HBM 概念股

這一類直接製造 HBM 本體,掌握 DRAM 晶圓、TSV 堆疊、良率、客戶認證與長約定價,是題材純度最高的核心。SK 海力士仍具市占與 NVIDIA 關係優勢,美光以 HBM4 與美國供應鏈定位快速重估,三星則靠 HBM4 追趕與垂直整合提高彈性。觀察重點是 HBM4 良率、客戶配額、ASP 溢價、2027 產能售罄程度;風險是新產能提前開出或 AI 資本支出降溫。
  • 韓股 000660
    SK 海力士
    受惠最高
    1. 1. SK 海力士直接製造 HBM,2026 年第一季全球市占約 58%,居三大供應商之首;AI 加速器需求成長可直接轉化為 HBM 出貨、ASP 與營收。
    2. 2. 公司於 2026 年第二季開始大量出貨 HBM4,並於上半年完成 HBM4E 樣品交付;產品具速度、功耗與成本優勢,有利延續 NVIDIA 等客戶認證與高階配額。
    3. 3. 2026 年第二季營收 79.32 兆韓元、營業利益 60.54 兆韓元,營業利益率達 76%;HBM、AI 伺服器 DRAM 與 eSSD 的高價值組合放大獲利彈性。
    4. 4. 公司已與約 10 家主要客戶簽訂長期供應協議,並加速 M15X、龍仁與後段封裝擴產,提升 2027 年供貨能見度;但三星、美光良率改善仍可能壓縮市占與溢價。
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    彙整國內外數十份產業報告,濃縮 5~7 點受惠關鍵

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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠最高
    1. 1. 美光已量產 36GB、12 層 HBM4,並向 NVIDIA Vera Rubin 平台大量出貨;HBM4 累計出貨收入已逾 10 億美元,直接受惠新一代 AI 加速器換機潮。
    2. 2. HBM4 12 層量產爬坡速度約為 HBM3E 12 層的 2 倍,且 2026 年 HBM 供應已由價格與數量協議售罄;稀缺配額有助維持 ASP 與營收能見度。
    3. 3. 美光 2026 財年第三季營收 414.6 億美元、年增 346%,非 GAAP 毛利率 84.9%;HBM 與資料中心 DRAM 組合升級,將供需緊張轉化為顯著獲利槓桿。
    4. 4. 公司已與 16 家策略客戶簽署長約,最低價格口徑的五年累計收入約 1,000 億美元,另有約 220 億美元預付款與承諾;但高資本支出及 2027 年後供給增加仍是週期反轉風險。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠高
    1. 1. 三星電子已於 2026 年 2 月開始 HBM4 量產與商業出貨,並預期下半年 HBM4 占 HBM 營收逾 60%;產品組合升級可推升 ASP、營收與記憶體獲利。
    2. 2. HBM4 採用三星自有 1c DRAM 與 4 奈米邏輯基礎晶片,且 4 奈米產能約 50%~60%投入 base die;DRAM、晶圓代工與封裝垂直整合,有助縮短交期並改善成本與良率。
    3. 3. Counterpoint Research 顯示三星 2026 年第二季 DRAM 營收市占回升至 39%,同時 HBM4 良率據報由低於 60%改善至約 80%;若能轉化為穩定大批量客戶出貨,將帶動 HBM 市占與估值重評。
    4. 4. HBM4E 已進入客戶送樣,且三星計畫 2026 年 HBM 產量較前一年增加三倍以上;但後續受惠仍取決於 NVIDIA、AMD 等平台認證、配額與量產良率,競爭加劇可能壓低溢價。
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HBM 必須透過 CoWoS、2.5D/3D 封裝與 Base Die 和 GPU/AI ASIC 整合,封裝產能常是比晶片設計更緊的交付瓶頸。台積電同時受惠 CoWoS 與部分 HBM4 邏輯基底晶片代工,日月光與力成承接先進封裝、記憶體封測與測試外溢。benefit_level 取決於 封裝產能卡位、先進製程連動、客戶認證與稼動率;需追蹤 CoWoS 擴產、Rubin 放量與 OSAT 委外比例。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠最高
