力積電宣布漲價利多無用 南亞科及旺宏崩跌逾 8%、群聯失守 2000 元
Celine
三星、SK 海力士、美光走弱 台股記憶體股全面回檔
全球三大記憶體廠三星電子、SK 海力士及美光（Micron）股價同步走弱，拖累台股記憶體族群今日（7/16）全面回檔。前一日才出現反彈的 DRAM 與 NAND 概念股再度遭遇賣壓，南亞科（2408）、華邦電（2344）、旺宏（2337）、群聯（8299）等指標股跌幅均超過 4%，市場短線獲利了結賣壓湧現。
其中，南亞科重挫 8.73%，收在 439 元；旺宏下瀉 8.08%，收 136.5 元；華邦電下跌 4.71%；群聯重挫 5.94%，終場收 1980 元，失守 2000 元整數關卡；近期表現強勢的鈺創（5351）也跌了 6.51%，晶豪科（3006）、廣穎（4973）及宜鼎（5289）跌幅也都超過 5%。
相較之下，封測廠南茂（8150）受惠於獲外資調升目標價至 156 元，股價盤中一度攻上漲停，後來雖然打開漲停，但終場仍大漲 7.46%，收 122.5 元；宇瞻（8271）同步上漲 3.31%，青雲（5386）及巨虹（8084）也逆勢收紅。
外資大舉調節記憶體股 旺宏、南亞科名列賣超前十
外資今日持續調節電子權值股，其中記憶體族群成為賣壓重心。
根據證交所統計，外資賣超前十大個股中，旺宏遭賣超 3 萬 4404 張、南亞科賣超 2 萬 1931 張，華邦電也遭調節 7486 張；此外，聯電（2303）、友達（2409）及臻鼎 -KY（4958）等電子股同樣位居賣超排行榜。
法人指出，近期韓國記憶體股出現修正，加上市場短線漲幅已大，使資金獲利了結壓力升高，連帶拖累台股相關族群表現。
力積電 7 月起 DRAM 代工漲價 45% 供需吃緊可望延續至 2027 年
儘管股價回檔，產業基本面仍持續向上。力積電（6770）總經理朱憲國於法說會宣布，自 7 月起全面調升記憶體晶圓代工價格 45%，邏輯晶圓代工價格同步調漲 10% 至 15%。
朱憲國表示，目前全球 DRAM 市場仍處於供不應求狀態，供給缺口預估將延續至 2027 年，客戶拉貨需求依舊強勁，目前 2026 年第三季邏輯代工訂單已達產能的 1.4 倍，顯示市場需求遠高於供給，本次調價具備充分市場基礎。
公司指出，新價格對應的新增產能預計今年 11 月開始投產，在價格調升及產能同步擴充下，可望帶動營收及獲利持續成長。目前記憶體業務已占力積電第二季營收逾五成，未來比重仍將持續提升。
OneX DRAM 進入試產 攜手美光布局 1P 先進製程
除了調漲代工價格，力積電自有 DRAM 技術布局也持續推進。
公司表示，自主研發的 OneX DRAM 製程已於 6 月啟動小量試產，目前正持續提升良率，並同步進行海內外客戶產品認證，希望未來鎖定消費電子、工控及車用等利基型 DRAM 市場，提供差異化代工服務。
在更先進製程方面，力積電與美光共同開發的 OneP（1P）DRAM 製程，也預計於 2027 年第一季完成設備建置，目標 2028 年年中量產。
公司指出，1P 製程單位晶圓產出可望達現有製程的 2.5 倍，將大幅提升未來利基型 DRAM 產品的成本競爭力，也為後續產能擴充與營收成長奠定基礎。
韓股去槓桿重創記憶體股 金管會表態不開放單一個股 ETF
另一方面，近期南韓市場因「單一個股 2 倍槓桿 ETF」爆發強制平倉潮，引發市場大規模去槓桿，不僅三星電子、SK 海力士等權值股持續走跌，韓股融資餘額也快速縮減，累計約 9 兆韓元資金撤出市場。
針對市場關注台灣是否可能開放單一個股 ETF，金管會證期局明確表示，現行法規要求基金及 ETF 須具備分散投資原則，單一持股不得超過 30%，前五大成分股合計也不得超過六成，因此現階段不可能核准發行單一個股 ETF。
短線震盪加劇 法人仍看好記憶體產業中長期景氣
法人分析指出，近期記憶體族群修正主要受到國際股市回檔、外資調節及韓股去槓桿效應影響，屬於短線市場情緒反應。
然而，隨著 AI 伺服器、高頻寬記憶體（HBM）及高容量 DRAM 需求持續成長，加上全球供給仍偏緊、晶圓代工價格調升，整體記憶體產業基本面並未改變，預期供需吃緊的態勢有望延續至 2027 年，產業中長期成長趨勢依然樂觀。
