化學氣相沉積概念股

此類是 CVD/ALD 最直接的耗材端,涵蓋矽乙烷、矽甲烷、8N 等級有機金屬前驅物、氟系特氣與混配氣。台特化矽乙烷用於先進邏輯 CVD,且 2 奈米 GAA 用量較 3 奈米放大,是題材純度最高標的之一;宇川精材切入 ALD/CVD 前驅物,受惠原子級薄膜需求;晶呈科技則以 C4F6、F2/N2 等特氣受惠先進製程滲透。觀察重點是純度規格、客戶驗證、產能擴充、台積電投片量與單一大客戶風險。
  • 台股 4772
    台特化
    受惠最高
    1. 1. 矽乙烷是台積電 2 奈米 GAA/CVD 關鍵沉積氣體,台特化已切入先進邏輯供應鏈,N2 用量較 N3 估增 50%~100%,直接推升出貨。
    2. 2. 2025 年營收年增 127.87%,矽乙烷產能已達 30 噸且規劃再擴約 40%,稼動率滿載,先進製程放量下營運成長可見度高。
    3. 3. AHF 已導入記憶體與邏輯客戶並持續放量,首支 ALD 有機矽基前驅物也進入認證,產品線從單一特氣延伸到更高門檻材料。
    4. 4. 併購弘潔科技後形成材料+服務雙引擎,結合超潔淨清洗與表面加工,搭上台積電在地化採購與先進廠擴建,客戶黏著度更強。
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  • 台股 7887
    宇川精材
    受惠最高
    1. 1. 主攻 8N 等級 ALD/CVD 有機金屬前驅物,直接對應 2 奈米 GAA、HBM 與先進封裝原子級沉積需求,已切入台積電供應鏈。
    2. 2. 2025 年前 11 月營收 1.21 億元,約 66% 來自先進製程用料,年內已超越前 2 年總和,顯示量產放量開始反映在營收。
    3. 3. 南科新廠規劃投資約 30 億元,產能可望較現有一廠放大 6~10 倍,能承接 2026 年起 N2 產能爬坡與 ALD 用量增加。
    4. 4. 台灣唯一本土 ALD 前驅物供應商,具合成、純化、檢測與鋼瓶清洗一條龍能力,就近供貨替代成本高,客戶黏著度強。
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  • 台股 4768
    晶呈科技
    受惠高
    1. 1. 特殊氣體營收占比約 90%,主力 C4F6、F2/N2 直接供應蝕刻與清洗製程;先進製程導入 GAA、EUV 後,用量隨投片放大。
    2. 2. 頭份三廠導入 C4F6 一級合成,規劃 2026 年第 2 季投產、年產能 250 噸,量產後可把特殊氣體出貨彈性與毛利一起拉升。
    3. 3. 去光阻液 Stripper 已打入台灣與新加坡客戶,年產能 288 噸,並與 14 家客戶合作,產品線從特氣延伸到高毛利濕製程材料。
    4. 4. TGV 玻璃載板與 AI / CPO 先進封裝同步布局,2026~2029 年規劃擴至 120 條產線,可分散單一特氣波動並打開第二成長曲線。
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  • 美股 LIN
    林德集團
    受惠中
    1. 1. 全球電子級特氣龍頭,直接供應 CVD/ALD 所需的 SiH4、NH3、WF6、F2/N2 混氣與高純度供氣系統,晶圓廠擴產就會同步拉貨。
    2. 2. 已拿下美國亞利桑那新廠 10 億美元長約,並由聯華林德在台投資約 8 億美元擴建供氣基地,直接吃到台積電海外與台灣擴產。
    3. 3. Pyeongtaek 供應已連 45 年合作,2026 年電子業營收年增 10%,專案 backlog 約 71 億美元,顯示先進製程需求正轉成實際接單。
    4. 4. 工業氣體屬長約、在地供應、高切換成本生意,導入後可鎖住 10 年以上現金流,先進節點越複雜,Linde 的定價力越強。
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  • 台股 3010
    華立
    受惠中
    1. 1. 代理 JSR 光阻、研磨液與特用化學品,已切入台積電 2 奈米與先進封裝供應鏈;光阻與高純材料認證週期長,導入後替換成本高、續單黏著度強。
