此類涵蓋光阻、Rinse、EBR、BARC、顯影液、剝離液、電子級溶劑與清洗化學品，是 2 奈米微影良率的核心耗材。新應材已以 Rinse、Cleaner、EBR、BARC 切入 N3/N2，半導體材料營收占比約 87–88%，且 2 奈米 Rinse 用量傳出較 3 奈米提升 4–5 成，受惠程度最高。永光、三福化、勝一則受惠濕化學品、封裝與清洗應用擴張；日系 TOK、信越、富士軟片仍掌握高階光阻主導權，觀察重點是台積電在地化採購、DUV 光阻驗證與產品組合毛利率。
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台股 4749新應材受惠最高
- 1. 新應材已切入台積電 2 奈米 N2 核心微影材料，Rinse、BARC、EBR、Cleaner 已導入供應鏈；N2 用量較 3 奈米傳出提升 4 成至 5 成，直接放大單片耗材收入。
- 2. 半導體材料營收占比已達 87% 至 88%，2025 年毛利率升至 43% 至 44%，顯示產品組合高度聚焦先進製程；台積電 2030 年在地採購目標提高至 68%，有利續擴市佔。
- 3. 高雄一期廠 2026 年可望滿載，高雄二期預計 2027 年 Q1 量產，龍潭新廠也投入 35 億元建置 DUV 光阻基地，產能與新品布局同步支撐 2 奈米到 1.4 奈米放量。
- 4. DUV 光阻、CPO 相關封裝膠與高階光阻周邊材料已進入客戶測試，若 KrF、ArF 光阻後續於 2027 至 2028 年驗證放量，可打開第二成長曲線，提升估值彈性。
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台股 1711永光受惠高
- 1. 電化事業已切入半導體微影與封裝材料，Rinse、EBR、BARC、Cleaner 與光阻新產線推進，直接受惠 2 奈米與先進封裝放量。
- 2. 半導體相關營收占比已升至 24% 左右，電化事業 2026 年 Q1 年增 44%，成為第二大成長引擎，顯示特化轉型已開始反映在營收。
- 3. 已打入台積電 N3/N2 供應鏈，2 奈米 Rinse 用量較 3 奈米高 4%～5% 成，先進節點導入後單位晶圓耗材需求明顯放大。
- 4. 光阻新產線已近完工，主攻先進封裝用光阻與 PSPI 送樣驗證，搭上 CoWoS、FOPLP 與 RDL 材料升級潮，後續放量空間大。
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台股 4755三福化受惠高
- 1. 三福化主攻先進封裝光阻剝離液（Stripper）、TMAH 回收回供與 N2 清洗液，已切入 CoWoS、InFO、SoIC 供應鏈，半導體營收占比約 23% 並續升。
- 2. 4Q25 CoWoS 營收季增 39%、年增 106%，帶動先進封裝相關業務快速放量；2025 年半導體營收年增動能強，2025–27 年半導體業務營收 CAGR 估達 43%。
- 3. TMAH 回收液已達半導體客戶純度要求，2026 年起陸續進入 8 吋與 12 吋廠驗證／出貨，兼具降成本、降碳與供應穩定性，ESG 導向下黏著度高。
- 4. 越南新氣體廠與南科半導體化學品產能同步擴建，合計資本支出約 12 億元；台積電在地化採購提高，將放大三福化在本土特化供應鏈的滲透率。
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台股 1773勝一受惠高
- 1. 電子級溶劑占營收比重已升至 75.8%，並深度供應晶圓清洗、洗邊、蝕刻與先進封裝製程，2 奈米與 AI 伺服器拉貨直接放大出貨。
- 2. 台積電供應鏈中，勝一已切入 8 項電子級產品，4 項獨家、3 項唯二供應，導入後需 2–3 年驗證，替換成本高，訂單黏著度強。
- 3. 2026 年 Q1 營收 30.44 億元、年增 10.6%，稅後純益 6.06 億元、年增 27.5%，EPS 2.02 元，電子級占比提升帶動毛利率逼近 38%。
- 4. 公司正擴建 IPA 兩條新產線、PM 產能由 5 萬噸擴至 17 萬噸，且擁有自有碼頭與槽車庫存，可支撐台積電在地化採購與海外擴產需求。
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日股 4186東京應化受惠高
- 1. 東京應化在光阻材料市占居全球前段班，整體光阻與 EUV／ArF 產品長期受惠台積電 N2、N3 擴產，先進微影材料需求與定價能力同步提升。
- 2. FY2025 營收 2,370 億日圓、年增 17.9%，營業利益年增 43.2% 創高，AI 帶動先進邏輯與 HBM 用量回升，成長已反映在高階光阻與後段材料出貨。
- 3. 公司持續擴建郡山新光阻廠、平澤高純化學新廠，並與 Irresistible Materials 合作開發 EUV MTR 平台，強化 High-NA／EUV 下一代產品卡位。
- 4. 東京應化預估 2026 年先進封裝材料成長約 44%，車用與 AI 帶動封裝材料、WHS 材料放量，讓公司從前段光阻延伸到後段材料雙引擎成長。
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日股 4063信越化學受惠高
- 1. 信越掌握全球 300 mm 矽晶圓領先市占，先進製程與 AI/HBM 擴產直接拉升晶圓耗材需求，2 奈米、3 奈米放量可同步帶動出貨。
- 2. 光阻材料長期與 JSR、TOK 寡占高階市場，信越在 N2 光阻液與先進製程材料市佔穩固，台積電擴產與在地化採購有助持續放量。
- 3. 先進製程微縮使單片晶圓材料用量明顯上升，N2 進入 GAA 後沉積、蝕刻與清洗步驟增加，信越的高純度材料與配方能力可提升黏著度。
- 4. 先進封裝需求升溫帶動 underfill、MUF、離型膜與高導熱矽膠等材料成長，信越已切入 HBM 與 CoWoS 供應鏈，受惠於封裝材料升級。
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日股 4901富士軟片受惠中
- 1. 半導體材料事業涵蓋光阻、CMP 研磨液、後 CMP 清洗液與聚醯亞胺，直接對應 2 奈米微影與先進封裝耗材升級，屬高純度高門檻產品。
- 2. 半導體材料事業 2026 年 3 月期營業利益年增 74% 至 307 億日圓，電子材料營收 1,275 億日圓、年增 27.4%，AI 帶動成長動能明確。
- 3. 在台南、熊本、歐美持續擴充在地產能，主打 local production / local support，可就近配合台積電與海外新廠驗證，縮短導入週期。
- 4. Fujifilm 已把先進光阻列為成長主軸，推進 EUV、High-NA EUV 與 PFAS-free / negative-tone resist，強化在高階微影材料的市佔與替代性。