    1. 1. CoWoS 是 HBM 與 GPU/AI ASIC 整合並出貨的關鍵閘門;台積電掌握核心產能,封裝供不應求可提升稼動率、ASP 與先進封裝營收。
    2. 2. HBM4 將導入更複雜的邏輯 Base Die,台積電已切入基礎晶片布局,並以 3DFabric 整合先進製程、SoIC 與 CoWoS,擴大單顆 AI 晶片的代工價值。
    3. 3. 台積電 CoWoS 產品已達 5.5 倍光罩尺寸,部分產品良率達 98%~99%;法人預估 2026 年底月產能達 13 萬至 14 萬片,Rubin 放量可轉化為新增出貨。
    4. 4. AI 需求已由 GPU 延伸至 TPU、客製 ASIC、網路晶片與 CPU;2026 年第 2 季 HPC 占營收 66%,先進製程占晶圓營收 77%,可分散單一平台風險並維持高稼動率。
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  • 台股 3711
    日月光投控
    受惠高
    1. 1. 日月光投控為全球大型 OSAT,LEAP 涵蓋全流程 CoWoS、2.5D/3D 封裝與測試,可承接 HBM 與 GPU/ASIC 整合外溢,直接受惠 AI 加速器出貨增加。
    2. 2. 2026 年第二季 ATM 營收達 1,261 億元、年增 36.3%,毛利率升至 27.3%;LEAP 營收目標超過 35 億美元,顯示 HBM 相關先進封裝已轉化為營收與獲利。
    3. 3. 公司將 2026 年資本支出上修至 105 億美元,投入 13 座新廠與 8 座既有廠擴建,並瞄準 2027 年 LEAP 營收倍增;先進封裝供不應求有利稼動率與議價。
    4. 4. 日月光先進封裝受惠不只來自 HBM,亦涵蓋 CPU、GPU、ASIC 與 CPO;大額擴產、設備交期與良率是主要執行風險,需觀察產能是否如期轉營收。
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  • 台股 6239
    力成
    受惠高
    1. 1. 力成 2Q26 封裝占營收 66%、測試占 23%,DRAM 與 NAND 分別占 19% 與 29%;HBM 排擠記憶體後段產能,帶動 AI/HPC 封測外溢,推升營收至 231.16 億元。
    2. 2. 封裝產能利用率約 90%、測試約 85%,稀缺產能已支持個位數至高雙位數調價;2Q26 毛利率升至 21.76%,HBM 與記憶體需求可透過稼動率及 ASP 改善轉成獲利。
    3. 3. 力成 PiFO 面板級封裝已獲 AMD、博通等美系客戶採用,預計 2027 年中量產整合 ASIC 與 HBM;大客戶包下產能,提供 CoWoS 外的 AI 封裝成長選項。
    4. 4. 2026 年資本支出上修至 500 億元,投入 FOPLP、TSV 互連與高階測試;FOPLP 良率已達 94%~95%,但仍須完成客戶驗證,量產與稼動率是後續獲利關鍵。
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  • 台股 6770
    力積電
    受惠低
    1. 1. 力積電第 2 季 DRAM 與 Flash 營收占比接近 52%,且 7 月 DRAM 投片價調漲 45%;HBM 排擠一般 DRAM 供給,可透過報價與稼動率改善間接受惠。
    2. 2. 力積電與美光合作建置 HBM PWF 後段晶圓代工,試產線預計 2026 年底完成、量產目標為 2027 年第 4 季;若驗證如期,將新增 HBM 封裝代工收入。
    3. 3. 力積電矽中介層產線已重啟並承接 CoWoS-S、CoWoS-L 外溢需求,3D AI Foundry 營收占比由第 1 季 3.2%升至第 2 季 5.4%;但仍屬早期業務,量產規模與客戶放量證據有限。
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HBM 堆疊層數提高後,任何一顆壞 die 或 TSV 缺陷都會放大封裝損失,因此 KGD、Burn-in、探針卡、測試座與高頻高速介面需求同步升級。京元電受惠 AI 晶片測試時間拉長,旺矽、穎崴、精測則吃到高 pin 數與高頻測試耗材升級。此類不直接賣 HBM,但在量產爬坡具高槓桿;關鍵指標是 AI/HPC 營收占比、交期、探針卡 ASP 與客戶驗證進度
  • 台股 2449
    京元電子
    受惠高
