曝光機概念股

此類涵蓋曝光機整機供應商，是整條價值鏈的源頭。ASML 是全球唯一量產 EUV、並主導高階浸潤式 DUV，受惠台積電 N2、Intel 18A、三星與記憶體廠 HBM／DRAM EUV 導入，具最高定價權與訂單能見度。Nikon、Canon 仍在 KrF、i-line、ArF 或先進封裝曝光有需求，但缺乏 EUV 能力，受惠程度較低。觀察重點是 EUV 出貨量、High-NA 導入節奏、DUV 漲價 與中國出口管制。
  • 美股 ASML
    艾司摩爾
    受惠最高
    1. 1. 全球唯一可量產 EUV 曝光機，直接卡位台積電 N2、Intel 18A、三星先進製程；EUV 產能 2027 年前幾乎全數訂光，定價權與訂單能見度最強。
    2. 2. 2026 年 Q2 營收 93 億歐元、年增逾 20%，全年營收指引上修至 430～450 億歐元；AI 推升先進邏輯與 HBM 擴產，EUV 與售後服務同步放大。
    3. 3. Low-NA EUV 產能 2026 年約 65 台，2027 年再增 30%，DUV 浸潤式也同步擴產；產能擴張加上漲價空間，直接反映在毛利率與獲利成長。
    4. 4. Intel 已導入 High-NA EUV 量產，台積電也採購驗證中；High-NA 單機售價高達 4 億美元，A14／2nm 後續導入將再抬升 ASP 與長期成長動能。
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  • 日股 7731
    Nikon 尼康
    受惠中
    1. 1. Nikon 雖無 EUV，但在 KrF／ArF 乾式與 ArF immersion 仍有裝機基礎，可吃到成熟製程、車用與記憶體擴產的 DUV 需求回補。
    2. 2. 先進封裝是 Nikon 新成長點，DSP-100 鎖定 CoWoS／面板級封裝，不需 EUV 級解析度，能切入 AI 封裝擴產帶來的新市場。
    3. 3. 公司正押注下一代 ArF immersion 與次世代 DUV，目標 2028 年前後推出更高解析度機種，爭取 N2 非關鍵層第二供應商機會。
    4. 4. 既有曝光機裝機基礎與售後服務收入可提供較高可見度，成熟製程機台汰舊換新與維護需求穩定，支撐精密設備營收回升。
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  • 日股 7751
    Canon 佳能
    受惠中
    1. 1. Canon 仍握有 DUV、KrF 與 i-line 曝光機業務，主攻成熟製程、功率元件與先進封裝；2025 年相關設備銷量估 247 台、年增 32%，直接吃到景氣回溫。
    2. 2. Canon 在 2.5D／3D 先進封裝與 PLP、WLP 的 i-line 曝光需求持續增加，AI 晶片封裝擴產不需要 EUV 解析度，反而讓其利基設備更容易放量。
    3. 3. Nanoimprint Lithography 是 Canon 的長線選擇，已於 2023 年商用化，鎖定 10 nm 級圖案化與 2 奈米後段應用；若客戶驗證擴大，將成為新成長曲線。
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曝光精度提升後，良率瓶頸往缺陷檢測、CD／overlay 量測與光罩全檢移動。KLA 在製程控制市占居領先地位，受惠 2 奈米 GAA、HBM 與先進封裝對 良率管理 的要求；Lasertec 是 EUV actinic 光罩檢測關鍵供應商，題材純度高。華洋精機則是台廠少數切入 EUV／DUV 光罩微粒檢測 的本土設備商，受惠國產化與先進製程驗證。需追蹤先進節點資本支出、檢測設備滲透率與客戶認證進度。
  • 美股 KLAC
    科磊
    受惠高
    1. 1. KLA 量測與製程控制營收占比逾 9 成，直接吃到 EUV 光罩、晶圓缺陷與 overlay 檢測升級；2 奈米／GAA 良率門檻越高，檢測需求越剛性。
    2. 2. 2026 Q3 營收 34.16 億美元、年增 11%，先進封裝營收預估由 6.35 億美元上調至約 10 億美元，CoWoS、SoIC 與 Hybrid Bonding 需求明顯放大。
