWoS、CPO 與 FOPLP 等高階封裝，且接下台積電外包與客戶驗證訂單，HBM 堆疊層數提高後，測試插入次數與 ASP 皆同步上升。
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  • 台股 6239
    力成
    受惠高
    1. 1. 記憶體與 AI 需求帶動 DRAM、NAND 封測稼動率逼近滿載，2026 年 1Q 營收 213 億元、年增 37.6%，毛利率升至 19.4%，反映報價與產能利用率同步走高。
    2. 2. HBM 堆疊層數提升使測試插入次數與良率管理更複雜，力成深耕記憶體封測與高功率測試，承接 HBM、DDR5 及 eSSD 相關委外需求，技術門檻拉高有利議價。
    3. 3. 公司 2026 年資本支出上修至 500 億元，重點投入 FOPLP、先進封測與高階測試；FOPLP 良率已近 95%，預計 2027 年量產，形成中長期新成長曲線。
    4. 4. AI 伺服器與資料中心擴建推升原廠把資源優先投向 HBM，傳統記憶體後段封裝更傾向外包，力成作為台灣記憶體封測龍頭，可直接吃到供應鏈外溢紅利。
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  • 台股 2449
    京元電子
    受惠高
    1. 1. AI 伺服器把 HBM 堆疊層數與良率門檻拉高，京元電承接 HBM、DDR5 高階測試與燒機委外，測試插入次數與單顆測試價值同步上升。
    2. 2. 公司為台灣最大獨立半導體測試廠，客戶涵蓋全球前 50 大半導體廠中約 62%，記憶體景氣升溫時最容易吃到外包轉單與產能吃緊紅利。
    3. 3. 2026 年 AI 測試需求帶動資本支出再上修至 500 億元，聚焦高功率 Burn-in 與先進封裝測試，產能預計年增 30% 至 50%，2027 年放量。
    4. 4. HBM4 / HBM4E 世代導入後，測試時間拉長、燒機功耗提高，京元電自製高功率燒機設備具成本優勢，議價能力與毛利率有望續強。
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  • 美股 AMKR
    艾克爾
    受惠高
    1. 1. Amkor 是全球最大美系 OSAT 之一，2026 年 Q1 營收 16.8 億美元、年增 27%，其中 AI 資料中心與運算業務成長明顯，直接吃到 HBM / AI 晶片後段封裝測試需求。
    2. 2. TSMC 與 Amkor 在 2026/6 簽下 10 年合作，TSMC Arizona 先進封裝與測試可由 Amkor 承接，等於鎖定美國在地高階封裝訂單，強化 AI 與國防客戶供應鏈黏著。
    3. 3. 公司 2026 年資本支出調升至 25–30 億美元，重點擴建 Arizona 與韓國先進封裝產能；Q1 產能利用率已從低 50% 升至低 70% 區間，後續放量可望推升營收與毛利。
    4. 4. Amkor 的 HDFO、2.5D 與 SiP 平台切入 AI CPU、AI 加速器與高階記憶體封裝，管理層估 AI 先進封裝收入 2026 年將倍數成長，2027 年後才進入更大規模貢獻。
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材料端包括12 吋矽晶圓、電子級溶劑、製程耗材與特殊材料，受惠路徑來自記憶體晶圓投片增加與高階製程消耗量上升。HBM、DRAM 與 NAND 擴產都需要穩定 300mm 晶圓供應，且區域化建廠會提高備貨與長約需求；台灣環球晶、中美晶、台勝科具矽晶圓題材，勝一則受惠先進製程溶劑供給偏緊。此類公司受惠較設備股慢，重點看長約價格、產能利用率、12 吋出貨量與新廠客戶預訂率。
  • 台股 6488
    環球晶
    受惠高
    1. 1. 12 吋矽晶圓是 DRAM / HBM 擴產必需材料，AI 伺服器帶動記憶體投片增加，環球晶 12 吋產能已滿載，直接吃到晶圓需求放大。
    2. 2. 全球前五大 12 吋矽晶圓供應商寡占，環球晶市占居前段班，供需偏緊下議價能力強，2026 年下半年已有漲價與長約調整空間。
    3. 3. 美國新廠 2026 年開始貢獻營收，尚未量產已超過 80% 產能被預訂，搭配美歐日多地布局，可受惠記憶體供應鏈在地化與備貨需求。
