4749 新應材 10/29 收盤價：695 元-25 (-3.47%)

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新應材（4749）本質上是半導體與顯示器用特用化學材料廠；其核心能力不只是賣化學品，而是從特殊原料的合成、純化到配方開發，依客戶製程需求做高純度、客製化材料，協助提升良率與製程穩定性。公司近年營運重心已明顯轉向半導體先進製程。

主要業務可分為四塊：

1. 半導體先進微影材料：目前主力

   • 主要產品包括表面改質劑 Rinse、底部抗反射層 BARC、洗邊劑 EBR、清洗劑 Cleaner，也涵蓋顯影相關材料。
   • 這些材料用在晶圓的黃光微影流程，例如塗佈、曝光、顯影與後處理；功能是抑制反射、改善晶圓邊緣缺陷、清除殘留物、維持圖形精度與良率。
   • 產品已隨先進節點導入量產，製程越先進、微影層數與要求越高，單片晶圓的材料使用量通常也會增加。

2. 半導體光阻材料：正在往更核心的材料升級

   • 光阻是把電路圖形轉印到晶圓上的感光材料，技術門檻和純度要求非常高。
   • 新應材正開發深紫外光 DUV 光阻，包括 KrF、ArF；這代表公司由既有的「光阻周邊材料」逐步往核心光阻產品延伸。

3. 先進封裝材料：中長期新布局

   • 對應高階封裝所需的暫時保護層、保護膠、切割與封裝相關功能性材料，並布局 CPO 等新型封裝應用。
   • 這塊目前相較前段微影材料仍在驗證與導入階段，但若客戶量產擴大，可能形成下一個成長來源。

4. 光學元件與顯示器材料

   • 半導體光學元件材料用於 CIS/CMOS 影像感測器、微型光學元件，例如平坦層、微透鏡、濾光與遮光相關材料。
   • 顯示器端則供應 TFT-LCD、Micro-LED 等應用的光阻及相關材料；不過近年營收結構已更偏向半導體。

一句話理解：
新應材是在晶圓廠製造晶片時，供應高純度、需要持續消耗的微影化學材料；它目前最重要的成長來源，是先進製程擴產帶動 Rinse、BARC、EBR、Cleaner 等材料需求增加，並逐步往高階光阻與先進封裝材料擴張。

市場目前主要從 「先進製程放量＋新品驗證＋產能開出」 三條主線看新應材，核心邏輯是：其材料屬於晶圓廠量產時持續消耗的耗材，若客戶的先進節點投片增加，公司營收可望跟著放大。

1. N2、N3 與後續 A16／A14 先進製程放量

這是最直接、也是目前影響最大的題材。

新應材的 Rinse 已供應 N3、N2，BARC 與 EBR 也逐步導入 N2；製程由 N3 推進到 N2 後，因微影層數、結構複雜度與清洗要求提高，單片晶圓的材料用量上升。市場因此會緊盯 N2 實際稼動率、客戶新廠啟用進度，以及 Rinse、BARC、EBR 的出貨是否同步增加。

投資意義在於，新應材不是只受惠於「晶圓數量」增加，也可能受惠於「每片晶圓材料價值」提升；但反過來說，若先進製程擴產或良率爬坡低於預期，營收放大的速度也可能遞延。

2. 高雄廠擴產與供應鏈垂直整合

高雄一期、二期是承接 N2 及後續先進節點需求的關鍵產能。二期整合合成、純化與配方能力，除了擴大產能，也有助提高關鍵原料自主性、供貨彈性與製造效率。市場看的是新產能何時通過客戶驗證、何時實際量產，以及產能利用率能否快速拉升。

這項題材的兩面性很明顯：

• 正面：量產後可承接更多先進製程訂單，規模經濟有機會推升毛利率。
• 風險：擴廠前期會增加資本支出、折舊與研發費用，且公司近年自由現金流承壓；若產能開出速度快於訂單放量，短期獲利率可能受壓。

3. DUV 光阻：從周邊材料跨入核心材料

新應材原本強項在 Rinse、BARC、EBR、Cleaner 等微影周邊材料；市場期待其 KrF、後續 ArF 等 DUV 光阻的認證與量產，能讓公司往價值更高、技術門檻更高的核心光阻材料延伸。

KrF 光阻仍處於客戶驗證與參數調整階段，資料顯示其較具體的營收貢獻時間點偏向 2027 年之後。若驗證順利，意義不只是增加一項產品，而是可能提升單一客戶的供應深度、產品組合與長期毛利結構。

