SK 海力士加速 375 層 NAND 量產 導入鉬材料挑戰 400 層以上堆疊技術
375 層 NAND 完成驗證 SK 海力士啟動量產轉換
隨著 AI、資料中心及高效能運算需求持續成長，NAND Flash 技術競賽正快速邁向 400 層以上新世代產品。據業界消息指出，SK 海力士已完成 375 層 3D NAND 產品驗證作業，目前正準備導入量產階段。
此次並非新建產能，而是透過韓國清州 M15 廠既有產線升級轉換，將原本生產 176 層、238 層及 321 層 NAND 的設備，逐步改造為 375 層產品生產線，以提升單位晶圓的位元產出（Bit Productivity）及獲利能力。
市場人士指出，375 層產品原先被規劃為「400 層級 NAND」，但由於超高層數堆疊的量產難度遠高於預期，因此最終調整為 375 層版本，後續仍規劃朝 480 層及 604 層產品推進。
高層數 NAND 關鍵突破 鉬材料取代部分鎢金屬
此次 375 層 NAND 最大的技術變革，在於導入鉬（Molybdenum, Mo）材料。
3D NAND 透過垂直堆疊數百層記憶體單元（Cell）與控制電極（Word Line）來提升儲存容量，但隨著層數增加，導線尺寸持續縮小，傳統鎢（Tungsten, W）材料的電阻問題逐漸浮現。
SK 海力士決定在 375 層產品中，將部分金屬閘極電極（Word Line）材料由鎢改為鉬，以解決高層數堆疊所面臨的訊號傳輸瓶頸。
業界分析指出，鉬的優勢在於電阻較低，可提升訊號傳輸速度、改善資料讀寫效率，且有利於高密度堆疊設計，同時可減少額外阻隔層（Barrier Layer）需求、提高記憶體儲存密度。
然而，鉬製程難度也顯著提高。由於鉬前驅物在常溫下呈固態，必須透過高溫加熱與精準控制供應速率，才能穩定完成沉積製程。
三星電子搶先布局 400 層 NAND 商業化倒數
事實上，三星電子早已率先導入鉬材料。三星自 2024 年量產的第九代 286 層 3D NAND 開始，便將鉬應用於金屬配線製程。市場傳出，三星正在開發的第十代 3D NAND 產品已突破 400 層門檻，預計最快將於今年下半年開始商業化。
隨著 NAND 堆疊層數持續增加，鉬材料在製程中的使用比例也將進一步提高。
設備選型有別三星 SK 海力士採 TEL 爐管方案
在鉬沉積設備選擇上，SK 海力士與三星採取不同策略。三星目前主要使用科林研發（Lam Research）的單片式（Single Wafer）設備進行鉬沉積；SK 海力士則在評估 科林研發與東京威力科創（Tokyo Electron）後，最終選擇 TEL 的爐管式（Furnace）設備方案。
業界認為，東京威力科創的設備一次可處理約 100 片晶圓，設備成本較低，而且廠房空間利用率更佳，鉬材料的消耗量較少，因此更符合高產能量產需求。
鉬材料需求爆發 供應鏈商機浮現
供應鏈方面，市場傳出法國液空集團（Air Liquide）、英特格（Entegris）、德國默克集團（Merck）將成為 SK 海力士 375 層 NAND 的主要鉬材料供應商；韓國本土企業 SK Specialty 也有望加入供應鏈，不過由於缺乏自有儲存與供應系統，目前傳出可能透過液空集團提供材料服務。
市場預估，鉬材料需求將隨高層數 NAND 快速成長。根據業界估算，2025 年三星電子鉬材料需求量約 10 噸，2027 年將增加至 25 噸，2030 年約來到 80 噸。
至於 SK 海力士，自 2027 年起全面量產 375 層產品後，初期年需求量預估也將達約 4 噸。
AI 帶動高階 NAND 升級 SK 海力士聚焦獲利而非擴產
值得注意的是，目前 NAND 市場策略已與 DRAM 有所不同。業界人士指出，NAND 產業仍以提升獲利能力為首要目標，而非單純追求產能擴張。SK 海力士此次並未選擇興建新廠，而是透過既有產線升級至 375 層產品，提高單位晶圓產出效率與成本競爭力。
在 AI 伺服器、高效能運算（HPC）及資料中心需求推升下，高層數 NAND 已成為各大廠競逐焦點。隨著 375 層產品即將量產，以及 480 層、604 層技術藍圖陸續展開，全球 NAND 競爭也將正式進入「400 層以上時代」，而鉬材料供應鏈與相關設備廠商可望成為下一波受惠焦點。