    4. 4. HBM 與先進邏輯擴產同步推升單顆晶片用晶圓面積，且 2H26 起 12 吋合約價可望季增 20%~40%，環球晶獲利彈性高於成熟製程同業。
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  • 日股 4063
    信越化學
    受惠高
    1. 1. 12 吋矽晶圓是 HBM、DRAM、NAND 擴產的基礎材料，信越化學為全球龍頭之一，300 mm 晶圓需求回升可直接拉動出貨與報價。
    2. 2. AI 資料中心與記憶體擴產帶動 300 mm 晶圓投片增加，公司電子材料部門明確受惠，且 300 mm 晶圓需求自去年春天起維持復甦。
    3. 3. 公司先端矽晶圓具高市占與技術門檻，長約覆蓋率高，客戶也在洽談調價；新設施 Isesaki 已投產，增產有助滿足後續需求。
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  • 日股 3436
    SUMCO
    受惠高
    1. 1. HBM、DRAM 與 NAND 擴產都需要 300mm 矽晶圓，SUMCO 是全球前三大供應商之一，記憶體投片增加時最先反映在 12 吋出貨與長約價格。
    2. 2. AI 推論帶動伺服器與儲存需求，原廠把產能優先投向 HBM 與高階 DRAM，成熟記憶體供給反而更吃緊，帶動 SUMCO 300mm 矽晶圓議價力提升。
    3. 3. SUMCO 2026 Q1 300mm 出貨因客戶去庫存下滑，但長約價格仍守住；公司預期 Q2 受 AI 需求帶動，先進邏輯與記憶體應用回溫，營收回升可期。
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  • 台股 5483
    中美晶
    受惠中
    1. 1. 記憶體與 HBM 擴產都需要 12 吋矽晶圓，AI 推論帶動 DRAM、NAND 投片增加，對上游晶圓供應形成直接拉貨動能。
    2. 2. 矽晶圓三雄今年受 AI 與記憶體景氣回升帶動，12 吋產能利用率與訂單能見度改善，中美晶可同步受惠報價與稼動率回升。
    3. 3. 下游客戶為避免 2026 年供貨吃緊，提前拉高庫存並洽談長約，中美晶作為上游材料端，出貨量與長約議價能力有望提升。
    4. 4. 全球記憶體廠持續把資本支出往 HBM、DDR5 與先進封裝傾斜，區域化建廠也提高備貨需求，利多 12 吋矽晶圓長期需求。
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  • 台股 3532
    台勝科
    受惠中
    1. 1. 12 吋 矽晶圓 直接供應 DRAM、HBM 與先進封裝需求，記憶體客戶占比已逾 70%，AI 帶動投片增加，現有 12 吋 產能全面滿載，訂單能見度明顯提升。
    2. 2. 麥寮新 12 吋 廠已開始投產，客戶認證預期 2026 年底前完成，且產能幾乎被預訂一空；新產能放量後可吸收折舊壓力，成為 2026 下半年到 2027 年成長主軸。
    3. 3. 台勝科正與客戶協商調高長約價格，現貨價也已回升；HBM、CoWoS 與 3D 堆疊推升單顆晶片耗用矽面積，帶動 12 吋 晶圓需求與議價能力同步上升。
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  • 台股 1773
    勝一
    受惠中
    1. 1. 電子級溶劑主攻晶圓製造、先進封裝與清洗／蝕刻製程，記憶體廠擴產與高階製程投片增加，直接拉升 IPA、PM 等電子級耗材用量。
    2. 2. 公司電子級溶劑營收占比已升至 75.8%，並打入台積電供應鏈，8 項產品中有 4 項獨家、3 項唯二，受惠記憶體與 AI 相關製程擴產的黏著度高。
    3. 3. Q1 2026 營收 30.44 億元、年增 10.6%，稅後淨利 6.06 億元、年增 27.5%，毛利率近 38% 創高；電子級 IPA 3Q 完工、PM 產能擴至 17 萬噸，成長可延續。
