薄膜沉積概念股

此類公司直接供應晶圓廠 ALD、CVD、PVD、PECVD 與相關整合平台，是薄膜沉積題材中 受惠純度最高 的族群。應用材料產品線橫跨多數前段製程，ASM International 是 ALD 指標公司，科林研發在蝕刻與沉積結合、DRAM／NAND 高深寬比製程具優勢。投資重點看 WFE 上修幅度、2 奈米 GAA 進機、HBM 與先進封裝設備交付，以及中國出口管制對訂單與毛利率的影響。
  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠最高
    1. 1. 應用材料同時提供 ALD、CVD、PVD、PECVD、磊晶與 CMP 等材料工程設備；2 奈米 GAA、HBM 及先進封裝增加沉積與互連步驟，能以跨製程平台放大單片晶圓設備價值。
    2. 2. 2026 財年第三季營收創高至 91.2 億美元、年增 25%，DRAM 占半導體系統營收 26%；公司預期先進封裝營收全年成長逾 70%，直接受惠 AI 記憶體與封裝擴產。
    3. 3. 公司推出 Centris Spectral ALD、Producer Avila 2 PECVD 等新系統，並透過 EPIC 與台積電、美光及 SK 海力士合作；客戶提供滾動式 8 季預測，有利設備在新節點初期被導入並延續至量產。
    4. 4. Applied Global Services 擁有逾 37,000 個連網腔體，2026 年預期成長逾 20%，可由裝機基數取得較穩定的服務收入；但中國營收仍約占 28%，出口管制與國產替代是主要風險。
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  • NL ASM
    ASM International
    受惠最高
    1. 1. ASM International 掌握逾 55% 全球 ALD 市占；2 奈米 GAA 與下一代 1.4 奈米增加原子級薄膜層數，直接推升 ALD 設備內容價值與出貨需求。
    2. 2. 2026 年第二季營收達 10.03 億歐元，固定匯率年增 24%；公司預估第三季營收約 11 億歐元，反映先進邏輯客戶擴產已轉化為設備收入。
    3. 3. HBM 相關 DRAM 投資帶動記憶體業務成長，ASM 另獲新 DRAM 客戶採用 Epi 解決方案；公司估算 DRAM 未來兩個節點可增加 4 億至 4.5 億歐元可服務市場。
    4. 4. ALD 與 Epi 裝機基數擴大帶動 Spares & Services 固定匯率年增 34%，可在新機訂單之外提供高毛利、較具經常性的收入，降低設備週期波動。
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  • 美股 LRCX
    科林研發
    受惠高
    1. 1. 科林研發主攻蝕刻與 CVD／ALD 沉積設備，直接對應 2 奈米 GAA、HBM 與 3D NAND 的高深寬比及多層薄膜製程，晶圓複雜度提升將增加單片設備內容量。
    2. 2. AI 推升邏輯、DRAM 與 NAND 資本支出，科林研發已將 2026 年 WFE 展望上修至低 1,500 億美元區間；FY2026 營收達 232.3 億美元、年增 26%，顯示需求已轉為實際出貨。
    3. 3. NAND 由 200 層以下轉向 200 層以上的轉換支出提前至 2027 年底前完成，且 DRAM 1C 節點帶動介電層沉積 SAM 成長逾 20%；先進封裝營收 2026 年預估成長逾 70%，形成多重催化。
    4. 4. CSBG FY2026 營收達 24.7 億美元、連三季創高，可用備品、升級與服務收入降低設備週期波動；但中國營收占比已降至 26%，出口管制仍可能限制部分訂單與評價。
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  • 日股 8035
    東京威力科創
    受惠高
    1. 1. 東京威力科創依第三方資料估計，CVD 市占約 31%、整體沉積約 27%、ALD 約 15%；2 奈米 GAA、A16、3D NAND 與 HBM 增加薄膜步驟，直接推升設備出貨需求。
    2. 2. 截至 2026 年 3 月的 FY2026 營收達 2.44 兆日圓、純益 5,744 億日圓並創高；FY2027 上半年財測營收年增 33.1%，反映 AI 伺服器帶動先進製程設備交付加速。