    2. 2. 已建氖氣提純廠並併購錦德補齊混配氣能力,從通路商升級為「純化+混配+銷售」一條龍,直接卡位 CVD/ALD 與特用氣體在地化需求。
    3. 3. 半導體與 PCB 材料成為成長主軸,2026 年 Q1 營收 218.43 億元、年增 17.4% 創高;半導體業務占比前五個月升至約 35%,產品組合明顯轉佳。
    4. 4. 除材料外,華立也供應高階載板乾膜、ABF 相關材料與先進封裝材料,受惠 CoWoS、AI 伺服器與台積電在地採購比重提升,營收與毛利率都有結構性改善空間。
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此類涵蓋 PECVD、LPCVD、CVD、ALD、混合沉積平台與設備模組,是 CVD 資本支出最直接的受惠層。應用材料產品線橫跨 CVD/ALD/PVD,ASM International 在 ALD 與 GAA 閘極堆疊具高度關聯,科林研發與東京威力科創受惠 3D NAND、HBM 與高深寬比沉積需求;京鼎則連動美系設備大廠拉貨,天虹卡位台灣沉積設備在地化。追蹤重點是WFE 支出、2 奈米設備進機、記憶體資本支出與出口管制。
  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠最高
    1. 1. AMAT 產品線橫跨 PVD、CVD、ALD、PECVD 與 CMP,2 奈米 GAA、HBM 與 3D NAND 讓每片晶圓沉積步驟增加,直接墊高單機內容價值。
    2. 2. 2026 財年半導體設備業務成長指引上修至逾 30%,AI、DRAM/HBM 與先進封裝占 WFE 成長逾 80%,Q1 半導體系統營收已創高。
    3. 3. Trillium ALD、Precision Selective Nitride PECVD 與 NEXX 先進封裝平台已進入放量期,卡位台積電、三星、美光與 SK 海力士擴產需求。
    4. 4. Applied Global Services 服務收入續創高,裝機後的備品、維修與升級形成長尾現金流,能直接吃到已安裝機台基數擴大的循環。
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  • NL ASMI
    ASM International
    受惠最高
    1. 1. ASM 在 ALD 市占逾 55%,2 奈米 GAA 與 1.4 奈米導入讓原子級沉積步驟大增,直接推升單機價值與出貨量,先進邏輯是最大成長引擎。
    2. 2. 2026 Q2 營收 10.03 億歐元,年增 15%;下半年營收預期較上半年再增逾 20%,主因 2 奈米與 1.4 奈米訂單續強,顯示接單已進入放量期。
    3. 3. 台積電、三星與 Intel 的 GAA 擴產都提高 ALD / Epi 用量,ASM 先進邏輯營收占比高,且訂單能見度延伸到 2027~2028 年,題材純度極高。
    4. 4. 收購 Axus 後補強 CMP 能力,與既有沉積與界面工程互補,讓 ASM 不只吃設備銷售,也能擴大先進封裝、3D 整合與服務收入。
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  • 美股 LRCX
    科林研發
    受惠高
    1. 1. 科林研發主攻蝕刻與 CVD/ALD 設備,直接受惠 2 奈米 GAA、3D NAND 與 HBM 堆疊帶來的沉積步驟增加,2026 年 WFE 展望已上修至約 1,400 億美元。
    2. 2. 記憶體是科林研發的強項,NAND 200 層以上升級與 HBM4 量產推動設備投資回溫,2026 年 Q3 營收年增 24%,先進封裝業務也看增逾 50%。
    3. 3. 在 3D NAND 高深寬比蝕刻與鎢 CVD 具壟斷級優勢,裝機後的備品、升級與維修服務收入持續創高,讓營收不只吃新機循環,也能拉高現金流韌性。
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  • 日股 8035
    東京威力科創
    受惠高