    3. 3. KLA 在製程控制市占約 55%～58%，近年市占再提升 360 bps；EUV 層數增加與全檢化趨勢下，客戶更難替換，定價與服務收入能見度高。
    4. 4. KLA 已把 2025～2030 年營收 CAGR 目標上調至 13%～17%，顯示 AI／HBM 擴產與 2027 年新建廠需求，會持續推升檢測設備與後續服務。
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  • 日股 6920
    Lasertec
    受惠高
    1. 1. Lasertec 掌握 EUV 光罩與空白光罩 actinic 檢測近乎壟斷地位，台積電、三星、Intel 每次投片前都要先過檢，直接綁定 2 奈米與 High-NA 擴產需求。
    2. 2. High-NA EUV 進入 2 奈米以下節點後，光罩缺陷容忍度趨近於零，A200HiT 已切入商用驗證，後續量產放大將同步拉升訂單與高毛利服務收入。
    3. 3. 2026 財年雖處於訂單消化期，但 ASML 規劃 2027 年 EUV 產能再增 30%，且近年出貨幾乎被訂光，先進製程拉貨回升將先反映在 Lasertec 受注。
    4. 4. 營收仍高度集中在 EUV 檢測，FY2025 營收 2,515 億日圓、營益率 48.8%，顯示技術壁壘與定價力極強；一旦先進節點擴產，獲利槓桿回彈速度快。
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  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠中
    1. 1. AMAT 雖非 EUV 曝光機主機廠，但在 ALD、CVD、PVD、蝕刻與 CMP 覆蓋先進製程關鍵步驟，2 奈米 GAA 與 A14 微縮會同步拉升設備需求。
    2. 2. AI / HPC 帶動台積電、三星、Intel 與記憶體廠擴產，AMAT 2026 年半導體設備業務成長指引上看 30% 以上，先進邏輯、DRAM 與先進封裝訂單同步放大。
    3. 3. AMAT 近年強化先進封裝布局，並透過 EPIC Center 與台積電、SK 海力士、美光合作，CoWoS、Hybrid Bonding 與 3D 堆疊需求可持續墊高營收能見度。
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  • 台股 6983
    華洋精機
    受惠中
    1. 1. 華洋精機是台灣唯一可同時檢測 EUV／DUV 光罩微粒的設備商，已切入晶圓代工龍頭先進製程與 14 吋 CoWoS 產線，直接吃到 2 奈米與先進封裝全檢需求。
    2. 2. 自有 SFO 表面光學去背景技術可在取像端直接排除背景干擾，精準抓出 0.2 微米微粒與平面缺陷，技術門檻高，毛利率 2025 年已升至 65.57%。
    3. 3. 2025 年營收 3.12 億元、年增 24%，2024 年再年增 41%；高階機種出貨放量下，訂單能見度已延伸到海外擴廠與日本市場，成長軌跡持續向上。
    4. 4. 除光罩檢測外，還布局清潔設備、AVI／AOM 量測與德國合作的高倍率量測設備，預計 2026 年底至 2027 年初貢獻，題材由檢測延伸到量測與服務收入。
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此類是曝光機擴產外溢到台灣設備鏈的主要入口，包含 EUV 次系統模組、精密加工零件、電子束檢測零組件 與廠務工程。帆宣因承接 ASML 相關模組與晶圓廠工程，直接性與能見度較高；公準、宏碩系統受惠於微影與檢測設備零件拉貨，但規模與客戶集中度需折價；千附、洋基偏周邊或建廠外溢。關鍵指標是 ASML 產能擴充、台灣拉貨占比、毛利率與在手訂單。
  • 台股 6196
    帆宣
    受惠高
    1. 1. 帆宣是 ASML EUV 次系統模組代工與亞洲重要供應商，直接卡位曝光機核心環節；ASML 2026 年 Low-NA EUV 目標至少出貨 60 台，模組拉貨具持續性。
