薄膜沉積概念股

此群直接供應 CVD、PVD、ALD、PECVD、外延與批次熱處理設備，是薄膜沉積需求最純的受惠環節。應用材料與 ASM International 分別在完整材料工程平台及 ALD 原子級沉積具領先地位，屬受惠最高；科林研發、東京威力科創及國際電氣則在記憶體沉積、批次 ALD、CVD 與整合製程占有關鍵位置，屬受惠高。GAA、3D NAND 層數提升、HBM 與先進封裝將增加每片晶圓的沉積內容量；應追蹤 WFE 市場成長、DRAM／NAND 資本支出、量產認證與出口管制，以及設備交期能否轉化為營收。
  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠最高
    1. 1. 應用材料布局 PVD、CVD、ALD、PECVD、磊晶與整合製程，能直接供應 GAA、HBM、3D NAND 及先進封裝；結構複雜度提升將增加每片晶圓沉積內容量與設備價值。
    2. 2. AI 帶動先進邏輯、DRAM／HBM 與先進封裝，三者預計占 2026、2027 年 WFE 成長約 80%；應材在三大領域具領先地位，半導體設備業務 2026 年預期成長逾 30%。
    3. 3. 公司推出 Centris Spectral SiN ALD、Producer Avila 2 PECVD 與 Centura Prime Epi，分別對應 3D 結構、高層數 HBM 與高效能 DRAM；Q3 FY2026 營收創高達 91.2 億美元，年增 25%。
    4. 4. 應材擁有超過 37,000 個連網腔體，AGS 2026 年預期成長逾 20%，可從裝機基礎持續取得服務、備件與升級收入；但中國出口管制、潔淨室供應與客戶資本支出時程仍會造成訂單波動。
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  • NL ASM
    ASM International
    受惠最高
    1. 1. ASM 掌握全球單片 ALD 超過 55% 市占；2 奈米 GAA 及 1.4 奈米節點增加高 k、偶極層與金屬閘極沉積，直接提高每片晶圓的設備內容價值。
    2. 2. 公司 2025 年營收達 32 億歐元、年增 12%，2026 年第 2 季營收 10.03 億歐元；第 3 季指引 11 億歐元，反映先進邏輯訂單已轉化為出貨。
    3. 3. AI 帶動 HBM 相關 DRAM 投資，ASM 已取得 DRAM 的 ALD 與 Epi 新訂單；2028 年 6F² 轉 4F² 將增加 3D 通道及 ALD／Epi 層數，擴大記憶體市場機會。
    4. 4. ALD 與 Epi 裝機擴大帶動 Spares & Services 2026 年第 2 季固定匯率年增 34%，提高經常性收入；但 2025 年中國仍占營收逾 30%，出口管制仍是訂單風險。
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  • 美股 LRCX
    科林研發
    受惠高
    1. 1. 科林研發核心產品涵蓋 CVD、ALD 沉積與蝕刻；GAA、背面供電及 3D 結構提高每片晶圓製程強度，擴大其可服務市場與設備出貨機會。
    2. 2. 公司擁有業界最大的 NAND 裝機基礎，並具完整沉積與蝕刻產品組合；NAND 朝 200 層以上、DRAM／HBM 升級，將同時帶動新機與既有設備升級。
    3. 3. Striker ALD 已取得多個 HBM 與先進邏輯 TSV liner 導入，且 2026 年先進封裝營收預期成長約 70%；3D 堆疊與封裝金屬化有望成為新增動能。
    4. 4. 2026 年第 1 季營收達 82.2 億美元、年增 54%，客戶支援事業營收約 24.9 億美元；但零組件短缺可能使部分出貨遞延，且記憶體週期與出口管制仍需追蹤。
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  • 日股 8035
    東京威力科創
    受惠高
    1. 1. 東京威力科創直接供應 CVD、ALD、批次沉積與熱處理設備，公開資料估計整體沉積市占約 30%～35%、CVD 近 40%；GAA、HBM 與高層數 NAND 增加薄膜步驟，直接推升機台內容量。
    2. 2. AI 伺服器帶動先進邏輯與記憶體投資，TEL 2026 年 3 月期營收達 2.44 兆日圓；公司預估 2027 年 3 月期上半年營收 1.62 兆日圓，記憶體與先進邏輯出貨將在下半年加速。