    1. 1. HBM 堆疊層數提高會放大 die、TSV 與封裝缺陷損失,推升 KGD、Final Test 與 Burn-in 需求;京元電測試服務約占營收 97%,AI 營收已達約 25%~30%。
    2. 2. AI 加速器功耗與測試時間同步上升,京元電已自製約 1,500W 氣冷 Burn-in 爐,並開發 3,000W 液冷設備,可承接 HBM 整合晶片的高功率可靠度驗證。
    3. 3. AI GPU 與 ASIC 測試需求增加,京元電 2026 年資本支出由約 394 億元上修至 500 億元,擴充頭份、楊梅及新加坡產能,為 HBM4 與新一代 AI 晶片放量提供測試容量。
    4. 4. 京元電擁有逾 5,200 套測試系統與自製測試設備能力,能支援複雜先進封裝測試;但高資本支出將增加折舊,實際受惠仍取決於新增產能能否順利轉為高稼動率。
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  • 台股 6223
    旺矽
    受惠高
    1. 1. 旺矽探針卡占營收約 7 成,VPC 與 MEMS 產線維持滿載;HBM 堆疊層數提高後,KGD 與晶圓級測試更嚴格,帶動高階探針卡需求與測試耗材價值。
    2. 2. HBM4 與 AI 加速器的高 pin 數、高頻高速測試推升 MEMS 探針卡滲透率;旺矽針數已由 2 萬根提升至 3 萬根以上,有利 ASP 與毛利率升級。
    3. 3. 旺矽 2026 年上半年營收 91.66 億元、年增 49.74%,稅後淨利年增 103.47%;VPC 與 MEMS 產能規劃較 2025 年增約 50%,可承接 AI/HPC 測試放量。
    4. 4. 公司目前 AI 探針卡貢獻以 ASIC 為主,並非直接供應 HBM;受惠程度仍取決於 AI ASIC 拉貨、客戶驗證及擴產利用率,若 AI 資本支出放緩,營收槓桿可能反轉。
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  • 台股 6515
    穎崴
    受惠高
    1. 1. 穎崴提供高階測試座、同軸 Socket 與 MEMS 探針卡;HBM 堆疊層數提高後,KGD 驗證、高速訊號與熱管理要求升級,推升測試介面用量與 ASP,屬不直接製造 HBM 的高槓桿受惠者。
    2. 2. 2026 年前四個月先進製程與先進封裝營收占比達 89%,AI/HPC 營收占比約 68%~70%;HBM 與 GPU 共同封裝測試使晶片尺寸、I/O 數及測試時間增加,有利高階產品組合與獲利提升。
    3. 3. 2026 年 8 月營收達 17.06 億元,年增 233.37%;公司訂單能見度約 5~6 個月,探針月產能將由 2026 年上半年 600 萬支增至年底 900 萬支、2027 年上半年 1,400 萬支,可承接 HBM4 與 AI 晶片量產需求。
    4. 4. 受惠仍屬間接曝險,AI/HPC 訂單不等同 HBM 專屬營收;且 HyperSocket 目前仍在客戶驗證、曾有壽命過短回饋,2027 年貢獻至少 5% 營收仍屬公司目標,需追蹤驗證與量產進度。
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  • 台股 6510
    精測
    受惠中
    1. 1. 精測不直接生產 HBM,但提供晶圓測試卡與 IC 測試板;HBM 堆疊層數提高會放大 KGD 與良率要求,推升高 pin 數、高速測試介面需求,2026 年第 2 季 HPC 營收占比已達 56.3%。
    2. 2. AI/HPC 測試需求使產能接近超載,精測 2026 年 8 月底已將產能提升至 2025 年底的 2 倍,並規劃 2027 年 3 月達 3 倍;若客戶驗證順利,可放大 HBM 相關測試外溢的營收槓桿。
    3. 3. 精測展示可測最高 4.8 萬接腳的 AI 探針卡、6.5 萬接腳高 pin 數探針卡及 1,000 瓦 Burn-in Board,符合高頻寬、高功耗 AI 晶片測試升級;但 BIB/SLT 初期學習曲線可能壓低毛利率。
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AI GPU/ASIC 與多顆 HBM 整合會放大 ABF 載板、濕製程、清洗、貼合、點膠、烘烤、CMP 與再生晶圓需求。欣興、南電受惠高階 ABF 面積與層數提升;弘塑、辛耘、萬潤、志聖受惠 CoWoS/CoPoS 擴產設備;中砂切入研磨與再生晶圓耗材。benefit_level 取決於 是否進入關鍵站點、設備交期、客戶 POR 驗證與營收認列節奏,也要防範設備股提前反映擴產題材。