    3. 3. FY2026 新機銷售中 DRAM 占 31%，公司並預期 FY2027 蝕刻營收近 30%、先進封裝逾 60% 成長；HBM、TSV 與晶圓接合擴產將擴大沉積及 3D 整合設備需求。
    4. 4. 公司擁有逾 9.6 萬台裝機基礎，FY2026 現場解決方案營收年增 16.3%，可透過零件、改機與維護放大沉積設備週期的 recurring revenue；但日本生產集中與出口管制仍是交付風險。
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台灣供應鏈受惠於國際設備商擴大外包、台積電先進製程與封裝建廠，以及設備在地服務需求。京鼎高度連動美系設備大廠，天虹具 PVD、ALD、PECVD 與先進封裝設備題材，瑞耘切入 CVD／PVD 關鍵零組件，帆宣則從廠務、自動化與設備協力擴散受惠。受惠強弱需看 客戶認證、交機放量、在手訂單轉營收，以及是否過度依賴單一大客戶。
  • 台股 3413
    京鼎
    受惠高
    1. 1. 京鼎 2024 年約 84.8% 營收來自應用材料，製造服務占 2Q26 營收 85%；產品涵蓋 CVD、PVD、ALD 模組，能直接承接薄膜沉積設備外包拉貨。
    2. 2. 2Q26 製造服務營收達 53.63 億元、年增 14.6%，整體營收 63 億元、年增 21.1%；GAA、HBM 與先進封裝提高沉積及檢測設備需求，已轉化為實際出貨。
    3. 3. 訂單能見度達 9 個月，部分產品看到 2028 年；泰國春武里廠一期於 2026 年 7 月逐步放量，並核准 2.34 億美元二期投資，提前承接設備在地化與 China+1 訂單。
    4. 4. 受惠高度集中於應用材料且泰國擴產仍在爬坡，京鼎 2Q26 毛利率降至 22.28%；後續需觀察新廠轉盈、產能利用率及訂單能否轉成更高毛利。
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  • 台股 6937
    天虹
    受惠高
    1. 1. 天虹主力設備涵蓋 PVD、ALD、PECVD，直接對應 GAA、先進封裝與高深寬比結構的薄膜需求；2026 年上半年營收年增 33.6%，下半年 ALD 出貨比重預期提升，設備營收彈性可望放大。
    2. 2. 天虹自主開發 310×310 mm PLP PVD 平台，已完成超過 1,000 片翹曲面板傳送測試並取得 5 台訂單；面板級封裝金屬化需求擴大，將帶動交機與營收認列。
    3. 3. 天虹於湖口設立先進製程實驗室，與台積電代表共同啟用，聚焦先進鍍膜設備、薄膜特性改善及前驅物驗證；此研發介面有助提高在地設備導入與後續認證機會。
    4. 4. 設備訂單能見度已延伸至 2027 年第一至第二季，且 UV ALD、第四代 ALD 與 Panel ALD 將於 2026 年底至 2027 年陸續開發或交機；但實際效益仍取決於客戶驗證、量產放量與訂單轉營收。
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  • 台股 6532
    瑞耘
    受惠中
    1. 1. 瑞耘供應 CVD／PVD／CMP 設備的腔體環、氣體分配盤與均氣盤等關鍵零組件；GAA、HBM 與先進封裝提高薄膜製程複雜度，帶動零件需求與更換服務。
    2. 2. 最大客戶為美系設備龍頭，該客戶 2026 年半導體設備業務成長預期逾 30%，若先進邏輯、DRAM 與封裝設備拉貨延續，瑞耘可透過代工與耗材訂單間接受惠，但客戶集中也放大波動。
    3. 3. 瑞耘 2026 年 7 月營收 8,798 萬元，年增 49.12%、創單月新高；新品逐步導入量產，馬來西亞廠預計完成稽核並進入認證，有望擴充產能並支撐後續出貨。
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  • 台股 6196
    帆宣
    受惠中
    1. 1. 半導體相關營收占比約 80%，自動化供應系統涵蓋氣體與化學系統；晶圓廠擴建會同步增加薄膜沉積所需的供應與廠務整合需求，形成間接受惠。
    2. 2. 在手訂單達 1,351 億元、能見度至少至 2028 年，並布局 CoWoS、CoPoS 等先進封裝設備；先進製程與封裝擴產可帶動設備安裝、代理及工程收入認列。
    3. 3. 2026 年第一季營收 143.09 億元、毛利率 13.57%、EPS 5.08 元；OEM 設備訂單驗收與高毛利產品比重提升，顯示公司可由國際設備商外包及在地服務擴大受惠。