    3. 3. TEL 的沉積、蝕刻、清洗與先進封裝設備可跨製程整合，並擁有逾 10 萬台裝機基礎；FY2026 現場解決方案營收年增 16.3%，可由零件、改機與維護放大沉積設備的長尾收入。
    4. 4. 公司預期 2026～2027 年 WFE 市場每年達 1,500 億至 1,700 億美元、年增逾 20%，但中國營收比重已降至約 27%，且改採半年財測；出口管制、客戶投資變動與供應鏈短缺仍可能造成交付波動。
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  • 日股 6525
    國際電氣
    受惠高
    1. 1. 國際電氣在批次 ALD 相容設備市占達 80%，並在批次沉積市場占 49%；3D NAND、DRAM 與 GAA 結構越複雜，越需要高均勻性薄膜，直接推升設備採用。
    2. 2. 公司 2027 年 3 月期預估營收年增 19%、調整後營業利益年增 27%；其中 DRAM 相關銷售估增 36%、Logic／Foundry 增 38%，AI 帶動先進製程投資成為主要成長來源。
    3. 3. 公司已取得 3D NAND 200 至 300 層世代批次 ALD 與單片處理設備的 POR，相關世代預計占 NAND 設備銷售逾 80%；GAA 設備營收預估由 150 億日圓增至 200 億日圓。
    4. 4. FY2026 年底訂單積壓達 1,650 億日圓，且非中國客戶 FY2027 設備銷售預估年增 39%，有助抵銷中國設備銷售下滑；但中國仍占營收約 34%，出口管制與客戶集中度需持續追蹤。
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台廠主要切入國際設備商的模組、腔體零件與系統整合，或發展 PVD、ALD、PECVD 等自有設備，受惠於設備大廠外包、晶圓廠在地化採購及先進封裝擴產。京鼎供應沉積設備模組且高度連動應用材料拉貨，天虹自製沉積與先進封裝設備，兩者為受惠高；瑞耘供應 ESC、Shower Head 等高潔淨關鍵零組件，屬受惠中等。判斷重點不僅是題材，還包括 量產驗證、在手訂單轉營收、海外產能爬坡；其中京鼎的單一大客戶集中度，以及自製機台業者取得重複訂單的能力，是評價分化關鍵。
  • 台股 3413
    京鼎
    受惠高
    1. 1. 京鼎製造服務占 2026 年第 2 季營收 85%，產品涵蓋 CVD、ALD、PVD 等沉積設備模組；先進製程與 HBM 擴產可直接轉化為代工拉貨。
    2. 2. AI、先進記憶體與先進封裝需求推升沉積設備訂單，京鼎 2026 年第 2 季營收 63 億元，年增 21.1%，製造服務年增 14.6%，題材已落實至營收。
    3. 3. 公司訂單能見度達 9 個月，部分產品看到 2028 年；泰國春武里廠 2026 年 7 月開始放量，並斥資 2.34 億美元擴建二期，支應海外設備在地化需求。
    4. 4. 京鼎約 84.8% 營收來自應用材料，能高度受惠其沉積設備拉貨，但單一客戶集中與泰國廠初期成本使 2026 年第 2 季毛利率降至 22.3%，需觀察稼動率改善。
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  • 台股 6937
    天虹
    受惠高
    1. 1. 天虹自 2017 年投入自有設備，產品涵蓋 PVD、ALD、PECVD，且已通過多組客戶驗證並部署於先進製程產線，能直接承接薄膜沉積設備國產化需求。
    2. 2. 310×310 mm PLP 平台開發不到一年已取得第 5 台訂單，並可整合 PVD、Descum 及後續 ALD 腔體；先進封裝擴產將帶動平台設備交機與營收放量。
    3. 3. 2026 年第 2 季營收達 7.18 億元、毛利率 41.65%、EPS 1.58 元；8 月營收年增 123.3%，反映沉積與封裝設備訂單正逐步轉化為實際營收。
    4. 4. 公司持續開發 UV ALD、HyFA ALD 與 Panel ALD，部分設備預計於 2026 年第 4 季至 2027 年第 1 季完成製程或交機；但後續貢獻仍取決於客戶驗證、驗收與重複訂單。
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  • 台股 6532
    瑞耘
    受惠中
    1. 1. 瑞耘供應 CVD／PVD 設備的 Shower Head、Chamber Liner、腔體環與 ESC 等高潔淨零組件；沉積機台擴產及維修需求增加，可帶動耗材與零件出貨。