    1. 1. 沉積設備市佔約 31%,其中 CVD 約 40%、ALD 約 16%,直接吃到台積電 N2、A16 與 3D NAND/HBM 導致的沉積步驟增加,單機內容價值同步墊高。
    2. 2. Coater/Developer 全球市佔逾 90%,EUV 幾乎離不開 TEL;先進微影、熱處理與清洗機台可跟著 2 奈米量產與擴產節奏放量,訂單能見度延伸到 2027 年。
    3. 3. 2026 財年營收 2.44 兆日圓創高,全年營收年增 36.8%,FY2027 續看 4.09 兆日圓;AI 與先進製程需求已從題材轉為實際認列,成長動能明確。
    4. 4. FY2026 新機銷售中 DRAM 佔 31%,HBM 與 3D NAND 投資回升,帶動沉積、蝕刻與先進封裝設備同步增長;中國營收占比已降至 27%,組合更健康。
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  • 台股 3413
    京鼎
    受惠高
    1. 1. 京鼎約 8~9 成營收來自應材 AMAT 代工與系統整合,CVD、ALD、Etch 模組直接吃到 2 奈米 GAA、HBM 與先進封裝拉貨。
    2. 2. 2025 年營收 208.42 億元、年增 26.7%,成長幅度約為 WFE 市場 2.2 倍,且 CVD 占 24%、ALD 占 6%,沉積升級已反映在出貨。
    3. 3. 訂單能見度已達 6~9 個月、部分看到 2027 年,泰國羅勇廠與春武里廠逐步量產,可承接海外客戶分散供應鏈與在地化需求。
    4. 4. AMAT 2026 年半導體設備業務成長上修至逾 30%,京鼎同步受惠先進製程、記憶體與先進封裝擴產,還能吃到檢測與維修服務成長。
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  • 台股 6937
    天虹
    受惠中
    1. 1. 主力機台涵蓋 PVD、ALD、PECVD 與 Bonder/Debonder,直接對應 2 奈米 GAA 奈米片與先進封裝的薄膜沉積、減薄需求,製程升級越快越受惠。
    2. 2. 先進封裝設備已占營收約 4 成,下半年 ALD 出貨比重明顯提高,310×310 mm PLP 平台已累計 5 台訂單,能見度看到 2027 年首季,營運動能強。
    3. 3. PLP PVD 已交機高雄封測客戶,且導入 510×510 mm PLP ALD、UV ALD 與機械式 Debond,卡位 CoPoS/CPO 等新平台,技術門檻與國產替代優勢同步放大。
    4. 4. 2026 年上半年營收 13.01 億元、年增 33.6%,EPS 2.54 元創同期次高;6 月營收年增 64.17%,顯示 AI 與先進封裝案量已開始反映在接單與交機。
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CVD/ALD 量產不只需要主設備與氣體,也需要化學品供應系統、氣體管線、廠務整合、薄膜分析與失效分析。帆宣、矽科宏晟隨台積電台灣、美國、日本擴廠承接高風險化學品輸送與廠務工程,訂單能見度較高;宜特、閎康、汎銓則在新材料導入前後提供鍍膜實驗、材料分析與可靠度驗證。受惠程度取決於海外建廠認列、先進製程認證資格、工程遞延風險與分析平台稼動率。
  • 台股 6196
    帆宣
    受惠高
    1. 1. 半導體營收約 80% ,主攻晶圓廠自動化供應系統、化學 / 氣體管線與廠務整合,直接承接 CVD / ALD 量產所需的高風險化學品輸送與基礎設施。
    2. 2. 在手訂單已突破 1,000 億元,能見度直達 2027~2028 年;台積電台灣、美國、日本擴廠持續認列,海外廠放量將帶動營收與獲利延續成長。
    3. 3. 除廠務工程外,帆宣也切入 ASML EUV 次系統模組代工、CoWoS / CoPoS 鍵合機模組與先進封裝供應鏈,題材從前段建廠延伸到後段擴產。
    4. 4. 2026 年第一季 EPS 5.08 元、毛利率改善,反映 OEM 客製化與美國專案虧損收斂;高階專案陸續進入認列期,營運彈性優於一般工程股。
