三星 HBM4 量產倒數中 輝達（NVIDIA）驗證後即可投產
發佈時間：2025/12/04
HBM4 通過量產準備審查 頻寬比 HBM3E 提升逾六成
外媒消息指出，三星電子已完成第六代高頻寬記憶體（HBM4）研發，並通過量產準備就緒（PRA）內部審查，正式進入量產前的最後技術確認階段。新一代 HBM4 頻寬預計將比現行 HBM3E 提升約 60％，成為 AI 加速器市場的重要競爭產品。
首批樣品交付輝達 性能符合 Rubin 平台需求
業界透露，三星已向輝達（NVIDIA）提供 HBM4 工程樣品，初步測試結果已超越輝達下一代 GPU 對單 Pin 數據傳輸速率 11Gbps 的標準。若最終通過輝達認證，三星可立即啟動量產，搶占 AI 訓練晶片供應鏈第一波出貨商機。
三星並表示，旗下晶圓代工部門將於 2026 年優先確保 2 奈米 GAA 製程及 HBM4 量產穩定性，同時加速美國德州泰勒新廠的產能拉升。此外，三星也在研發更高速的 HBM4 升級版本，性能提升目標達 40％，最快於 2026 年 2 月中旬亮相。
三星 DRAM 布局轉向 1b 技術 計畫每月增 8 萬片產能
根據韓媒報導，三星正討論調整記憶體生產策略，擬大幅削減採 10 奈米級第 4 代（1a）製程的 HBM3E 產能，並將 30％至 40％的 1a 產能轉移至第五代 10 奈米級（1b）DRAM。此外，若加計成熟製程線（如 1z）的轉換投資，三星可望額外新增每月約 8 萬片晶圓的 1b DRAM 產能，以強化通用 DRAM 供應能力。
HBM3E 毛利率約三成 DDR5 獲利能力更具吸引力
報導指出，三星 12 層 HBM3E 的營業利益率估計約 30％，良率已明顯改善；然而 DDR5 等通用 DRAM 毛利率可望突破 60％，使三星擴大 HBM3E 產能的誘因降低。知情人士透露，三星 2025 年的營運策略將以「獲利最大化」為核心，DRAM 仍是明年成長主力，產能將鎖定獲利能力最佳的產品線。
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編輯整理：Celine
