NAND 供給短期難靠新廠快速放量，原廠主要透過 高層數 3D NAND 製程升級 增加位元產出，帶動蝕刻、沉積、檢測設備需求。科林研發、應用材料與東京威力科創在深孔蝕刻、ALD、乾蝕刻等關鍵製程具位置，benefit_level 較高；科磊則受惠檢測需求但主題純度略低。觀察重點是 NAND capex 是否復甦、三星／美光／鎧俠新廠進度與 300 層以上製程轉換。
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美股 LRCX科林研發受惠高
- 1. 科林研發在高深寬比蝕刻與沉積設備具既有裝機優勢；NAND 客戶轉向 256 層以上企業級 SSD，帶動相關設備內容量增加，最新季度 NAND 營收已季增逾一倍。
- 2. NAND 供給短期以製程轉換提升位元產出為主，科林研發預估 200 層以上升級支出約 400 億美元，且多數投資提前至 2027 年底前，有利設備訂單延續。
- 3. 2026 年第 4 季營收達 67.2 億美元、年增 30%，其中 NAND 系統營收占比由 12% 升至 23%；下季營收指引中值 81 億美元，反映記憶體設備需求加速。
- 4. 高稼動率與 NAND 升級推升客戶支援業務，2026 年第 4 季收入 24.72 億美元、年增 42.6%；但中國營收占比降至 26%，出口管制可能限制部分設備需求。
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美股 AMAT應用材料受惠高
- 1. 應用材料 FY2025 Flash／NAND 營收由 7.474 億美元增至 14.1 億美元，占公司營收 7%；記憶體客戶升級 3D NAND 製程，直接帶動設備需求。
- 2. Sym3 Magnum 蝕刻系統支援 3D NAND 高深寬比結構，PROVision 10 與 SEMVision eBeam 則強化高層數缺陷檢測；200 層以上升級將提高單位製程設備價值。
- 3. NAND 新廠短期難快速增加位元產出，原廠主要依靠製程升級；應材具沉積、蝕刻與量測整合能力，能受惠既有晶圓廠升級支出與後續設備拉貨。
- 4. 應材 FY2026 第三季 Flash 僅占半導體系統營收 7%，主要成長仍來自邏輯、DRAM 與先進封裝；因此 NAND 題材提供增量，但非純 NAND 設備曝險。
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日股 8035東京威力科創受惠高
- 1. AI 資料中心推升 Enterprise SSD 需求、NAND 供給短期難快速增加，原廠轉以高層數 3D NAND 製程升級增產；東京威力科創具蝕刻與沉積設備線，可受惠每片晶圓製程步驟增加。
- 2. 300 層以上 NAND 深孔蝕刻難度提高，需導入極低溫蝕刻；東京威力科創已開發低溫蝕刻設備，若 2026 年順利導入量產線，將提高其切入高層數 NAND 升級訂單的機會。
- 3. FY2026 東京威力科創新機銷售中非揮發性記憶體占 10%，公司 FY2027 上半年營收指引年增 33.1%；但 NAND 曝險仍低於 DRAM 與邏輯，受惠幅度取決於原廠升級資本支出與設備驗證。
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美股 KLAC科磊受惠中
- 1. 3D NAND 層數升高、深孔與多層結構使缺陷及良率控管更重要，科磊的晶圓檢測與量測設備可支援製程升級；但 NAND 僅占其記憶體設備收入約 10%，屬間接受惠。
- 2. NAND 原廠短期以製程升級提升位元產出，後續新廠也可能推升檢測設備採購；科磊截至 2026 年 6 月底訂單積壓約 125 億美元，提供設備週期復甦的營收能見度，但未確認全數來自 NAND。
- 3. 科磊 2025 年製程控制市占約 58%，較 2021 年提升 360 個基點，規模約為最接近競爭者 7 倍；高層數 NAND 對良率與檢測強度提升，有利其維持設備採用優勢。
- 4. 科磊記憶體製程控制收入中 DRAM 約占 90%、NAND 僅約 10%，且公司主要營收仍來自晶圓代工與邏輯；因此 NAND 題材的獲利彈性低於科林研發、應用材料等直接設備供應商。