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  • 台股 6725
    矽科宏晟
    受惠高
    1. 1. 主力做半導體化學品供應系統(CDS)與廠務整合,直接承接 CVD/ALD 所需高風險化學品輸送、混配與管線,屬量產必備基礎設施。
    2. 2. 已打入台積電 5 奈米、3 奈米與先進封裝供應鏈,並可望延伸至 2 奈米與海外新廠;2026 年 Q1 營收 9.38 億元、年增 33%,訂單能見度高。
    3. 3. 美國亞利桑那新廠 2026 年 7 月正式啟用,後續將建無塵室與在地組裝,搭上台積電、美光海外擴產潮,北美專案可望放大營收與維運收入。
    4. 4. 全台先進製程化學品管線動輒數十公里,對純度、壓力與安全要求極高;公司具超過 3,000 套系統實績,驗證門檻高,替換成本與客戶黏著度都很強。
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  • 台股 3289
    宜特
    受惠中
    1. 1. 已啟動次 2 奈米世代 ALD 新材料驗證平台,串接選材、鍍膜測試、薄膜分析到製程驗證,直接吃到 GAA 量產前後的送樣與認證需求。
    2. 2. 台積電 N2 量產後,ALD/CVD 前驅物與 Rinse、BARC、EBR 等微影周邊材料規格升級,驗證案量與高毛利委案可同步放大。
    3. 3. AI ASIC、矽光子與 CPO 驗證成為 2026 年三大成長引擎,封裝測試廠產能外溢帶動研發樣品與失效分析案件增加,提高稼動率。
    4. 4. 2025 年營收 48.43 億元創高,2026 年 6 月營收重返 4 億元大關,顯示前期 ALD 與新材料平台投入已開始轉成接單動能。
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  • 台股 3587
    閎康
    受惠中
    1. 1. 閎康以 MA/FA/RA 切入 CVD/ALD 新材料導入前後的失效與材料驗證,2 奈米 GAA 量產後薄膜層數、介面與污染控制更嚴格,委案需求持續升溫。
    2. 2. 公司在台灣、日本、美國與中國布局 16 座實驗室,可就近服務台積電海外新廠與先進製程客戶;日本與美國成長動能強,海外營收占比持續墊高。
    3. 3. 閎康握有 <2nm 實戰檢測經驗,能協助客戶縮短材料認證與良率爬坡時間;2026 年 Q1 營收 14.24 億元、年增 15%,毛利率升至 30.9%。
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  • 台股 6830
    汎銓
    受惠中
    1. 1. 汎銓以材料分析 MA、故障分析 FA 切入 CVD/ALD 新材料導入前後驗證,直接承接 2 奈米 GAA 與先進封裝的送樣、失效排查需求。
    2. 2. 台積電 N2/A16 放量後,薄膜層數、介面控制與污染門檻更嚴,汎銓具 2 奈米以下分析能力,單案複雜度與客單價同步提升。
    3. 3. 矽光子與 CPO 檢測成為第二成長引擎,汎銓在光進光出核心檢測市佔超過 90%,AI 晶片與光損除錯需求放大帶動稼動率回升。
    4. 4. 海外據點持續擴張,2026 年海外營收占比目標拉升至 38%~40%,可就近服務台灣、美國、日本客戶,分散單一市場與產能利用率風險。
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晶圓廠是 CVD/ALD 設備與材料的最終需求拉動者。台積電 2 奈米 GAA、高雄與寶山量產、海外新廠與 CoWoS 擴產,直接推升沉積步驟與高純度材料用量;三星 GAA、英特爾 18A、以及美光 HBM/DRAM 擴產,也會增加沉積設備與前驅物採購。不過下游廠商本身主要受惠 AI 晶片、先進製程與記憶體景氣,CVD 對其同時代表資本支出、折舊與良率挑戰,因此 benefit_level 通常低於上游材料與中游設備商。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠高
