SK 海力士研發 400 層 NAND Flash，計劃明年底量產

為什麼重要

SK 海力士開發的 400 層 NAND Flash 將直接提升儲存產品的密度與效率，對於消費電子、資料中心及汽車產業的儲存需求有顯著影響。

背景故事

#技術競賽、#儲存密度、#混合鍵合

• SK 海力士一直在 NAND Flash 領域與三星電子等競爭對手進行技術競賽，不斷尋求創新以提高儲存密度和生產效率。

• NAND Flash 技術的發展趨勢是增加儲存單元的層數，以實現更高的儲存容量和更佳的成本效益。

• 混合鍵合技術的引入，特別是 W2W 技術，被視為解決提高 NAND 層數時面臨的技術挑戰的關鍵。

發生了什麼

#400 層 NAND、#W2W 技術、#PUC 結構

• SK 海力士開始研發 400 層 NAND Flash，計劃明年年底實現大規模生產，並預計於 2026 年上半年全面量產。

• 該公司計劃採用「混合鍵合」技術，具體是「晶圓到晶圓（W2W）」技術，以實現 400 層 NAND Flash 的生產。

• SK 海力士採用的「Peri-Under-Cell（PUC）」結構，將儲存單元堆疊在外圍電路之上，以提高儲存密度和生產效率。

接下來如何

#技術發展、#市場影響、#成本效益

• SK 海力士的 400 層 NAND Flash 生產計劃將推動 NAND Flash 技術向更高層次發展，可能對儲存市場產生重大影響。

• 混合鍵合技術的成功應用可能會促使其他 NAND 製造商採用類似技術，從而加速 NAND Flash 技術的整體進步。

• 隨著 400 層 NAND Flash 的量產，預計將進一步提升儲存裝置的效能和容量，同時可能降低單位儲存成本。

他們說什麼

SK 海力士表示，目前無法對 400 層 NAND Flash 的技術研發或量產時期的具體計劃進行評論，顯示公司對於技術細節和生產進度的保密性。

概念股

• NAND Flash

• 汽車

• 資料中心

參考資料

• 消息称SK海力士拟明年底量产400层NAND Flash