    4. 4. 帆宣並非薄膜沉積主設備商，公開資料未證實其沉積設備專屬營收；實際受惠仍取決於客戶建廠進度、設備交機與海外工程毛利，且工程訂單集中使遞延風險上升。
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薄膜沉積不只需要機台，也需要高純度前驅物、特殊氣體與 PVD 靶材，材料純度、穩定性與雜質控制會直接影響膜厚、缺陷與良率。宇川、台特化卡位 ALD／CVD 前驅物與特氣，光洋科受惠先進製程靶材與貴金屬材料，崇越受惠先進製程與封裝材料出貨。此類公司受惠關鍵在 長認證週期與客戶黏著度，但需留意擴產時程、原料價格與新材料導入速度。
  • 台股 7887
    宇川精材
    受惠最高
    1. 1. 宇川精材主攻純度達 8N 的 ALD／CVD 有機金屬前驅物，直接用於 2 奈米 GAA、DRAM、HBM 與先進封裝；製程層數增加將推升單片晶圓材料用量。
    2. 2. 公司已通過國內重要晶圓代工廠驗證並量產出貨，2025 年前 11 個月營收達 1.21 億元、約 66% 來自先進製程用料，N2 放量可望轉化為持續耗材收入。
    3. 3. 因應客戶需求，宇川規劃投資約 30 億元興建南科二廠，完工後產能可達現有規模 6 至 10 倍；若 2 奈米與 A16 擴產如期，將解除供給瓶頸並放大營收彈性。
    4. 4. 公司具備材料合成、純化、0.01 ppb 超微量分析、分裝與鋼瓶清洗的一條龍能力，並設有 TAF 認證實驗室；高純度與長認證週期提高客戶黏著度，但二廠資本支出與量產爬坡是主要執行風險。
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  • 台股 4772
    台特化
    受惠高
    1. 1. 台特化主力矽乙烷用於 CVD 薄膜沉積，為台灣唯一量產業者；研究估算 N2 每片晶圓用量較 N3 增加 50%～100%，可放大先進製程材料營收。
    2. 2. 矽乙烷 2026 年第 2 季產能利用率已逾 90%，現有年產能約 30 噸，預計 2027 年第 2 季完成擴產、同年第 3 季提升至 40 噸，支應 N2 與 AI 晶片拉貨。
    3. 3. 公司首支 ALD 有機矽基前驅物已進入客戶驗證，預計最快 2027 年量產；若認證通過，將由 CVD 特氣延伸至 ALD 材料，提升薄膜沉積題材純度與產品單價。
    4. 4. 併購弘潔科技後，台特化可提供薄膜沉積與蝕刻設備的超潔淨清洗、鍍膜及再生服務；惟弘潔 2026 年第 2 季已占合併營收 64%，擴產前置成本可能短期稀釋毛利。
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  • 台股 1785
    光洋科
    受惠高
    1. 1. 電子半導體營收占比約 31%，年增 19%；PVD 靶材用於金屬互連、阻障層與種子層，2 奈米及先進封裝擴產將增加薄膜層數與材料用量。
    2. 2. 子公司創鉅聚焦先進製程與封裝靶材，2026 年第 1 季靶材營收占 87.67%、營收 14.06 億元季增 250%，可透過權益法分享靶材放量成果。
    3. 3. 光洋科具貴稀金屬回收精煉能力，每年回收逾 200 噸並可將金、銀、鉑、鈀、釕等提純至 99.9999%，有助穩定高純靶材原料、降低斷鏈與成本風險。
    4. 4. 公司需持有大量貴金屬庫存並以空單避險，金屬價格急漲可能造成業外損失；因此投資人應以 VAS 與半導體靶材出貨，而非貴金屬營收判斷受惠程度。
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  • 美股 ENTG
    Entegris Inc
    受惠高
    1. 1. Entegris 的 Materials Solutions 提供 CVD／ALD 沉積材料、特用氣體與蝕刻清洗化學品；GAA、HBM 與高層數 NAND 使每片晶圓材料用量增加，直接推升耗材營收。
    2. 2. 2026 年第 2 季 Materials Solutions 營收 3.713 億美元、年增 4.6%，成長來自先進沉積材料與鉬沉積需求；管理層預期下半年該部門可雙位數年增。
    3. 3. 公司在先進邏輯與記憶體節點取得多項 POR，約 60% 營收來自先進製造；2 奈米放量、NAND 由約 250 層轉向約 300 層，將擴大沉積材料與純化方案的客戶黏著度。