    1. 1. N2 已於 2025 年底量產、2026 年持續放量,GAA 立體結構讓每片晶圓沉積步驟明顯增加,直接推升 CVD/ALD 材料與設備用量。
    2. 2. 2026 年資本支出維持 520~560 億美元高檔,約 70%~80% 投向先進製程與先進封裝,沉積機台、高純度氣體與前驅物採購同步放大。
    3. 3. 台積電在 N2、A16 與 CoWoS 擴產下,晶圓與封裝良率控管更依賴薄膜均勻性與包覆性,CVD 需求從單純耗材升級為量產核心瓶頸。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠中
    1. 1. N2 已於 2025 Q4 量產,2 nm GAA/Nanosheet 讓每片晶圓沉積步驟大增,單片材料用量估較 14nm 高約 3 倍,直接拉升 CVD/ALD 採購。
    2. 2. Pyeongtaek 與泰勒廠同步擴產,2026 年總投資估逾 110 兆韓圜,先進製程與海外新廠會持續推升 PECVD、LPCVD 與前驅物需求。
    3. 3. 1Q26 DS 事業營收年增 225%,HBM4、1c DRAM 與 2 奈米量產齊進,記憶體與邏輯擴產把沉積設備與高純度氣體需求同步放大。
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  • 美股 INTC
    英特爾
    受惠中
    1. 1. 18A/14A 導入 RibbonFET 與 PowerVia,2 奈米以下立體結構讓 ALD、PECVD、CVD 步驟明顯增加,晶圓內沉積內容量直接墊高。
    2. 2. 亞利桑那 Fab 52 與愛爾蘭 Fab 34 持續擴產,2026 年設備採購年增約 25% 以上,沉積機台與前驅物拉貨同步受惠。
    3. 3. 英特爾今年積極追加設備訂單,較去年成長 5 成以上,且與 ASML、AMAT、LAM、JSR 等簽長約,先進製程需求可直接傳導到上游 CVD 供應鏈。
    4. 4. AI 推論與 Agentic AI 讓 CPU 回到資料中心核心,英特爾若提升 18A 良率並放大代工稼動率,將持續推升自家先進製程投片與沉積耗材用量。
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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠中
    1. 1. HBM4 與 1γ DRAM 量產帶動 2026 年資本支出上修至 250 億美元以上,沉積、ALD 與 CVD 設備採購同步放大,直接拉高先進晶圓製造需求。
    2. 2. HBM4 堆疊與 TSV 製程需經過數百道薄膜沉積,介電層、阻障層與金屬層都增加 CVD/PECVD 用量,美光是記憶體端最直接的拉貨買方。
    3. 3. Boise、台灣銅鑼與日本新廠陸續進機,2026 下半年到 2027 年設備交付加速,先進製程與先進封裝擴產將持續推升材料與沉積耗材採購。
    4. 4. HBM 與先進 DRAM 供給在 2026 年仍偏緊,產能利用率高檔下推動新節點導入;美光作為 AI 記憶體核心供應商,沉積步驟增加會持續反映在出貨。
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  • 台股 2303
    聯電
    受惠低
    1. 1. 聯電 22/28 奈米與 40nm 以下製程營收已逾 5 成,稼動率回升到 79% 後,投片增加會直接帶動成熟製程 CVD 薄膜沉積與耗材用量。
    2. 2. 2026 年 5 月營收 229.44 億元創 43 個月新高,下半年營運優於上半年,晶圓出貨回升將同步推升沉積、清洗與特氣採購。
    3. 3. 22nm 平台營收占比已達 14%,年底前可望有逾 50 家客戶完成 tape-out,製程複雜度提升會增加單片晶圓的沉積步驟與材料消耗。
    4. 4. 與 Intel 合作的 12 奈米平台預計 2027 年量產,新加坡新廠擴充 22/28 奈米產能,後續仍會拉動薄膜沉積相關設備與材料需求。
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