不過，光阻的純度、穩定性與良率要求極高，驗證週期長，這是高潛力但尚未完全兌現的題材；市場會依驗證結果與量產時程調整評價。

4. 先進封裝與 CPO 材料布局

公司透過策略合作切入 CoWoS、SoIC 等先進封裝應用，產品方向包含暫時保護層、研磨膠帶、切割膠帶、晶片黏結膜等，也布局 CPO 相關保護材料。AI/HPC 晶片推動先進封裝產能擴張，讓這條線成為中長期的成長選擇權。

但相較於 N2 微影材料，先進封裝對新應材現階段營收的直接貢獻仍較小，應視為第二成長曲線，觀察重點在客戶認證、是否由小量出貨走向穩定量產，而非只看題材熱度。

5. 在地化採購與進口替代

先進半導體材料的認證週期長、替換成本高；晶圓廠若提升在地供應比重，具備研發、純化、配方與快速技術支援能力的本土材料商，較容易取得長期合作機會。新應材從原料合成、純化到配方開發的整合能力，是市場給予其較高成長期待的原因之一。

市場最重要的驗證指標

可濃縮為四項：

1. N2 投片與稼動率：決定既有材料需求是否如預期放大。
   
2. 高雄二期客戶驗證與量產進度：決定產能能否及時轉為營收。
   
3. DUV 光阻驗證成果：決定第二成長曲線何時真正落地。
   
4. 毛利率與自由現金流：判斷擴產帶來的是規模效益，還是短期折舊與資本支出壓力。
   

整體而言，N2／N3 放量是當前最實質的基本面題材；DUV 光阻與先進封裝則提供 2027 年以後的估值想像空間。市場給予較高評價的前提，是先進製程需求、新產能認證與新品導入必須依時程兌現。

新應材的營收已高度集中在半導體特化材料，顯示器材料則降為次要業務。最新可得的 2026 年上半年結構如下：

1Q26 的結構也相近：半導體材料為 88.9%、顯示器材料為 11.1%。以單季營收約 12.46 億元推算，半導體材料約 11.08 億元、顯示器材料約 1.38 億元。

半導體材料內部：Rinse 是最大宗

公司未公開每一項產品的精確營收拆分，但現有資料可確認：

Rinse 不僅是半導體材料中的主力，也是公司最主要的營收來源；BARC、EBR 則隨客戶 N2 新廠進入量產爬坡，出貨重要性上升。

結構變化：從顯示器材料轉向半導體

新應材的轉型相當明顯：

2025 年總營收為 42.62 億元，其中半導體材料約 37.08 億元；顯示器材料則隨公司資源轉往先進製程而下降至約 5.54 億元。

投資上代表兩件事：

1. 營運成長與獲利品質，已主要連結 N3、N2 等先進製程的投片與材料用量，而非面板景氣。
   
2. 營收集中度也提高：Rinse 與主要晶圓代工客戶的擴產節奏，會是短中期業績最關鍵的變數；光阻與先進封裝材料若完成驗證，才有機會逐步降低對單一主力產品的依賴。

新應材後續展望可分成「近兩年 N2 放量帶動既有產品」與「2027 年後光阻、封裝材料擴大產品線」兩個階段。整體方向偏成長，但能否把高資本支出轉成更高獲利與現金流，是關鍵驗證點。

1. 近期主動能：N2 放量帶動 Rinse、BARC、EBR 成長

目前最具確定性的成長來源，仍是先進微影材料隨 N2、N3 投片增加而放量：

• Rinse 是最大宗產品，已進入 N3、N2；市場資料指出，N2 單片用量約為 N3 的 1.7～1.8 倍。
• BARC、EBR 已導入 N2，會隨客戶投片量與稼動率提升而擴大出貨。
• 公司也持續參與 A16、A14，甚至更後續節點的材料開發；若既有產品可延續使用，將提高長期訂單黏著度。

因此，2026 年下半年至 2027 年的核心觀察是：N2 產能利用率是否持續上升，並同步反映在 Rinse、BARC、EBR 的出貨、營收及毛利率。

2. 產能擴張：高雄二期是 2027 年營運放大的關鍵

高雄一期已承接既有先進製程需求；高雄二期具備合成、純化、配方的一條龍能力，可提升關鍵原料自製率、供應彈性及規模經濟。

目前各方資料對二期量產時間略有落差，大致指向 2027 年初至年中後的客戶驗證完成與量產階段；這表示二期更可能在 2027 年對營收形成較明顯挹注，而非 2026 年。