    4. 4. 約 25% 營收連動晶圓廠 CapEx，且其中三分之二與建廠相關；若新廠動工、設備進場或認證遞延，材料與過濾產品拉貨可能延後，投資人需留意營收波動。
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  • 台股 5434
    崇越
    受惠中
    1. 1. 半導體材料占崇越第 1 季營收 86.7%，產品涵蓋特殊氣體、石英等；先進製程薄膜沉積對高純度材料需求增加，可帶動相關出貨，但公司未揭露沉積材料營收占比，屬間接受惠。
    2. 2. 崇越先進製程石英製品市占率約 80%，訂單能見度至 2030 年，並於 2026 年 7 月取得朴子廠周邊土地；薄膜沉積等先進製程擴產，有利高階石英耗材需求延續。
    3. 3. AI／HPC 帶動先進邏輯與記憶體廠稼動率達 95%～100%，崇越 2026 年上半年營收 393.6 億元、年增 20.2%；若 2027～2029 年新產能如期開出，材料拉貨將放大薄膜沉積供應鏈需求。
    4. 4. 崇越多項材料調價約 10%～15%，但代理品通常採約定利潤結構，售價上升未必同步改善毛利；投資人應區分營收受惠與薄膜沉積題材的實際獲利彈性。
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  • 美股 LIN
    林德集團
    受惠中
    1. 1. 電子業務 2026 年第 2 季年增 18%，林德以 10 億美元擴建鳳凰城兩座 SPECTRA 空分設備，供應先進晶圓廠超高純度氮、氧、氬，直接帶動薄膜沉積用氣與長約收入。
    2. 2. 聯華林德規劃投資約 8 億美元，在台灣興建空分與氫氣設備，支援新晶圓廠及先進封裝；在地供氣可提高供應穩定與客戶黏著，受惠台灣擴產落地。
    3. 3. 林德銷氣專案 backlog 已達 81 億美元、總專案 backlog 111 億美元，長約與現場供氣模式使晶圓廠更換供應商成本高；但約 18 億美元投資集中同一客戶，且商轉時程未披露，需留意遞延風險。
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  • FR AI
    Air Liquide
    受惠中
    1. 1. 台中先進材料廠已落成，生產 ALD 等沉積與蝕刻材料，能就近供應台灣先進製程；但目前仍在小批量驗證，尚未正式放量，效益取決於認證與訂單進度。
    2. 2. 2026 年上半年電子業投資決策達 10 億歐元，投資 backlog 創 60 億歐元，且管理層指 AI 需求為主要動能；新廠投產將轉化為長約供氣與材料收入。
    3. 3. Air Liquide 與 SK hynix 簽訂近 2 億歐元長約，預計 2027 年底啟用超高純氮氣設施，支援 HBM 先進封裝；但大型資本支出與客戶擴產遞延仍是回收風險。
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當薄膜層數增加、材料更複雜，晶圓廠必須提高膜厚量測、缺陷檢查、材料分析與廠房基礎設施規格，因此量測檢測與廠務工程同步受惠。科磊與 Onto 受惠 良率控制密度提升，宜特、閎康承接 ALD 新材料與先進封裝分析驗證，漢唐、亞翔受惠晶圓廠潔淨室與氣化系統建置。此類受惠較間接，重點看 檢測強度、委外比例、工程認列節奏 與客戶 CapEx 延續性。
  • 美股 KLAC
    科磊
    受惠高
    1. 1. GAA、HBM 與多層薄膜讓膜厚、介面及缺陷控制更嚴格；科磊製程控制市占約 58%，可透過量測檢測密度提升帶動設備需求。
    2. 2. 先進封裝的薄膜、TSV 與混合鍵合流程增加檢測站點；科磊預估 2026 年先進封裝製程控制營收約 11 億美元、年增逾 70%。
    3. 3. 科磊 2026 會計年度營收達 135.8 億美元、年增 12%，截至 6 月底未交貨訂單約 125 億美元，反映薄膜複雜化帶來的製程控制需求已轉為訂單能見度。
    4. 4. 服務營收占比約 23%，FY2026 年增 16%；先進製程與薄膜材料越複雜，客戶越需持續維護、校準與良率支援，提升經常性收入韌性。
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  • 美股 ONTO
    Onto Innovation Inc.
