三星電子：HBM3E 價格將走跌，DRAM 價格看漲
三星電子在最新財報電話會議中指出，儘管 HBM（高頻寬記憶體）在 AI 應用領域持續受關注，但 HBM3E 產品的供給增幅已超過需求增速，預期將導致短期內供需失衡，進而對市場價格造成壓力；另，考量傳統 DRAM 價格向上的動能持續，目前看來 HBM3E 與傳統 DRAM 間的利潤差距將在下半年顯著收斂。
傳統 DRAM 價漲 HBM、DRAM 利潤差距將縮小
三星強調，由於下半年傳統 DRAM 價格看漲，HBM3E 與一般 DRAM 的獲利差距將大幅縮小。因此，從獲利最佳化的角度出發，短期內推動產品組合均衡化將成為必要策略。儘管如此，三星仍看好 HBM 中長期的成長潛力，並將持續強化與客戶的合作，推動具有競爭力的 HBM4 產品商業化，並投入相關技術與客製化 HBM 的開發。
HBM3E 出貨佔比飆升 下半年將達九成
數據顯示，三星電子 2025 年第二季 HBM 出貨量按 bit 計算，季增約 30％，其中 HBM3E 在整體 HBM 出貨中佔比已超過 80％。目前三星正加速各大客戶的量產認證流程，預期至下半年 HBM3E 銷售占比將突破 90％。
在傳統記憶體方面，三星指出，下半年 DRAM 價格可望進一步走升，而 NAND 價格自第三季起亦有望全面回升。不過，漲幅將依產品與應用而異，供應緊張的 DRAM 與 NAND 產品漲幅預期較大。
記憶體價格反彈在即 NAND 與伺服器 SSD 成未來重點
為應對市場變化，三星計畫持續推進 DRAM 與 NAND 的先進製程轉換，以強化長期競爭力。同時，也將擴大 AI 驅動的各項產品出貨量。
三星預期，第三季 DRAM 出貨量將較前一季實現高個位數百分比成長；NAND 方面，將加速推動所有應用，包含伺服器端，全面轉向第八代 V-NAND（V8）技術，以提升成本效率。
其中，伺服器 SSD 業務將成為營運成長關鍵，尤其是在第五代 TLC SSD 技術及高容量 QLC SSD（如 64TB 與 128TB ）廣受客戶青睞的情況下。三星預估，第三季 NAND 出貨量將季增中個位數百分比，AI 伺服器需求將帶動整體業績成長動能。