    2. 2. 2026 年前 9 月營收 6.08 億元、年增 19.45%，第三季營收約 2.45 億元、季增 12.5%；新品量產與馬來西亞廠第四季認證，有望承接美系設備客戶新增訂單。
    3. 3. 瑞耘最大客戶為美系半導體設備龍頭，且台灣產能目前滿載，受供應鏈去中化轉單及先進製程拉貨帶動；但公司未揭露薄膜沉積相關營收占比，題材受惠仍屬中度。
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前驅物與高純度特殊氣體的揮發性、熱穩定性、純度與雜質控制，直接決定 ALD／CVD 薄膜的均勻度、電性與良率，因此具高認證門檻及客戶黏著性。宇川精材聚焦高純度有機金屬前驅物，對應 2 奈米 GAA、HBM TSV 與先進封裝的原子級沉積需求，屬受惠最高；台特化既有矽乙烷出貨受先進製程擴產帶動，並延伸 ALD 前驅物認證，屬受惠高。需觀察客戶認證轉量產、純化與擴產進度、單位晶圓用量，以及新供應商進入後的價格競爭。
  • 台股 7887
    宇川精材
    受惠最高
    1. 1. 宇川精材主攻 8N 等級有機金屬前驅物，產品用於 ALD／CVD，對應 2 奈米 GAA、HBM TSV 與先進封裝，薄膜層數增加將直接推升材料用量。
    2. 2. 前驅物需兼具揮發性、熱穩定性與極低雜質；宇川具 TAF 認證超微量分析實驗室，可檢測 31 種金屬元素至 0.01 ppb，並提供合成、純化、分裝與鋼瓶清洗一站式服務，形成高認證門檻與客戶黏著度。
    3. 3. 宇川 2026 年前七月營收 1.23 億元、年增 96.32%，上半年 EPS 0.02 元並轉盈；為承接需求，南科二廠預計 2026 年第四季動工、投資上看 30 億元，產能規劃擴增至現有 6 至 10 倍。
    4. 4. 公司過去五年仍處虧損，且二廠預計約兩年後完工；投資效益取決於客戶認證轉量產、產能爬坡與資本支出執行，短期應以營收放量能否持續及獲利率改善驗證題材。
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  • 台股 4772
    台特化
    受惠高
    1. 1. 台特化自製矽乙烷用於先進製程矽基薄膜沉積，2026 年第 3、4 季產能利用率已逾 90%；產能將於 2027 年第 3 季由 30 噸擴至 40 噸，直接承接 N2、HBM 擴產需求。
    2. 2. 矽乙烷具低溫沉積、薄膜緻密與平滑等特性，適合 GAA 低熱預算製程；公司表示 N2／N1 尚無被替代趨勢，並預期 2026 年特氣營收年增 30%，受惠先進製程單位晶圓用量提升。
    3. 3. 公司已開發 ALD 有機矽基前驅物並進入客戶驗證，若認證後量產，可由既有矽乙烷氣體延伸至原子層沉積材料；但新品仍受 12 至 18 個月認證週期影響，營收貢獻尚未確定。
    4. 4. 併購弘潔科技後，台特化整合特氣與薄膜沉積設備零件清洗、鍍膜服務；2026 年第 2 季清洗服務占營收約 41.5%，台南線預計第 4 季驗證量產、新竹廠 2027 年第 1 季試產，擴大先進製程耗材服務收入。
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PVD 濺鍍靶材用於金屬互連、阻障層、種子層與封裝金屬化，材料純度、均勻性與回收精煉能力會反映在薄膜品質及客戶良率。光洋科具貴稀金屬回收、精煉與半導體靶材供應能力，Materion則供應鉭、貴金屬及合金靶材與 ALD 材料，兩者均屬受惠高。此環節可受惠先進製程與雲端儲存擴張，但受惠強度低於 ALD 前驅物，因部分高階結構可能由 ALD／CVD 替代；宜追蹤 半導體靶材營收占比、客戶驗證、貴金屬價格與回收利差。
  • 台股 1785
    光洋科
    受惠高
    1. 1. 光洋科 2026 年第一季電子半導體營收占比約 31%、年增 19%；AI、先進製程與封裝增加金屬互連及種子層需求，帶動 PVD 靶材出貨與 VAS 獲利。
    2. 2. 公司具貴稀金屬回收、精煉與靶材製造能力，並建立封閉循環模式，將客戶製程廢料再製回供；可提升原料自主性、降低供應風險並符合晶圓廠 ESG 要求。
    3. 3. 銅合金靶材、鉭環及釕靶材已通過晶圓代工廠驗證，釕靶材亦用於次世代記憶體；2 奈米、HBM 與先進封裝量產，有利高純度、高附加價值材料占比提升。
    4. 4. PVD 仍在金屬互連、阻障層、種子層及封裝金屬化具必要性，但部分高深寬比結構可能改採 ALD／CVD；另須留意貴金屬價格與避險損益波動。
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  • 美股 MTRN