    2. 2. 台積電 2026 年資本支出上調至 520～560 億美元，2 奈米與海外新廠同步擴產，帆宣在手訂單已破 1,000 億元，廠務與設備代工能見度延伸到 2027～2028 年。
    3. 3. 帆宣同時吃到 ASML、應用材料與台積電的建廠、設備代工與自動化供應系統需求，2026 Q1 毛利率升至 13.6%、EPS 5.08 元，顯示高毛利 OEM 驗收與美國案場轉盈。
    4. 4. AI 與先進封裝帶動 CoWoS、CoPoS 與 FOPLP 擴產，帆宣已切入 Bonder／Debonder 與關鍵模組代工，讓曝光機外溢需求不只反映在工程單，也逐步轉成高附加價值設備收入。
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  • 台股 3178
    公準
    受惠中
    1. 1. 公準主力承接微影設備零組件與電子束檢測零件，直接切入 ASML 與美系設備商供應鏈，EUV／DUV 產能擴張與維修替換需求都會帶動拉貨。
    2. 2. 台積電 2026 年資本支出上修至 520～560 億美元，2 奈米與海外新廠持續擴產，公準作為設備協力廠，訂單能見度可跟著放大。
    3. 3. 2 奈米與先進封裝導入後，曝光與檢測精度要求更高，公準的高精密加工零件規格同步升級，有助切入更高單價產品並改善毛利率。
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  • 台股 6895
    宏碩系統
    受惠中
    1. 1. 宏碩系統已切入 ASML 電子束檢測設備與微影周邊檢測鏈，直接受惠 EUV／DUV 擴產、缺陷控制升級與先進製程良率要求提高。
    2. 2. 公司以高門檻真空微波管、晶圓加熱器等零組件切入半導體供應鏈，部分產品壽命可達原廠 2 倍以上，維修替換與耗材出貨具持續性。
    3. 3. 訂單能見度已看到 3 年，下半年展望優於上半年；在 ASML 供應鏈在地化與新增產線投資下，相關模組與檢測設備拉貨可望延續。
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  • 台股 6829
    千附精密
    受惠低
    1. 1. 主力做 CVD／PVD 真空腔體與精密零組件，直接吃到曝光機、薄膜沉積與周邊擴產需求；已切入 ASML／美系設備鏈，但屬次系統外圍，受惠偏間接。
    2. 2. 半導體相關營收約 65%～70%，2026 年半導體加工件有望成長 2～3 成；嘉義新廠預計 2026 年 Q2 完工，將擴充高階零組件產能。
    3. 3. 2026 年 Q2 營收 5.66 億元、年增 44.67%，上半年營收 11.71 億元、年增 43.08%，顯示設備鏈拉貨已反映在接單與出貨。
    4. 4. 除了半導體外還有國防／航太雙軌，2026～2028 年有長單陸續交貨，可分散單一設備景氣波動；但在曝光機概念中屬低 beta 受惠股。
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  • 台股 6691
    洋基工程
    受惠低
    1. 1. 承攬 ASML 林口廠區統包工程約 98 億元，直接吃到曝光機供應鏈在台建廠需求，無塵室與機電工程可先行認列。
    2. 2. 台積電 2026 年資本支出上看 520～560 億美元，2 奈米與海外擴產帶動台灣、美國新廠建置，洋基在手訂單逾 530 億元。
    3. 3. 半導體設備交期長，機台需等廠務與無塵室完工才進場；洋基受惠的是前置建廠與統包外溢，不是曝光機本體。
    4. 4. 2025 年營收 223.5 億元、年增 47%，EPS 24.76 元創高，顯示半導體與 AI 擴廠需求已實際反映在工程接單與認列。