    受惠中
    1. 1. Onto Innovation 不直接銷售沉積設備，但 Atlas G6、Iris films 與整合式量測可服務 GAA、DRAM 等先進節點；2026 年第 2 季先進節點營收約 1.2 億美元、季增 50%，薄膜結構複雜化將提高量測密度。
    2. 2. ALD 新材料與高深寬比結構增加膜厚、介面及缺陷控制難度，Onto 以光學量測、缺陷檢測與軟體分析協助良率管理；Atlas G6 已獲第二家邏輯客戶採用於 GAA 量測，具間接受惠的製程驗證價值。
    3. 3. Dragonfly G5 已取得 2.5D 邏輯與 HBM 客戶資格，2026 年第 2 季檢測業務季增 30%，公司並將全年先進封裝成長展望上調至約 80%；HBM 與先進封裝薄膜、凸塊層數增加，將推升缺陷檢查需求。
    4. 4. 2026 年第 2 季在手訂單超過 11 億美元，其中約 30% 至 40% 涵蓋 2027 年，提供量測設備需求能見度；但公司對薄膜沉積的受惠仍屬間接，實際營收取決於晶圓廠 CapEx、客戶驗證與委外檢測比例。
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  • 台股 3289
    宜特
    受惠中
    1. 1. 宜特已啟動次 2 奈米 ALD 新材料選材與驗證平台，串接材料選擇、鍍膜測試、薄膜分析及製程驗證；GAA 結構複雜化可提高高附加價值委外需求。
    2. 2. 2 奈米與先進封裝量產提高膜厚、介面與可靠度驗證強度，宜特 2026 年第 2 季毛利率回升至 26.13%，高毛利驗證分析占比提升，有利改善業務組合。
    3. 3. 2025 年營收達 48.43 億元、年增 11.44%，公司並規劃擴充驗證產能；但 ALD 尚未單獨揭露營收，且案件須客戶最終驗收後才能認列，受惠仍屬間接。
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  • 台股 3587
    閎康
    受惠中
    1. 1. 閎康提供 MA、FA、RA 一條龍分析，2 奈米 GAA 導入後膜厚、介面與缺陷控制更複雜，晶圓廠對第三方驗證委外需求增加，帶動高階案件量與單價。
    2. 2. 2026 年上半年營收 30.68 億元、年增 17.47%，毛利率 32.47%；AI 與先進製程推動檢測需求，顯示薄膜沉積複雜化已轉化為實際營收成長。
    3. 3. 日本三座實驗室目前滿載，公司規劃大東京第四座實驗室於 2027 年第一季營運；日本先進製程與晶圓廠擴產，可提高海外分析產能及中期接單能見度。
    4. 4. 受惠是間接且依賴檢測委外比例，閎康並非薄膜沉積設備商；投資人仍須觀察 ALD 新材料驗證、2 奈米量產及日本新產能的實際營收貢獻。
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  • 台股 2404
    漢唐
    受惠中
    1. 1. 漢唐主要承作無塵室、機電、管路與製程供應系統；薄膜層數及材料複雜化提高潔淨度、氣化與供電規格，帶動晶圓廠建置與工程需求，屬間接受惠。
    2. 2. 截至 2026 年 5 月底在手訂單達新台幣 1,939 億元，2026 年 1 至 5 月新接單 674 億元；AI、先進製程與封裝擴產使廠務工程訂單能見度延伸約 2 至 2.5 年。
    3. 3. 美國營收占比於 2026 年第一季升至 56%，Fab 21 P2 工程進度已逾五成，後續 P3 及台灣新廠仍有潛在案件；跨區建廠能力有助承接薄膜沉積設備進場前後的廠務需求。
    4. 4. 受惠並非沉積設備銷售，且 2025 年前兩大客戶占營收 91.8%；工程認列受排程影響，台灣缺工、海外通膨與客戶議價可能壓縮毛利，需觀察 CapEx 延續性與認列節奏。
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  • 台股 6139
    亞翔
    受惠中
    1. 1. 亞翔提供無塵室、機電、純水、特殊氣體、製程排氣與管線等 EPC 服務；薄膜層數與材料複雜化會提高廠務規格，帶動建廠工程需求。