  • 台股 3037
    欣興
    受惠高
    1. 1. 欣興 2026 年第 2 季 ABF 載板占營收 52%、AI 資料中心占 61%;GPU/ASIC 搭載多顆 HBM 使封裝尺寸與層數提升,直接推升高階 ABF 用量、ASP 與營收。
    2. 2. 欣興為全球少數能量產次世代 GPU 高階 ABF 載板的廠商,ASIC 載板市占逾 70%,且為 Blackwell 主要供應商之一;AI 加速器與自研 ASIC 擴大,有利鞏固客戶訂單。
    3. 3. 光復與楊梅廠高階產能接近滿載,2027 年 ABF 產能預計增加 30% 至 40%,新增產能已有客戶預約並取得預付款;可把 HBM/AI 封裝擴產需求轉為中期出貨。
    4. 4. 2026 年第 2 季營收 428.9 億元、年增 32.1%,毛利率升至 24.8%;但全年資本支出已上修至 537 億元,後續需觀察 EMIB 良率、折舊與自由現金流,避免擴產先於營收認列。
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  • 台股 8046
    南電
    受惠高
    1. 1. HBM 與 GPU/ASIC 整合使封裝基板面積、層數與線路密度提升;南電 ABF 占營收約 55%~60%,可承接高階 AI 加速器載板需求。
    2. 2. 南電 2026 年上半年 AI/HPC 應用占營收 16%,且 1.6T 交換器載板已量產;伺服器、交換器與記憶體需求升溫,帶動產品組合與議價能力改善。
    3. 3. 2026 年第二季營收 135.75 億元、年增 41.66%,毛利率升至 24.75%;高階載板拉貨與 1.6T 放量,顯示 AI 先進封裝外溢已轉化為實際獲利。
    4. 4. 三座廠平均稼動率逾 80%,公司通過 468 億元高階載板智慧工廠資本支出,預計 2028 年起增加大尺寸、高層數產能;但目前缺乏 HBM 專屬營收或客戶占比揭露,仍須追蹤驗證與出貨。
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  • 台股 3131
    弘塑
    受惠高
    1. 1. 弘塑以濕製程設備為主,涵蓋清洗、蝕刻與去光阻;HBM 堆疊及 CoWoS/SoIC 對潔淨度與良率要求提高,擴產將增加關鍵站點設備需求。
    2. 2. 公司截至 2026 年 5 月接單金額已接近去年四家公司合計營收約 65 億元,現有產能僅能滿足全球訂單約三分之一至四分之一,若擴產到位,HBM 設備訂單轉營收彈性高。
    3. 3. 香山二期已投產,2026 年年產能預計約 200 台,2027 年底前再增約 100 台;3D/Hybrid Bonding 設備同步放量,可承接 HBM 封裝升級並提高單機價值與毛利結構。
    4. 4. 弘塑近兩年稼動率約 100%~120%,但人力缺口仍近 200 人,設備須完成驗收才能認列營收;因此 HBM 需求雖強,短期仍可能受外包成本、交期與認列遞延壓抑獲利。
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  • 台股 3583
    辛耘
    受惠中
    1. 1. 辛耘自製濕製程、清洗、蝕刻與暫時貼合設備可用於 CoWoS/CoPoS;HBM 堆疊提高潔淨度與良率要求,帶動設備需求,2026 年自製設備出貨估增約 50%。
    2. 2. AI 先進封裝訂單已推升辛耘自製設備產能近滿載,訂單能見度延伸至 2027 年、部分客戶規畫至 2028 年;湖口二廠 2026 年底啟用,有助後續設備出貨與營收認列。
    3. 3. 辛耘 12 吋再生晶圓月產能將由 21 萬片提升至 2026 年底 25 萬片,可間接受惠 HBM 與先進 DRAM 擴產增加的監控片需求;但公司尚未揭露 HBM 專屬營收,且 CoPoS 仍在客戶驗證。
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  • 台股 6187
    萬潤
    受惠中
    1. 1. 萬潤半導體設備營收中 CoWoS 相關占比約 80%~90%,主攻點膠、貼合、AOI 與自動化;HBM 堆疊升級提高封裝複雜度,將帶動相關設備需求與出貨。