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EUV 製程對光罩潔淨、抗震、氣體控制與微粒防護要求極高，光罩盒、reticle pod、FOUP 與高純度過濾產品成為曝光機周邊不可或缺的耗材與載具。家登長期與台積電共同開發 EUV POD，在先進製程客戶認證與切換成本上具優勢，受惠 EUV 層數增加與 High-NA 規格升級；Entegris 則以全球污染控制與載具產品受惠多家晶圓廠擴產。需觀察 ASP 升級、海外滲透率 與競爭者替代風險。
  • 台股 3680
    家登
    受惠高
    1. 1. 家登 EUV POD 全球市占逾 7 成、光罩傳送盒逾 8 成，直接卡位台積電 2 奈米與 EUV 層數增加，需求隨先進製程放量而同步成長。
    2. 2. 2026 年前 4 月 EUV POD 營收已達 2025 全年 52%，海外出貨更達 98%，顯示美日韓客戶滲透加速，訂單能見度已延伸到 2027 年。
    3. 3. High-NA EUV POD 已通過 ASML 認證，先進製程每往更小節點走，光罩污染與防護門檻越高，家登因客戶共同開發多年而有高切換成本。
    4. 4. FOUP 與先進封裝載具同步放量，前 6 月營收 41.8 億元、年增 22%，加上大中華 FOUP 回溫與韓國訂單下半年出貨，帶動營運續強。
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  • 美股 ENTG
    Entegris Inc
    受惠中
    1. 1. Entegris 的 FOUP、reticle pod 與高純度過濾產品直接卡位 EUV / High-NA 的潔淨與污染控制環節，台積電、三星、Intel 擴產都會同步拉升耗材出貨與單位內容價值。
    2. 2. 2026 年 Q1 營收年增 5%，其中 APS 事業群的液體過濾與 FOUP 需求創高，台灣區營收年增 18%，反映先進製程客戶認證與在地化滲透持續加深。
    3. 3. 公司約 25% 營收與 CapEx 相關，隨台積電 2026 年資本支出上看 520～560 億美元，建廠、WFE 與後續驗證需求可望在下半年到 2027 年持續放大。
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曝光機裝機與稼動率提升，會同步拉動 EUV／ArF 光阻、BARC、EBR、Rinse、顯影與清洗材料 用量。TOK、信越化學掌握高階光阻與微影化學品寡占地位，受惠最直接；新應材已切入台積電先進製程周邊材料，具在地化與 N2 放量題材；崇越以代理與材料整合受惠，但定價權較低；永光偏成熟與分散材料。觀察重點是客戶驗證、量產出貨、日系供應鏈瓶頸與在地化採購。
  • 台股 4749
    新應材
    受惠高
    1. 1. 台積電 N2 已進入量產放量期，新應材的 Rinse、BARC、EBR、Cleaner 已打入 2 奈米供應鏈，Rinse 用量較 N3 再增約 40%～50%，直接放大單片材料收入。
    2. 2. 公司半導體材料營收占比已達 87%～90%，高雄一期 2026 年滿載、高雄二期預計 2027 年 Q1 量產，可承接台積電未來 11 座 N2 新廠與海外擴產的連續拉貨。
    3. 3. 新應材切入 KrF、ArF DUV 光阻市場，鎖定日系寡占的 20～30 億美元市場，龍潭 35 億元新廠 2028 年完工後，將補強在地化供應與第二成長曲線。
    4. 4. 先進封裝材料已完成部分驗證，Protection Layer、Plasma Dicing Glue 可對應 SoIC、CoWoS 薄化與切割需求，搭上 AI/HPC 先進封裝擴張，長線成長性高。
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  • 日股 4186
    東京應化
    受惠高
    1. 1. TOK 是 EUV、ArF、KrF 光阻與高純化學品龍頭，曝光機稼動率提高會直接拉動前段光阻與顯影、Rinse 等耗材用量，營收連動最直接。
    2. 2. 2025 年營收 2,370 億日圓、年增 17.9%，營業利益 473 億日圓、年增 43.2%，EUV 光阻年增 50%，已明顯受惠台積電 N2 與 AI 擴產。