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記憶體晶圓廠雖是設備的買方，卻是判斷設備循環強度的核心訊號來源。美光、SK 海力士、三星掌握 HBM、DRAM 與 NAND 主要產能，2026 年 capex 與長約能見度決定設備商訂單；南亞科、華邦電則受惠 DDR4、DDR5、利基型 DRAM、NOR Flash 與 SLC NAND 的產能排擠與價格高原。對設備概念而言，這類公司 benefit_level 代表其擴產與製程升級對上游拉貨的指標性，需追蹤合約價、LTA、無塵室瓶頸與 2027–2028 新產能風險。
  • 美股 MU
    美光科技
    受惠最高
    1. 1. 美光 2026 年資本支出上修至 250 億美元以上，重點投入 HBM、1γ DRAM 與新廠潔淨室，直接拉動蝕刻、薄膜、量測與封測設備採購。
    2. 2. 愛達荷、紐約與新加坡新廠時程延伸到 2027–2028 年才放量，代表設備訂單已先行鎖定，對前段與後段設備商形成多年可見度。
    3. 3. HBM4、G9 NAND 與 1γ DRAM 持續爬坡，製程更吃 TSV、ALD、EUV 與高階測試，單位位元的設備消耗提高，擴產越快，上游拉貨越強。
    4. 4. 全球 DRAM/NAND 供給仍偏緊，美光以策略長約與客戶鎖量，為了滿足 AI 訂單必須持續擴建產能，設備商可直接受惠於這波結構性 capex 上行。
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  • 韓股 000660
    SK 海力士
    受惠最高
    1. 1. HBM 需求強勁帶動 2026 年資本支出約年增 20%，資金集中投向 M15X、Yongin 與關鍵設備採購，直接推升記憶體設備拉貨。
    2. 2. 2026 年所有 HBM 產能已售罄，且 HBM4、1cnm DRAM 進入擴產與量產節點，TSV、蝕刻、沉積與測試設備需求同步放大。
    3. 3. 清州 M15X 與龍仁新廠是實際新增 DRAM 產能，規劃把月投片與晶圓產能持續拉高，成為設備商訂單能見度最明確的指標客戶。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠最高
    1. 1. AI 記憶體需求推升三星 1Q26 Memory 營收達 74.8 兆韓圜，季增 101%，DRAM ASP 季增約 90%，NAND ASP 季增約 87% － 89%。
    2. 2. 三星 2026 年總投資將超過 110 兆韓圜，P4/P5/P6 與平澤、永仁廠持續擴建，直接放大 EUV、蝕刻、沉積與後段設備採購量。
    3. 3. HBM4 已進入量產並供應 NVIDIA Vera Rubin、AMD 等客戶，P5 預計 2028 年投產、P6 2029 年開工，長約與擴產能見度延伸到 2028 年後。
    4. 4. P5 相關 70 台左右微影設備、其中約 20 台 EUV 已下單，顯示三星是全球記憶體設備鏈最關鍵的下游買方，訂單規模與驗證節奏都具指標性。
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  • 台股 2408
    南亞科
    受惠高
    1. 1. 全球三大原廠把產能優先轉向 HBM 與 DDR5，DDR4 / LPDDR4 供給持續收縮，南亞科作為台灣少數純 DRAM 廠，直接吃到 ASP 上漲與缺貨紅利。
    2. 2. 南亞科 1Q26 營收 490.9 億元、ASP 季增逾 70%、毛利率 67.9%，顯示報價上行已明確反映在獲利；2Q26 合約價仍看雙位數上漲，利潤彈性大。
    3. 3. 與 SanDisk、Kioxia、Solidigm、Cisco 完成 787 億元私募並簽多年期供應協議，等於把 AI / eSSD 客戶與產能綁定，提升未來 2-3 年訂單能見度。
    4. 4. 2026 年資本支出上調至 520 億元、泰山新廠 2027 年起裝機，目標把月產能再擴 8 成至翻倍，擴產與先進製程布局可延續景氣高檔到 2027-2028。
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  • 台股 2344
    華邦電
    受惠高
    1. 1. 華邦電主力在利基型 DRAM、NOR Flash 與 SLC NAND，直接吃到 DDR4、LPDDR4 與成熟 Flash 缺貨漲價，Q1 2026 記憶體營收占比已拉高且毛利率衝上 53.4%。