    2. 2. 截至 2026 年 6 月底未完工合約達 4,400.73 億元，2026 年上半年新簽 3,037.37 億元，其中半導體占 98%、東協占 91%，直接受惠海外晶圓與先進封裝擴產。
    3. 3. 2026 年上半年營收 459.57 億元、年增 69.9%，半導體工程占營收 82%；新加坡工程進入認列高峰，惟工程進度、海外缺工與客戶 CapEx 延遲仍可能影響認列節奏。
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晶圓代工與記憶體廠是薄膜沉積需求的發動者，2 奈米 GAA、HBM、NAND 高層數化與先進封裝擴產，會把資本支出傳導到沉積設備、材料與量測供應鏈。台積電 N2／N3 與 CoWoS 擴產最具指標性，美光的 HBM 與 DRAM 投資拉高 ALD、CVD、PVD 需求，英特爾 18A／PowerVia 也增加立體結構沉積步驟。但對晶圓廠本身而言，設備採購同時代表 折舊與資本負擔，benefit_level 不宜高估。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠中
    1. 1. 台積電 N2 已進入量產，且 2026 年 N2 營收占晶圓營收 3%；GAA 立體結構增加 ALD、CVD、PVD 步驟，使其成為薄膜設備與材料需求的主要發動者。
    2. 2. 台積電維持全球晶圓代工約 73% 市占，2026 年資本支出上調至 600 億至 640 億美元，其中 70% 至 80% 投向先進製程，將擴大沉積設備採購與供應鏈拉貨能見度。
    3. 3. 台積電在台灣規劃 13 座先進製程與封裝廠，並加碼投資亞利桑那州 1,000 億美元；N3、N2 與先進封裝擴產可持續推升薄膜製程設備需求，但實際效益取決於建廠與進機進度。
    4. 4. 此題材對台積電屬擴散受惠而非直接營收來源；N2 快速放量預計稀釋 2026 年下半年毛利率 3 至 4 個百分點，海外廠初期亦有折舊與毛利壓力，需觀察稼動率與投資報酬。
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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠中
    1. 1. 美光 HBM4 與 1γ DRAM 持續量產，HBM 相較一般 DRAM 消耗更多晶圓並增加 TSV、ALD、CVD、PVD 步驟，將擴大沉積設備與材料採購需求。
    2. 2. 美光將 FY2026 資本支出指引上修至超過 250 億美元，並推進愛達荷、紐約、台灣與新加坡擴產；新廠進機會把 HBM、DRAM 製程沉積需求延續至 2027 年。
    3. 3. 美光是薄膜沉積需求的發動者而非設備供應商，擴產可提升 HBM 與高階 DRAM 供應及議價能力，但高資本支出也會增加折舊與產能過剩風險，受惠程度不宜等同設備股。
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  • 美股 INTC
    英特爾
    受惠低
    1. 1. Intel 18A 已進入高量產，採用 RibbonFET 與 PowerVia，增加 ALD、PECVD 及選擇性沉積步驟；製程升級會拉動自家設備採購，但不等同沉積業務收入。
    2. 2. 2026 年 CapEx 已上調至超過 200 億美元，設備支出較 2025 年增約 40%，主投 Intel 3、18A 與 18A-P，將擴散帶動沉積機台與材料需求；但折舊壓力同步升高。
    3. 3. Q2 2026 Intel Foundry 營收 58 億美元、年增 31%，但外部客戶收入僅 2.93 億美元，並錄得約 21 億美元營業損失；沉積題材受惠仍取決於良率改善與外部代工放量。
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台積電創史上最高上漲金額紀錄；確定延後導入艾司摩爾（ASML）高數值孔徑 EUV

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