    3. 3. 公司持續擴建茨城、郡山與韓國平澤產能，2026 年資本投資升至 358 億日圓，並啟動下一代 EUV 材料開發，卡位 High-NA 需求。
    4. 4. 與 Irresistible Materials 合作開發 MTR 平台，補強低分子 EUV 光阻布局；HBM、GPU 與先進封裝帶動 WHS 材料成長，2025 年約增 40%。
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  • 日股 4063
    信越化學
    受惠高
    1. 1. 信越化學是 EUV／ArF 光阻與相關材料核心供應商之一，EUV 光阻市場高度寡占，台積電 N2、3 奈米與記憶體擴產會直接拉動出貨與 ASP。
    2. 2. 公司在群馬伊勢崎新建約 830 億日圓半導體露光材料基地，2026 年完工，明顯是為了回應 AI 與先進製程材料需求放大。
    3. 3. EUV 光阻、PGMEA 等高純溶劑切換認證期長、替代成本高，信越在日系三大供應鏈中具量產穩定與客戶黏著優勢。
    4. 4. 台積電 2026 年資本支出上看 520～560 億美元，N2 與先進封裝同步擴產，微影材料用量增加，信越可直接受惠於高階產品組合提升。
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  • 台股 5434
    崇越
    受惠中
    1. 1. 崇越代理信越化學等日系高階光阻與微影材料，營收約 4 成來自光阻鏈；台積電 2 奈米、3 奈米擴產，直接推升 EUV／ArF 材料拉貨。
    2. 2. 半導體材料營收占比已達 86.7%，供應光阻、矽晶圓、石英與光罩基板，已從通路升級為材料整合平台，客戶黏著度與訂單可見度高。
    3. 3. EUV 光罩基板月需求已由約 50 片倍增到 100 片，石英布也因 AI 伺服器高速板材需求滿載，顯示先進製程與 AI 材料雙引擎同步放量。
    4. 4. 海外建廠與在地化採購加速，崇越同時承接材料代理與工程案，在手工程訂單逾百億元，可同步吃到台積電台、美、日擴產紅利。
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  • 台股 1711
    永光
    受惠低
    1. 1. 電子化學事業首季營收年增 44%，已成第二大成長引擎；光阻、顯影液、清洗液與代工業務直接受惠曝光機拉動的 Rinse、EBR、BARC 與濕製程耗材需求。
    2. 2. 光阻新產線已近完工，主攻先進封裝用光阻與 PSPI 送樣；若後續通過 2 奈米與 CoWoS 驗證，可切入台積電在地化採購鏈，帶動出貨逐季放大。
    3. 3. 已打入 12 吋晶圓廠供應體系，並布局光阻、清洗與特化品線；台積電擴產會同步放大材料消耗，但永光偏成熟製程與分散材料，受惠強度低於新應材、TOK。
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晶圓代工與記憶體廠是曝光機的採購端，受惠邏輯不是賣設備，而是透過取得 EUV／DUV 產能來承接 AI、HPC、HBM 與先進手機晶片 訂單。台積電以 N3、N2、A14 與全球擴廠最具指標性；Intel 最積極導入 High-NA；三星、SK 海力士、美光則因 HBM4、1b／1c DRAM 增加 EUV 層數而拉高設備需求。不過曝光機價格昂貴且折舊壓力大，benefit_level 需看 良率、產能利用率與成本轉嫁能力。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠中
    1. 1. 台積電 2026 年資本支出上修至 520～560 億美元，N3、N2、A14 持續擴產，EUV 與 DUV 採購量同步放大，直接拉高曝光機需求。
    2. 2. N2 已進入量產、A14 也已排定 2027 年風險試產，先進製程節點越往前推，EUV 層數與機台更新需求越高，台積電是 ASML 最大客戶之一。
    3. 3. 台積電 2 奈米與 3 奈米承接 AI／HPC 與 HBM 訂單，先進製程產能利用率高，曝光機雖帶來折舊壓力，但可換取高良率與長線接單能力。