    2. 2. 三大原廠把產能往 HBM、DDR5 轉移後，DDR4/2D NAND 供給被排擠，華邦電 NOR 全球市占約 23%、SLC NAND 約 10%，在車用、工控、IoT 具穩固議價力。
    3. 3. 2026 年資本支出拉高到約 421 億元，主要投向高雄廠 16nm DRAM 與台中廠 Flash 擴產，2H26 起陸續投片，2027 年位元出貨量可望明顯放大。
    4. 4. 客戶已主動洽談長約，2026~2027 年產能幾乎售罄；Q2 DRAM 與 Flash 漲幅預期不小於 Q1，還有 CUBE 客製化 AI DRAM 2027 年量產，增加中長線成長想像。
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  • 台股 2337
    旺宏
    受惠中
    1. 1. 旺宏以 NOR Flash、SLC NAND 與 eMMC 為主，正吃到三星、美光、鎧俠退出成熟 NAND 與低容量產品的供給缺口，2026 上半年 NOR、SLC NAND 合約價累積漲幅已破 100%。
    2. 2. 公司 eMMC、低容量 NAND 需求受車用、工控與嵌入式裝置帶動，市場傳出 eMMC 漲幅逾 80% 且轉單效應明顯，旺宏在 4Gb～32Gb 區段具供貨優勢，直接受惠價格高原期。
    3. 3. 12 吋廠產能已接近滿載，資本支出約 220 億元主攻 eMMC / NAND 擴產，2026 年下半年新設備逐步到位後可提升市占；在供給緊俏下，產能利用率與 ASP 續升有利獲利放大。
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  • 台股 6770
    力積電
    受惠中
    1. 1. 與美光完成銅鑼 P5 廠交易後，轉向 P3/新竹廠記憶體代工與 HBM 後段製造，2026 年起將帶動無塵室、機台搬入與投片需求。
    2. 2. DRAM 代工價自 3 月起調漲，6 月起開始反映營收，SLC NAND 與 24nm MLC 也同步開發，直接受惠記憶體缺貨帶動的報價上行。
    3. 3. 3D AI Foundry 的 WoW、Interposer、IPD 與 PWF 持續放量，2027 年後可望承接 AI / HBM 先進封裝需求，擴大對上游設備拉貨。
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模組、控制 IC 與工控儲存不是設備商，但能驗證記憶體缺貨是否擴散到終端。群聯受惠NAND 控制 IC、企業級 SSD 與 AI 儲存需求，模組廠則在報價上行、低價庫存與配貨環境中享有庫存利益，但同時面臨顆粒取得不足與成本上升。這一層 benefit_level 通常低於晶圓設備與封測設備，投資觀察重點是庫存週數、毛利率、eSSD / 工控比重、客戶配貨狀況，以及報價漲幅是否開始收斂。
  • 台股 8299
    群聯
    受惠高
    1. 1. 群聯是 NAND 控制 IC 龍頭，AI 資料中心與企業級 SSD 需求擴張時，直接帶動控制器出貨與高階 SSD 專案導入，5 月營收年增達 300% 創高。
    2. 2. NAND 供給持續吃緊、合約價上漲，群聯可藉由先前備貨與高價庫存放大利差，4 月自結 EPS 34.56 元、前 4 月 EPS 已逾 103 元，獲利彈性極大。
    3. 3. AI Ecosystem Module 營收占比已達 38%～41%，涵蓋企業級 SSD、aiDAPTIV 與 AI PC 解決方案，產品組合明顯升級，毛利率可望持續高於傳統控制 IC 業務。
    4. 4. 公司已切入 CSP、伺服器與 Intel AI PC 生態鏈，長約與客製化訂單增加，明年 NAND 缺貨可能更嚴重，群聯有能力把控制器、軟體與系統方案一起變現。
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  • 台股 3260
    威剛
    受惠中
    1. 1. 威剛 2025 年底至 2026 年持續高庫存操作，4 月底庫存已突破 400 億元，多數來自原廠貨源；低價庫存搭上 DRAM / NAND 漲價，可直接放大毛利。
    2. 2. 公司產品結構以 DRAM 約 61%、NAND 約 27% 為主，SSD 與模組比重高，正受惠 AI 伺服器、企業級 SSD 與終端補庫存需求擴散。