    Materion Corporation
    受惠高
    1. 1. Materion 電子材料事業供應鉭、貴金屬與金屬合金靶材，並具 PVD、ALD 材料能力；半導體占 TTM 加值銷售 27%，可直接受惠金屬互連、阻障層與種子層需求。
    2. 2. 2026 年第二季半導體銷售年增 23%，AI 帶動先進邏輯、高效能記憶體與資料儲存需求，推升高純度靶材用量；電子材料事業調整後 EBITDA 率達 32%，營收成長已轉化為獲利。
    3. 3. Materion 透過收購韓國 Konasol 的鉭材料資產擴大亞洲布局，強化對區域 Tier 1 晶片製造商的沉積材料供應；有助縮短交期、提高供應韌性，承接 AI 擴產需求，但部分高階結構仍可能由 ALD／CVD 替代 PVD。
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薄膜層數、材料種類與高深寬比結構增加後，膜厚、組成、介面缺陷與可靠度的容錯空間縮小，因而提高量測、缺陷檢測與失效分析需求。科磊擁有製程控制的規模與議價優勢，受惠高；Onto Innovation、宜特及閎康透過先進封裝量測、材料驗證及分析服務受惠中等。投資邏輯在於沉積設備增加不必然立刻轉化為檢測營收，仍須看 先進節點良率爬坡、委外分析比例、客戶新材料導入與檢測站點密度；需求遞延或客戶自行建置實驗室是主要風險。
  • 美股 KLAC
    科磊
    受惠高
    1. 1. 科磊在製程控制市場市占約 58%，先進節點導入更多薄膜層與新材料後，膜厚、介面及缺陷容錯縮小，將推升其檢測與量測設備需求。
    2. 2. 2 奈米 GAA、HBM 與高深寬比結構提高沉積製程複雜度，科磊可在晶圓製造與良率爬坡階段提供檢測；公司預期 2026 年製程控制系統業務成長逾 20%。
    3. 3. 先進封裝與混合鍵合增加薄膜、介面及微凸塊缺陷的檢測密度，科磊預估 2026 年先進封裝製程控制營收約 11 億美元、年增逾 70%，成為沉積題材的重要間接受惠。
    4. 4. 科磊 2026 財年服務營收達 31.3 億美元、年增 16%，裝機基礎與服務合約提高收入韌性；但公司仍受晶圓廠資本支出週期、供應鏈成本及中國管制影響。
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  • 美股 ONTO
    Onto Innovation Inc.
    受惠中
    1. 1. Onto 的 Atlas、OCD 與薄膜量測系統可分析膜厚、組成、關鍵尺寸及 3D 結構；先進節點材料與沉積層增加，使良率控制需求升高，2026 年第 2 季先進節點營收季增 50%。
    2. 2. Dragonfly 檢測系統已取得領先 2.5D 邏輯與 HBM 客戶認證，2026 年第 2 季先進封裝營收創高；薄膜、凸塊與 TSV 缺陷檢測密度提升，有利設備出貨與訂單能見度。
    3. 3. 公司 2026 年第 2 季營收達 3.43 億美元、在手訂單首度超過 10 億美元，反映 AI、HBM 與先進封裝需求；但 Onto 屬間接受惠，營收仍取決於客戶新產線驗證、CapEx 與量產稼動。
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  • 台股 3289
    宜特
    受惠中
    1. 1. 宜特非薄膜沉積設備商，而是透過 ALD 新材料驗證平台間接受惠；已串接材料選擇、鍍膜、薄膜分析與製程驗證，協助 2 奈米及 3D 結構材料導入。
    2. 2. 2 奈米、18A 採用 GAA 等立體架構後，膜厚均勻性與覆蓋率要求提高，宜特可為材料商、晶片製造商及設備商縮短新配方驗證週期，增加分析服務需求。
    3. 3. 宜特 2025 年營收創高達新台幣 48.43 億元、年增 11.44%，但 ALD 平台仍處投資與導入期；相關設備及研發費用先行，2026 年實際營收貢獻仍取決於客戶驗證與量產。
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  • 台股 3587
    閎康
    受惠中
    1. 1. 閎康提供材料分析、故障分析與可靠度驗證服務；薄膜層數、材料與高深寬比結構增加，膜厚及介面缺陷容錯縮小，推升委外檢測需求。
    2. 2. 公司具 TEM、SIMS、FIB 等高階分析設備，可解析薄膜與金屬、阻障層及異質材料介面；2 奈米以下製程驗證複雜度升高，有利高附加價值案件增加。
