三星 HBM 供應鏈傳雙軌布局 客製化 Base Die 擬導入台積電製程
Celine
定製 HBM 需求升溫 Base Die 成為技術與供應鏈關鍵
隨著客製化高頻寬記憶體（HBM）需求升溫，三星電子的 HBM 基礎裸片（Base Die）供應策略傳出重大調整。據韓媒報導，三星計畫不再完全依賴自家晶圓代工部門生產 Base Die，而是同步採用三星與台積電（2330）製程，建立「雙軌制」供應模式，以提高因應客戶不同需求的彈性。
HBM 由多層動態隨機存取記憶體（DRAM）核心裸片（Core Die）垂直堆疊而成，底部的 Base Die 則負責連接記憶體與系統半導體，支援高速資料傳輸。隨著 HBM 世代演進，Base Die 的重要性逐步提升；從 HBM4 開始，其製造已由傳統 DRAM 製程轉向晶圓代工製程，讓更多邏輯功能得以整合，並有助提升效能與能源效率。
NVHBM 導入客製化設計 記憶體與加速器功能整合
客製化 HBM 的核心，是依照客戶需求在 Base Die 上整合特定邏輯功能，相關設計與製造須由客戶、記憶體廠及晶圓代工業者密切合作。
報導指出，輝達上月公布的「NVHBM」是此類架構的代表。其設計將原本位於 AI 加速器中的記憶體控制器功能移至 HBM Base Die，預計自 HBM4E 世代導入。相較標準 HBM4E，NVHBM 的記憶體頻寬最高可提升 30%，功耗則最多可降低 15%。
市場傳出，亞馬遜可能成為 NVHBM 首批應用客戶。亞馬遜（Amazon）旗下半導體開發組織 Annapurna Labs 據稱已決定採用 NVLink Fusion 與 NVHBM 技術，設計下一代 AI 加速器 Trainium4。
三星擬結合自家與台積電製程 依客戶需求調整配置
過去，三星主要透過內部系統 LSI 事業部與晶圓代工事業部，供應 HBM 所需的 Base Die。報導稱，未來在 NVHBM 等客製化產品上，三星將考慮導入台積電製程，讓三星自製的 HBM 核心裸片，搭配三星或台積電製造的 Base Die。
知情人士表示，三星將依客戶要求，評估 NVHBM Base Die 採用內部晶圓代工或台積電製程，實際採用方式與比例仍取決於客戶需求。另有業界人士透露，部分系統 LSI 人員已調任至三星記憶體事業部，負責台積電製程 Base Die 相關工作；目前已有客戶以三星 HBM 核心裸片搭配台積電製程 Base Die 進行產品設計。
從一站式供應轉向彈性合作 記憶體事業部主導協調
據報導，若 Base Die 交由台積電製造，相關晶片設計與最佳化支援將由三星記憶體事業部負責；系統 LSI 事業部則主要負責供應三星晶圓代工製程的產品。
業界分析認為，三星將客製化 HBM 的 Base Die 供應來源分散，有助降低供應鏈過度集中於單一製程的風險。台積電已與輝達等科技大廠建立晶圓代工及封裝合作關係，三星若僅堅持自家晶圓代工的一站式供應模式，可能較難滿足客戶多樣化的客製需求。透過雙軌布局，三星可依客戶設計與製程需求，調整 Base Die 的製造來源。