    3. 3. 2026 年記憶體供需偏緊，DRAM 與 NAND 合約價持續上行；威剛已表示上半年先吃 DRAM 庫存紅利、下半年靠 NAND 提前備貨接力，全年獲利彈性大。
    4. 4. 2026 年 1Q 單季營收 261 億元、年增 163%，毛利率衝上 55.69%，顯示漲價已明顯反映；營收成長主要來自價格而非出貨，具典型庫存利益。
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  • 台股 4967
    十銓
    受惠中
    1. 1. 十銓主力為記憶體模組與品牌 SSD，直接吃到 DRAM、NAND 漲價紅利；2026 Q1 營收 90.45 億元、EPS 27 元、毛利率 38.68%，已反映缺貨與報價上行。
    2. 2. B2B 業務比重已升到 47.58%，Q2 可望逾 50%，企業級、工控、醫療與 SI 客戶生命週期長，能直接驗證 AI 伺服器、邊緣 AI 帶來的儲存需求擴散。
    3. 3. 公司表示 2026 年 DRAM / NAND 合約價每月仍漲 8.5%~15%，且 2027 年底前產能多已被 CSP 與伺服器客戶預訂，顯示供給吃緊與長單鎖料趨勢明確。
    4. 4. 庫存約 135 億元、維持 4 至 5 個月安全水位，並新增 2 條產線、測試產能擴充 2 倍；在低價庫存回沖與新貨高價銷售下，毛利有續擴空間。
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  • 台股 2451
    創見
    受惠中
    1. 1. 創見 2026 年 Q1 營收 136.3 億元創高，受惠 DRAM / NAND 報價上漲 4-5 倍與邊緣 AI、工控需求放量，模組 ASP 與毛利同步墊高。
    2. 2. 工控與嵌入式產品占營收逾 60%～70%，客戶黏著度高、專案生命週期長，DDR4 / NAND 缺貨時更能反映漲價與配貨優勢。
    3. 3. 與三星、SanDisk 維持超過 20 年 LTA，Q1 供貨滿足率仍有 50%～80%，在原廠優先供 AI 記憶體下仍可穩定拿貨。
    4. 4. 低價庫存可支撐至 2Q26，價格續漲時先享庫存利益；且自動化自有工廠與費用率 8.6% 讓獲利彈性優於同業。
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  • 台股 5289
    宜鼎
    受惠中
    1. 1. 宜鼎以工業級 DRAM／SSD 模組為主，AIoT、網通、車載與工控客戶黏著度高；2026 年 AI 相關營收占比可望突破 30%，直接吃到邊緣 AI 擴張需求。
    2. 2. 記憶體缺貨擴散到終端後，宜鼎可在高附加價值客戶優先配貨與報價上漲中受惠；2026 年 Q1 營收年增逾 4 倍，毛利率已達 59.1%。
    3. 3. 公司訂單能見度已延伸至 2027 年，並啟動宜蘭三廠規劃與研發中心擴建，顯示需求遠大於供給，產能擴張將支撐中長線成長。
    4. 4. NAND Flash 在 AI 推論、資料中心開機碟與儲存需求帶動下第二季起明顯轉強，宜鼎 NAND 業務成為新一波 ASP 上行與營收季增主軸。
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  • 台股 8271
    宇瞻
    受惠低
    1. 1. 宇瞻營收結構中 DRAM 50.48%、NAND 48.14%，記憶體漲價可直接反映到模組售價；2025 年營收 111.2 億元、EPS 6.7 元，年增明顯放大。
    2. 2. 工控與垂直應用約占儲存業務 70%，比重高於消費市場，能把 AI 伺服器、邊緣 AI 與工控升級帶來的高容量 SSD / 模組需求轉成實際出貨。
    3. 3. 2025 年底存貨升至 48 億元、較 Q3 幾乎翻倍，代表積極備貨卡位缺貨行情；低價庫存有助短期毛利，但後續仍看供貨與現貨補貨能力。
    4. 4. 公司已用 CB 與融資支應採購，並採 3 至 6 個月鎖貨策略，顯示在原廠配貨環境下仍能維持供貨；記憶體缺貨延續時可先吃到庫存利益。
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