上游原廠掌握晶圓產能與合約報價，是這波循環的定價源頭。三大原廠把產能優先配置到 HBM、Server DRAM、企業級 SSD，壓縮一般 DRAM、DDR4 與成熟 Flash 供給；南亞科、華邦電則受惠 成熟製程供給真空。benefit_level 較高者通常具備自有產能、長約覆蓋與 ASP 傳導能力，需追蹤合約價、產能開出與 2027～2028 新供給。
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美股 MU美光科技受惠最高
- 1. 美光同時掌握 DRAM、NAND 與 HBM 產能，2026 財年第三季營收 414.6 億美元、DRAM 占 76%；AI 伺服器拉貨與供給排擠推升 ASP，直接放大利潤。
- 2. HBM4 已進入高量出貨，2026 年 HBM 產能已售罄，且 HBM4E 預計 2027 年量產；AI 加速器需求可帶動高價產品組合與市占提升。
- 3. 公司已簽 16 份策略客戶協議，涵蓋約 20% DRAM 與三分之一 NAND 出貨，多數採多年期 take-or-pay 並設價格下限，最低合約收入約 1,000 億美元，提升營收能見度。
- 4. 管理層預期 DRAM、NAND 供不應求延續至 2027 年後，而愛達荷、紐約及新加坡擴產多在 2027～2028 年陸續開出；短期有利報價，但 AI 資本支出放緩或新產能超前仍可能反轉。
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韓股 005930三星電子受惠最高
- 1. 三星電子 2Q26 記憶體營收達 120.8 兆韓元，季增 62%、年增 471%；DRAM 與 NAND 位元出貨創高，ASP 分別季增約 44%～46% 與 67%～69%，漲價直接放大利潤。
- 2. Counterpoint Research 顯示三星 2Q26 DRAM 營收市占回升至 39%、重奪第一；HBM 營收市占由 1Q26 的 21% 升至 33%，若 HBM4 認證與量產持續，市占修復可帶動高階產品組合改善。
- 3. 三星同時掌握 DRAM、NAND 與 4nm Foundry，HBM4 base die 可內製，能降低外部供應依賴並整合記憶體、基礎晶片與先進製程；HBM4E 樣品已交付主要客戶，強化下一世代接單能力。
- 4. AI 伺服器、企業級 SSD 與 Agentic AI 推升需求，三星已將產品組合轉向 HBM4、高容量 DDR5、SOCAMM2 與高值 NAND；但手機與 PC 需求轉弱、2027～2028 年新產能開出仍可能壓低漲價斜率。
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韓股 000660SK 海力士受惠最高
- 1. SK 海力士 HBM 市占約 60%，2026 年第二季開始量產出貨 HBM4，並於下半年爬坡；AI 加速器需求推升高附加價值記憶體出貨與 ASP，直接鞏固原廠定價權。
- 2. 2026 年第二季營收 79.3187 兆韓元、營業利益率 76%，DRAM 占營收 73%、NAND 占 27%；DRAM 與 NAND 價格及高價值產品組合同步改善，顯示漲價可有效轉化為獲利。
- 3. 公司已與約 10 家主要客戶完成長期供應協議，部分合約通常採五年期並含訂金機制；搭配 M15X 量產與龍仁廠擴建，可提高 AI 伺服器記憶體的供貨能見度與產能配置效率。
- 4. 受惠程度高度依賴 AI 資料中心投資與 HBM4 認證放量；三星、美光加速追趕，且 M15X、龍仁等新產能陸續開出，若 AI 資本支出放緩或供給超前，ASP 與高毛利率可能回落。
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美股 SNDKSanDisk Corporation受惠高
- 1. SanDisk FY2026 資料中心營收達 51.53 億美元、年增 437%，企業級 SSD 已成主要成長引擎；AI 推論、RAG 與 KV Cache 擴大 NAND 用量，推升高 ASP 產品與營收占比。
- 2. 公司已與 8 家客戶簽訂多年期 NBM 長約，覆蓋 FY2027 約 50%、FY2028 約三分之二的位元出貨，並設價格地板與財務擔保；可降低 NAND 現貨循環波動、提升營收能見度。
- 3. BiCS8 企業級 TLC SSD 持續擴大客戶認證，QLC Stargate 預計 FY2026 第四季出貨；高容量與低成本產品組合升級，有望承接 AI 資料中心不同儲存層需求。
- 4. SanDisk 與 SK 海力士共同推進 HBF，預計 2027 年提供樣品；此技術仍未驗證量產與客戶導入，短期受惠仍以企業級 SSD 為主，且須留意 2027 年下半年 NAND 供給可能轉寬鬆。
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台股 2408南亞科受惠高
- 1. 南亞科採 IDM 模式自有 DRAM 晶圓產能，主力 DDR4／LPDDR4 約占產出 60%～70%；三大原廠轉向 HBM 與伺服器 DDR5，供給排擠推升其 ASP，2Q26 ASP 季增逾 60%、毛利率達 79.5%。
- 2. AI 基礎設施與伺服器相關營收已超過 20%，且長期供應合約涵蓋約 50% 產能；AI 伺服器、eSSD 與高容量 DRAM 需求帶來鎖量與較高價格能見度。
- 3. 公司持續擴充 5A 新廠，第一階段規劃 2028 年達每月 3 萬片、最終 4.5 萬片，並導入先進製程、DDR5 與客製化 AI／WoW 產品，有助把短期缺貨獲利延伸至下一階段。
- 4. 受惠高度集中於 DDR4／LPDDR4 報價，且目前消費性應用仍占營收逾 60%；若合約價漲幅收斂、AI 資本支出放緩，或 2028 年新產能大量開出，ASP 與高毛利可能同步回落。
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台股 2344華邦電受惠高
- 1. 華邦電記憶體本業 2026 年第 2 季營收約 517 億元、毛利率 70.3%，產能利用率達 100%；三大原廠轉向 HBM 與 DDR5，推升其利基 DRAM 報價與獲利。
- 2. 華邦電為全球 NOR Flash 市占約 23% 的領導者，且新一代 AI 伺服器機櫃估需 500～600 顆 NOR；加上 SLC NAND 供給收縮，Flash 報價與出貨具雙重成長動能。
- 3. 高雄 DRAM 廠月產能規劃由 1.5 萬片提升至年底 2.4 萬片，客戶已洽談 2029～2030 年長約；擴產與 LTA 有助承接成熟製程缺口並提高營收能見度。
- 4. 2027 年企業級 SSD 用 DRAM Cache 預估可占 DRAM 營收約 10%，CUBE 客製化記憶體亦預計 2027 年量產；但 PC 需求疲弱，後續仍須確認 AI 新產品實際出貨。