    2. 2. 2026 年上半年營收 37.66 億元、年增 35.97%,稅後淨利 11.51 億元、年增 55.1%;公司訂單能見度達 2027 年第二季,顯示先進封裝擴產已轉化為營收與獲利。
    3. 3. 萬潤並不製造 HBM,受惠主要來自 CoWoS/3D 封裝設備;公司亦表示出貨與營收認列取決於客戶驗收,CPO 等新產品仍在商業化早期,投資人需追蹤 POR 驗證與認列節奏。
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  • 台股 2467
    志聖
    受惠中
    1. 1. 志聖供應 HBM 與 CoWoS 相關熱製程、烘烤及貼合設備;HBM 堆疊與 AI 封裝擴產提高熱管理及製程站點需求,形成設備訂單動能。
    2. 2. 2026 年上半年先進封裝占營收 46%、先進 PCB 占 24%,兩者合計 70%;AI 相關在手訂單占 92%,顯示受惠已由概念延伸至營收結構。
    3. 3. 公司 2026 年上半年營收 50.44 億元、年增 78.9%,毛利率 49.1%,訂單能見度延伸至 2027 年;但設備出貨與營收認列仍取決於客戶資本支出進度。
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  • 台股 1560
    中砂
    受惠中
    1. 1. HBM 堆疊與 CoWoS/Hybrid Bonding 使晶圓薄化、平坦化及 CMP 要求提高;中砂供應鑽石碟與研磨砂輪,間接受惠先進封裝耗材用量增加。
    2. 2. 中砂先進製程與先進封裝產品營收占比已達 61.2%,2026 年第 2 季 2 奈米相關營收年增 84%;美系記憶體與 IDM 客戶放量,擴大 HBM 供應鏈外溢效益。
    3. 3. 中砂鑽石碟月產能第 2 季約 6 萬片,目標第 4 季逾 7 萬片、2027 年第 4 季達 9.5 萬片;12 吋再生晶圓月產能 40 萬片並規劃增至 43 萬片,但 HBM 專屬營收與客戶驗證仍未單獨揭露。
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HBM 優先占用先進 DRAM 晶圓、封裝與資本支出後,DDR4、DDR5、LPDDR、NOR Flash、NAND 與企業級 SSD 供給被排擠,形成 記憶體報價外溢紅利。南亞科對標準型 DRAM 漲價最敏感,華邦電與旺宏受惠利基型記憶體與 NOR,威剛、十銓、群聯則受惠模組、SSD、控制 IC 與庫存價差。此類彈性高但直接性較低,需看 現貨價、庫存成本、長約品質與終端需求是否同步支撐。
  • 台股 2408
    南亞科
    受惠高
    1. 1. HBM 與伺服器 DRAM 優先占用先進晶圓,國際大廠轉移產能後,南亞科以 DDR4、LPDDR4 為主的產品供給更緊;2026 年第二季 ASP 季增逾 60%,毛利率升至 79.5%。
    2. 2. 南亞科 2026 年上半年 AI 基礎設施與伺服器營收占比已超過 20%,並供應 DDR5、LPDDR5/5X 及 BMC、eSSD 等產品;AI 伺服器記憶體容量升級,帶動產品組合與需求能見度改善。
    3. 3. 長約客戶比重已達約 50%,可降低純現貨價格波動;5A 新廠第一階段預計 2028 年達每月 3 萬片、滿載 4.5 萬片,若 DRAM 缺口延續,可把漲價紅利延伸至新增產能。
    4. 4. 南亞科並非 HBM 製造商,主要受惠於 HBM 排擠標準型 DRAM 的外溢漲價;投資人仍須追蹤 DDR4/DRAM ASP、庫存與 2027 年後新產能,價格反轉將直接壓縮獲利。
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  • 台股 2344
    華邦電
    受惠中
    1. 1. HBM 與 DDR5 優先占用先進 DRAM 資源,擠壓 DDR4、SLC NAND 與利基型記憶體供給;華邦電以利基 DRAM、NOR Flash、SLC NAND 為主,直接受惠報價與產品組合改善,2Q26 記憶體營收達 517 億元、季增 72.8%。
    2. 2. AI 伺服器不只使用 HBM,交換器、電源、網路管理與控制板卡也需大量 NOR Flash;華邦電估算單一 AI 機櫃使用 500~600 顆,公司 NOR 市占約 23%,可受惠高容量產品需求與供應緊張。
