這一類是資本支出循環的需求源頭與產能瓶頸，涵蓋台積電先進製程、CoWoS，記憶體廠 HBM／高階 DRAM 擴產，以及封測與測試外溢。台積電上修 CapEx 至 600～640 億美元，代表 AI 客戶訂單能見度仍高；美光、SK 海力士受惠 HBM 供不應求與記憶體漲價；日月光、京元電承接 先進封裝與高功耗測試。benefit_level 主要看產能是否被預訂、是否掌握瓶頸、漲價能力與封測稼動率，需追蹤 CoWoS 缺口、HBM 供需與 CSP 資本支出指引。
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台股 2330台積電受惠最高
- 1. 台積電 2026 年資本支出上修至 600～640 億美元，約 7～8 成投向先進製程與 CoWoS，直接把 AI 訂單轉成新產能與設備、廠務需求。
- 2. Q2 營收 402 億美元、年增 33.7%，HPC 營收占比升到 66%，7 奈米以下先進製程占晶圓營收 77%，顯示 AI 算力需求仍在加速放量。
- 3. 2 奈米已開始貢獻營收且 Q2 占比 3%，公司預告下半年 2 奈米爬坡更快，配合 A14 與美國再投資 1,000 億美元，產能擴張期拉長到 2028 年後。
- 4. CoWoS 仍是 AI 晶片瓶頸，台積電同步擴充先進封裝與測試產能，代表上游材料、設備與後段封測外溢訂單能見度高、議價力也更強。
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美股 MU美光科技受惠高
- 1. HBM3E、HBM4 產能幾乎售罄，AI 伺服器帶動資料中心 DRAM 與 eSSD 需求暴增，2026 財年營收與毛利率同步創高，直接吃到記憶體漲價循環。
- 2. 2026 財年資本支出上看 270 億美元、2027 年更升至 400 億美元以上，重點投向 HBM、1γ DRAM、新加坡封裝與美國新廠，擴產動作明確。
- 3. 已簽下 16 份 SCA 長約，保底約 1,000 億美元營收，客戶預付款與 take-or-pay 機制讓未來 5 年訂單能見度大幅提高，從循環股轉向準基建資產。
- 4. HBM4 12-high 已量產出貨、HBM4E 預計 2027 年放量，搭配 1γ DRAM 與 G9 NAND 升級，技術領先支撐 ASP 與市占持續上修。
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韓股 000660SK 海力士受惠高
- 1. HBM3E、HBM4 產能已售罄，2026 年需求持續超供給，SK 海力士將 2026 年資本支出拉高到 40 兆韓元以上，直接擴充 M15X 與龍仁聚落 HBM 產能。
- 2. Q2 2026 營收 79.3 兆韓元、營業利益率 76% 創新高，HBM、伺服器 DRAM 與 eSSD 帶動 ASP 大漲，AI 記憶體已從循環股轉成高定價權供應商。
- 3. 已與約 10 家主要客戶簽下多年期供貨協議，通常含採購承諾與押金，HBM4 也在 Q2 開始出貨，下半年放量可延續到 2027 年需求。
- 4. HBM4E 樣品已送樣，並同步推進 P&T7 先進封裝與龍仁新廠，從 DRAM 到封裝一條龍卡位 AI 基建瓶頸，能見度明確優於一般記憶體廠。
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台股 3711日月光投控受惠高
- 1. 日月光投控是全球最大 OSAT，2026 年 LEAP 先進封測營收目標上看 35 億美元以上，AI GPU、ASIC 與 HBM 封裝外溢直接轉成訂單與產能利用率提升。
- 2. 公司 2026 年資本支出再上修到約 105 億美元，明確投入 LEAP、晶圓測試與新廠房，13 個 Greenfield、8 個 Brownfield 同步推進，訂單能見度已看到 2028～2029 年。
- 3. 先進封裝與高階測試占比持續拉高，ATM 業務貢獻 91% 營業利益，2Q26 合併營收年增 27%、淨利年增 180%，毛利率已升到 21%，顯示 AI 封裝的獲利彈性正在放大。
- 4. 台積電 CoWoS 產能吃緊與部分後段外包持續外溢，日月光憑規模、全自動化產線與跨客戶純 OSAT 角色，能承接高功耗 AI 晶片測試與封裝，具明顯瓶頸卡位優勢。
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台股 2449京元電子受惠高
- 1. 京元電主攻晶圓測試、FT 與 Burn-in，AI GPU、ASIC 功耗越高、測試時間越長，2026 年 AI 相關營收占比已拉升到 70% 以上，直接吃到資本支出外溢。
- 2. 2026 年資本支出上修至 500 億元，年增逾三成，重點投入頭份、楊梅與新加坡新產能，年產能可擴 30%～50%，訂單能見度延伸到 2027 年。
- 3. 全球前 50 大半導體公司有近半數採用京元電測試服務，NVIDIA、Broadcom、AMD 等 AI 客戶黏著度高，自製 Burn-in 爐與高功率測試設備形成門檻。
- 4. 1Q26 營收 101.92 億元、年增 39.3%，毛利率升至 39.7% 創高；高階測試單價與稼動率同步提升，資本支出轉成獲利的速度明顯加快。