高雄二期的意義不只在增加供貨量，也在於：

• 降低部分上游原料依賴；
• 承接更多 N2 與後續節點需求；
• 若稼動率順利拉升，讓固定成本被更大營收規模吸收，改善獲利結構。

3. DUV 光阻：2027 年起的第二成長曲線

新應材正在由光阻周邊材料，往更核心的 KrF、ArF DUV 光阻延伸。這類產品技術門檻高、客戶驗證期長，但一旦量產導入，通常具備較長產品生命周期與較高替換成本。

目前 KrF 光阻仍在客戶驗證，較合理的基準情境是 2027 年通過驗證並開始小量貢獻；龍潭新廠則預計 2028 年完成，未來將提供研發與小量生產能力，避免新產品驗證排擠既有量產材料的供應。

這項布局的上行空間大，但不宜把它視為短期已實現的營收。真正的驗證順序是：

1. 客戶認證通過；
   
2. 取得實際製程使用機會；
   
3. 從小量出貨擴大至穩定量產；
   
4. 延伸至更多光罩層與其他客戶製程。
   

4. 先進封裝：中長期選擇權，而非近期主力

公司已切入 CoWoS、SoIC 等先進封裝材料，包含暫時保護層、電漿切割膠等。資料顯示已有兩項產品完成驗證，未來可隨晶片薄化、3D 堆疊與先進封裝產能擴張逐步增加需求。

這條產品線的策略意義是降低公司長期對單一前段微影產品的依賴，並跨入 AI 晶片所需的高階封裝材料。不過，現階段營收貢獻仍小，量產時程仍取決於客戶導入速度，較適合作為 2027 年後的潛在成長來源。

5. 獲利展望：收入成長可期，但費用與現金流要同步看

半導體材料占比持續提升，理論上有利產品組合與毛利率；部分市場預估認為，若 N2 放量及產能利用率提升順利，2026～2027 年營收與獲利可維持高成長。

但公司正處擴產與研發投資期，短期有三項壓力：

• 折舊增加：新廠與設備投入擴大固定成本。
• 研發費用上升：光阻與次世代材料驗證需要持續投入。
• 自由現金流偏弱：資本支出規模大，短期未必能和帳面獲利同步改善。

因此，判斷營運品質不能只看營收年增率，更要看毛利率是否守穩、營業利益率能否隨稼動率提升而回升，以及營運現金流是否開始覆蓋資本支出。

綜合判斷

• 2026 年下半年～2027 年：主軸是 N2 放量、N3 擴產及高雄二期逐步開出，既有 Rinse、BARC、EBR 是最實質的營收來源。
  
• 2027 年後：KrF 光阻若驗證成功，加上先進封裝材料開始放量，才有機會由「單一主力材料成長」轉為「多產品線成長」。
  
• 長期方向：公司正從顯示器材料商轉型為先進微影與封裝材料供應商；半導體材料占比愈高，營運與先進製程景氣的連動也會愈強。
  
• 主要風險：客戶擴產放緩、材料驗證延後、競爭者切入，以及擴廠折舊與研發支出未能被營收成長有效吸收。

新應材未來兩年 EPS，市場預估的差異主要來自 N2 放量速度、高雄二期實際量產爬坡，以及 KrF 光阻何時開始有營收貢獻。

2026 年：先進製程放量，但仍有費用與折舊壓力

較主流預估約為 14.9～15.5 元。N2 製程在下半年放量，帶動 Rinse、BARC、EBR 出貨增加；不過高雄二期折舊、研發投入以及部分新材料驗證費用，會壓抑獲利擴張速度。市場較保守的情境可下看約 13.8 元，較樂觀情境則估至 16.4 元。

2027 年：獲利彈性主要在高雄二期與 N2 廠數增加

基準情境可看 21～22 元。支撐因素包括 N2 投片量持續增加、高雄一期維持高稼動、BARC／EBR 規模經濟改善，以及高雄二期在 2027 年第 2～3 季完成量產後，逐步提升原料自製率與供應能力。

較樂觀的預估約 22.5～23.3 元，通常假設二期爬坡順利、KrF 光阻通過驗證並開始帶來初步營收；較保守版本則約 18.2 元，反映二期延後、產品認證或客戶放量進度不如預期。