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  • 美股 INTC
    英特爾
    受惠中
    1. 1. Intel 是首波導入 High-NA EUV 的晶圓廠，18A／14A 製程需靠 ASML 新世代曝光機，2026 年 18A 量產進入收割期，設備採購與驗證需求直接放大。
    2. 2. 英特爾已在奧勒岡與亞利桑那擴建先進製程產線，且首台 High-NA EUV 已驗收進入 HVM，後續 14A 仍需更多曝光機與製程控制設備支撐。
    3. 3. 2026 年 Intel Foundry 資本支出約 160 億美元、工具採購年增約 25% 以上，EUV／DUV 及量測檢測拉貨同步增加，拉高曝光機相關設備需求。
    4. 4. 英特爾作為先進製程追趕者，High-NA 可縮減多重曝光、改善良率與疊對，對 2 奈米以下節點具示範效應，讓 ASML 與周邊供應鏈能見度更高。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠中
    1. 1. 三星 1c DRAM 與 HBM4 擴產直接拉高 EUV／DUV 採購量，P5 廠與平澤擴線帶動曝光層數增加，2026 年記憶體相關投資明顯升溫。
    2. 2. 三星 2026 年記憶體部門營收年增 292%，AI 記憶體回溫推動 HBM4、1b／1c 製程升級，曝光機用量與機台更新需求同步放大。
    3. 3. 三星已導入多台 High-NA／Low-NA EUV，並加速先進製程驗證，雖因代工獲利與折舊壓力採保守節奏，但設備採購能見度仍高。
    4. 4. 三星在 DRAM 約 35%、NAND 約 30% 市占，先進製程每提升一代都需要更多曝光與良率控管，對 ASML 供應鏈的拉貨具指標性。
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    彙整國內外數十份產業報告，濃縮 5~7 點受惠關鍵

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  • 韓股 000660
    SK 海力士
    受惠中
    1. 1. HBM4／HBM4E 與 1c、1b DRAM 擴產導入更多 EUV 層數，2026 年向 ASML 採購約 11.95 兆韓元設備、估超過 30 台，直接拉高曝光機需求。
    2. 2. SK 海力士是 AI HBM 主要供應商，HBM4 12 層堆疊已啟動量產出貨，預計 2026 年 9 月起放量，帶動 2027 年前的先進記憶體投片與設備採購續強。
    3. 3. 2026 年首度導入 ASML High-NA EUV 於 M16 廠量產前布局，NA 從 0.33 提升到 0.55，可縮小線寬、提升密度與良率，強化下一代 DRAM 競爭力。
    4. 4. AI 伺服器需求推升 HBM 供需持續吃緊，SK 海力士龍仁 Y1 與清州 M15X 等新廠進機節奏明確，曝光機採購雖屬高資本支出，但可換取高毛利記憶體成長。
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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠中
    1. 1. 美光 HBM4／HBM4E 與 1γ DRAM 首次大量導入 EUV，先進記憶體層數增加直接推升曝光機採購量與設備稼動率。
    2. 2. 2026 年資本支出上調至逾 250 億美元，投向 Idaho、台灣銅鑼與新加坡新廠，擴廠與進機同步拉動 EUV／DUV 需求。
    3. 3. AI 伺服器帶動 HBM 需求滿載，美光已與 ASML 簽多年供應合約；產能吃緊下，曝光機交期與產能配置成為擴產關鍵。
    4. 4. 1γ DRAM 導入 EUV 後位元密度提升逾 30%，功耗下降約 20%、速度提升約 15%，代表每一代製程升級都會增加設備含量。
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