    3. 3. 產能滿載與擴產提供量價成長催化劑:2Q26 公司產能利用率達 100%、合併毛利率 66.2%,高雄廠月產能預計由 1.5 萬片提升至 2.4 萬片,16 奈米放量可望自 2027 年增加位元供給;但公司以季度合約為主,後續獲利仍取決於合約價格與終端需求。
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  • 台股 2337
    旺宏
    受惠中
    1. 1. 旺宏以 NOR Flash、SLC NAND 與 eMMC 為主;HBM 與高階 DRAM 排擠成熟記憶體資源,帶動利基 Flash 供給緊張及逐月議價,第二季毛利率升至 64.4%。
    2. 2. AI 伺服器升級推高高密度 NOR 的開機碼、韌體與系統管理需求;旺宏表示相關需求明顯增加,NOR 占第二季營收 48%,可分享 HBM 以外的 AI 儲存外溢。
    3. 3. 旺宏第二季 NAND 營收季增 163%、年增 798%,8 月營收年增 218.5%;公司追加資本支出至 378 億元、提高 12 吋月產能至 3 萬片以上,新增產能主要於 2027 年貢獻,但仍須留意記憶體循環反轉風險。
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  • 台股 3260
    威剛
    受惠中
    1. 1. 威剛以 DRAM 模組與 SSD 為主,HBM 優先占用原廠資源後推升 DDR4、DDR5 與 NAND 報價;2026 年 8 月 DRAM、SSD 營收占比達 69.3% 與 26.6%,價格彈性高。
    2. 2. 威剛第二季底庫存約 494 億元,DRAM 可銷售約 3 個月、NAND 約 5 個月,並洽簽 2027 年長約;在供給吃緊時,有貨可賣有助放大庫存價差。
    3. 3. TRUSTA 企業級 SSD 與 DDR5 R-DIMM 已完成多家伺服器平台驗證,預估 2026 年第四季占營收 5% 至 10%;AI 推論與資料中心擴建可拓展高毛利儲存需求。
    4. 4. 威剛不生產 HBM,本題材屬報價與供給外溢受惠;低價庫存消化後若採購成本追上售價,或 AI/伺服器需求降溫,毛利率與庫存價差將明顯收斂。
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  • 台股 4967
    十銓
    受惠中
    1. 1. 十銓不生產 HBM,主要透過模組與 SSD 間接受惠;HBM、DDR5 排擠一般 DRAM 與 NAND 供給,推升報價,2026 年第 2 季營收 75.88 億元、EPS 26.47 元。
    2. 2. 十銓與三星、美光、SK 海力士維持 30 至 40 年供應關係,缺貨時有助穩定取得顆粒;B2B 營收占比已升至 47.58%,提高漲價轉嫁與毛利韌性。
    3. 3. AI 伺服器需求由雲端延伸至工控與邊緣 AI,十銓提供 DDR5、ECC DRAM 與客製化 SSD,相關產品持續驗證並導入量產,可擴大企業級模組出貨。
    4. 4. 公司預估 2026 年第 3 季 DRAM 合約價漲 20% 至 25%、第 4 季漲 15% 至 20%,但受惠仍取決於庫存成本、終端需求與 2027 年供給是否反轉。
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  • 台股 8299
    群聯
    受惠中
    1. 1. 群聯不製造 HBM,但原廠將 DRAM 與資本支出優先轉向 HBM,NAND 供給同步偏緊;其控制 IC、模組與企業級 SSD 可受惠於報價上漲及低成本庫存價差。
    2. 2. AI 生態系模組已占群聯 2026 年第二季營收約 38%,季增 68%;企業級 SSD、AI Server 與 Boot Drive 放量,讓公司從消費型控制 IC 廠轉向高附加價值儲存方案商。
    3. 3. 群聯的 aiDAPTIV+ 將 NAND SSD 作為昂貴 HBM/DRAM 的容量延伸層,支援模型參數與 KV Cache 卸載;若 AI 推論持續擴大,可提高企業級 SSD 與軟體方案的導入需求。
    4. 4. 受惠高度依賴 NAND 報價與庫存成本,且公司不掌握 NAND 晶圓;低價庫存消化後採購成本上升,可能壓縮毛利,需同步追蹤合約價、庫存跌價與 AI 方案落地速度。
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