以目前 707 元股價換算：

• 以 2026 年 EPS 14.9～15.5 元計，前瞻本益比約 45.6～47.4 倍
• 以 2027 年 EPS 21～22 元計，前瞻本益比約 32.1～33.7 倍
• 若採保守的 2027 年 EPS 18.2 元，則本益比約 38.8 倍

因此，市場的評價關鍵已不在於 2026 年單年 EPS，而是是否相信 2027 年 EPS 能穩定跨過 21 元。若二期如期在下半年貢獻、N2 稼動率維持提升，21～22 元較具基礎；若驗證再遞延或 N2 放量低於預期，則 EPS 向 18～20 元修正的風險仍存在。

半導體特用化學材料產業正處於結構性成長階段，成長來源不只是晶圓出貨量增加，更重要的是先進製程讓每片晶圓的材料消耗量、純度規格與驗證門檻同步上升。

產業的三個主要成長引擎

1. AI／HPC 推動先進製程持續擴產

AI 加速器、高效能運算與高階手機晶片，持續拉動 3 奈米、2 奈米及後續 A16、A14 等節點需求。製程由 FinFET 走向 GAA 架構後，沉積、蝕刻、清洗、CMP 與微影工序都更複雜，因此化學材料的「單片晶圓內含價值」會高於晶圓投片量本身的成長。

全球半導體化學品市場預估在 2030 年達約 309 億美元，2024 至 2030 年年複合成長率約 11.9%；成長主要由先進製程量產、晶圓廠稼動率提升與先進封裝擴張帶動。

2. 製程微縮，材料用量與規格都升級

2 奈米製程導入 GAA 奈米片架構，微影圖案更精細、清洗與蝕刻的容錯空間更低，也使 Rinse、BARC、EBR、Cleaner、電子級溶劑與特用氣體等材料的需求提升。

產業變化的關鍵不是「晶圓多做一些」，而是：

• 每片晶圓需要更多製程步驟與材料。
• 材料須符合更高純度、低金屬離子、低缺陷與批次穩定性要求。
• 客戶驗證時間長，量產導入後更換供應商成本高。
• 能通過認證的材料商，通常享有較強的訂單黏著度與較佳毛利結構。

例如 N2 製程的微影周邊材料需求增加，低表面張力 Rinse、配方型 EBR 與 BARC 都是降低圖案倒塌、改善良率的重要材料；這使材料市場的成長速度有機會優於整體晶圓面積成長。

3. 在地化供應鏈是台灣業者的結構性機會

晶圓廠對材料供應的要求，不只在價格，而在於快速調整配方、即時技術支援、供貨穩定與地緣風險控管。台灣的間接原物料在地採購比例已接近 65%，並設定 2030 年提高至 68%；海外廠區的本地供應比例也有提高目標。

這使已通過驗證、且具備合成、純化、配方與在地服務能力的台灣特化材料廠，更有機會從進口替代中取得份額。

微影材料的產業位置

新應材所處的微影周邊材料領域，包含 Rinse、BARC、EBR、Cleaner 等。這類產品具有三個特性：

1. 屬於持續消耗品：只要晶圓投片，材料就會隨製程反覆消耗，和一次性設備銷售不同。
2. 高度綁定良率：材料若影響圖案、缺陷或良率，客戶通常不會輕易更換。
3. 先進節點價值提升：節點愈先進，材料的規格與單位價值愈高。

全球微影材料市場預估由 2024 年約 44.9 億美元，成長至 2031 年約 93.2 億美元，年複合成長率約 10.5%。AI、HPC、車用電子、EUV 與先進封裝均是主要需求來源。

先進封裝是第二條材料需求曲線

AI 晶片不只需要先進邏輯製程，也需要 CoWoS、SoIC、HBM、RDL、FOPLP 等高階封裝。這會帶動 PSPI、封裝光阻、暫時鍵合材料、研磨與切割保護材料、Underfill、MUF、解黏膠等需求。