    3. 3. 2026 年上半年營收 30.68 億元、年增 17.47%，毛利率 32.47%；第三季營收 16.97 億元、年增 16.14%，顯示先進製程與 HBM 分析需求已轉化為營收。
    4. 4. 受惠仍屬間接，薄膜沉積設備增加不必然同步帶動閎康營收；後續需觀察先進節點良率爬坡、客戶委外比例及日本擴產能否持續提升稼動率。
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晶圓代工與記憶體廠的技術路線、投片量及資本支出是薄膜沉積供應鏈的需求起點：台積電的 N2、後續先進節點與先進封裝，美光的 HBM／DRAM 擴產，以及英特爾的 GAA 與背面供電，都會提高沉積設備與材料需求。惟對這些公司而言，沉積工具同時也是龐大資本支出與折舊來源，故僅屬受惠低；以成熟與特殊製程為主的聯電則屬受惠最低。觀察重點是 資本支出落地、晶圓投片、良率與產能利用率，而非單看設備採購金額。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠低
    1. 1. 2026 年第三季先進製程（7 奈米及以下）已占晶圓銷售金額 79%，其中 N2 占 8%、N3 占 33%；製程微縮與 GAA 導入提高沉積步驟，間接拉動設備與材料需求。
    2. 2. 台積電將 2026 年資本支出維持 600 億至 640 億美元，約 70% 至 80% 投向先進製程，且 N2 年產能預計 2027 年再增加一倍以上，為薄膜沉積供應鏈提供長期需求起點。
    3. 3. 台積電本身不是沉積設備商，設備採購會轉化為折舊與成本；2026 年第三季毛利率已因 N2 爬坡較前季下降 1.3 個百分點，投資人仍須觀察產能利用率、良率與投片量能否覆蓋擴產成本。
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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠低
    1. 1. 美光聚焦 HBM4、HBM4E 與先進 DRAM，2027 財年逾 75% 出貨量已獲分配；HBM 擴產提高 TSV、CVD、ALD 與 PVD 需求，但美光屬需求端，受惠為間接。
    2. 2. 美光 FY2026 淨資本支出達 273.67 億美元，FY2027 第一季預估約 115 億美元，並擴建桃園、銅鑼及台中產線，將推升沉積設備採購；惟設備也會增加折舊與現金流壓力。
    3. 3. 1-gamma DRAM 與 G9 NAND 持續放量，HBM 較高的晶圓消耗比及先進堆疊提高單位產能的製程複雜度，理論上擴大薄膜沉積需求；目前未有美光沉積設備金額或營收占比的明確揭露。
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  • 美股 INTC
    英特爾
    受惠低
    1. 1. Intel 18A 已導入 RibbonFET 全環繞閘極與 PowerVia 背面供電，立體結構提高 ALD、CVD 等沉積步驟，將帶動自家先進產線設備與材料需求，但不形成沉積業務營收。
    2. 2. 英特爾將 2026 年資本支出上調至逾 200 億美元，設備支出年增約 40%，主要投入 Intel 3、18A 與 18A-P，資本落地可擴散拉動沉積供應鏈訂單。
    3. 3. 受惠仍屬低度：2Q26 Intel Foundry 營收 58 億美元、年增 31%，但外部客戶收入僅 2.93 億美元且營業損失約 21 億美元；後續須觀察良率、稼動率與代工客戶放量能否覆蓋折舊。
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  • 台股 2303
    聯電
    受惠最低
    1. 1. 聯電 2026 年第 2 季晶圓出貨量季增 10.6%、產能利用率升至 85%，22／28 奈米營收占 37%；投片回升將穩定拉動成熟與特殊製程的 CVD、PVD 用量，但並非沉積設備直接供應商。
    2. 2. 聯電 2026 年資本支出上調至 20 億美元，擴充新加坡 P4 無塵室並興建台南新廠，將增加薄膜沉積設備與材料需求；惟第 2 季折舊已達 146.49 億元，擴產也會壓縮毛利。
    3. 3. 聯電已交付首批 12 吋矽光子量產晶圓，並規劃 2027 年開放平台；矽光子與先進封裝若放量，可能增加特殊製程沉積需求，但目前缺乏相關營收規模與設備採購的直接證據。
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