SK 海力士研發 400 層 NAND Flash，2026 年上半年量產
為什麼重要
SK 海力士開發的 400 層 NAND Flash 將顯著提升儲存密度和生產效率，對於資料中心、智慧手機製造商及其供應鏈將產生直接影響，提供更高效能的儲存解決方案。
採用混合鍵合技術，特別是「晶圓到晶圓（W2W）」技術，將使 SK 海力士在半導體市場保持領先，影響競爭格局，並可能推動整個行業技術進步。
背景故事
#NAND Flash 發展、#競爭對手、#混合鍵合技術
NAND Flash 技術的發展一直是提高儲存密度和降低成本的關鍵。隨著資料需求的增加，業界不斷推動技術進步以滿足市場需求。
SK 海力士與三星等競爭對手在 NAND Flash 技術上展開激烈競爭，尋求透過創新來獲得市場優勢。
發生了什麼
#400 層 NAND Flash、#晶圓到晶圓技術、#Peri-Under-Cell 結構
SK 海力士開始研發 400 層 NAND Flash，計劃於 2024 年底實現大規模生產，並預計在 2026 年上半年全面量產。
該公司採用「混合鍵合」技術，具體使用「晶圓到晶圓（W2W）」技術，以提高儲存密度和生產效率。
SK 海力士的技術創新包括「Peri-Under-Cell (PUC)」結構，將儲存單元堆疊在外圍電路之上，以克服堆疊過程中的高溫和高壓限制。
接下來如何
#效能提升、#行業推動、#競爭優勢
SK 海力士的 400 層 NAND Flash 技術一旦實現量產，將顯著提升儲存產品的效能和容量，滿足日益增長的資料儲存需求。
該技術的成功開發和應用可能推動整個半導體行業向更高層次的 NAND Flash 發展，促進儲存技術的進步。
混合鍵合技術的採用將為 SK 海力士在全球半導體市場中提供競爭優勢，加劇與其他主要競爭對手如三星電子的競爭。
他們說什麼
SK 海力士表示，由於技術研發和量產計劃的敏感性，公司無法對 400 層 NAND Flash 的具體計劃進行詳細評論。
業界分析師指出，SK 海力士採用的混合鍵合技術和「Peri-Under-Cell (PUC)」結構是對現有 NAND Flash 生產技術的重大創新，將對市場產生深遠影響。