因此，特化材料業者的中長期成長，不必完全依賴前段微影；若能在封裝材料完成客戶驗證，將增加產品線寬度並分散單一製程節點的風險。

產業風險與限制

產業前景雖正向，但不是所有題材都會立刻轉成獲利，主要風險包括：

• 客戶認證期長：從送樣、測試到量產，可能需要數年；新品延遲會影響預期營收。
• 客戶與節點集中：若主要晶圓廠的先進製程爬坡低於預期，材料供應商出貨也會遞延。
• 擴產初期成本：新廠帶來折舊、人力、研發與營運資金壓力，產能尚未滿載前可能壓抑自由現金流與獲利率。
• 國際競爭仍強：高階光阻與微影材料市場集中於少數國際大廠，本土業者要切入核心材料仍須長期技術投入與驗證。
• 海外設廠的供應模式不同：海外晶圓廠初期較可能優先採用當地既有供應鏈，台灣材料廠要複製本地優勢，仍須建立海外服務、製造或倉儲能力。

整體而言，半導體特化材料正從傳統化工的景氣循環，轉向由技術認證、先進節點滲透率、單片用量提升與供應鏈在地化驅動的中長期成長產業。對新應材而言，最直接的產業觀察指標是 N2 投片與稼動率、BARC／EBR 的出貨滲透、高雄新產能驗證進度，以及 DUV 光阻與先進封裝材料是否依時程完成認證。

新應材（4749）的核心、且高度集中的主要客戶是台積電。

公司從 2019 年起將表面改質劑 Rinse 導入台積電，2020 年開始量產；其後再逐步切入 3 奈米與 2 奈米相關的黃光微影周邊材料，包括：

• Rinse（表面改質劑）：主要營收來源，已跨多個先進製程節點使用。
• BARC（底部抗反射層）
• EBR（洗邊劑）
• Cleaner（清洗劑）：主要供新設備、產線清洗使用。

公開資料顯示，最大單一客戶在 2024 年上半年的營收占比已約 79%，市場普遍將其對應為台積電；因此，新應材的營收與獲利成長，和台積電先進製程的產能利用率、2 奈米量產進度，以及後續 A 系列節點擴產高度連動。

客戶集中帶來兩面性：

• 優勢：一旦材料通過嚴格驗證並導入量產，通常具備高黏著度與較高轉換門檻；台積電在台灣及海外擴建先進廠，會擴大材料需求。
• 風險：單一客戶占比極高，若客戶調整資本支出、製程導入時程、供應商策略或材料配方，新應材營運可能受到較明顯影響。

至於其他客戶，公司仍保有顯示器材料及半導體光學元件等業務，但目前對整體成長的關鍵性，明顯低於台積電先進製程供應鏈。

新應材的競爭不是和單一台廠正面對決，而是在高門檻的半導體黃光微影材料市場，挑戰既有國際材料大廠。核心產品為 Rinse（表面改質劑）、BARC（底部抗反射層）與 EBR（洗邊劑）；其中 Rinse 已由成熟節點一路導入 N3、N2，BARC、EBR 也已切入 N2。

競爭對手在哪裡？

全球黃光微影材料仍由少數日、美、德供應商掌握大部分市占，尤其是核心光阻與更先進的 EUV 光阻，技術、專利與客戶驗證門檻都非常高。新應材的策略並非一開始就正面搶攻最高階 EUV 光阻，而是先以 Rinse、BARC、EBR 等高附加價值的周邊配方材料切入先進節點，再逐步延伸到 KrF／ArF 光阻及先進封裝材料。

新應材的優勢

1. 已進入先進節點供應鏈，且有產品獨供／領先機會

Rinse 是目前最具戰略價值的產品，已進入 N3、N2；資料顯示，N2 的 Rinse 單片用量可能約為 N3 的 1.7 至 1.8 倍。這代表即使晶圓投片量只小幅增加，材料收入仍可能因單位用量提高而放大。BARC、EBR 則從 N2 才開始導入，形成第二、第三項成長來源。

更關鍵的是，一旦材料通過先進製程驗證，牽涉良率、缺陷率與製程穩定性，客戶通常不會輕易更換供應商；材料供應關係因而具備較高黏著度。

2. 本土供應與快速客製化能力

相較海外大廠，新應材靠近台灣主要晶圓製造基地，在客戶需快速送樣、配方調整、異常排除或製程共同開發時，反應速度具有優勢。公司強調其客製化開發的送樣頻率與回應速度較海外業者高，並已把雜質控制提升至極低等級，以符合先進製程需求。

這項優勢在材料國產化趨勢下尤其重要：客戶不只考量單價，也重視供應韌性、在地技術服務與多來源供應。

3. 從合成、純化到配方的垂直整合

新應材並非只做材料混配，而是往上游原料合成、純化能力延伸。相較部分國際供應鏈將單體、純化、配方分由不同企業負責，新應材若能把關鍵原料與配方掌握在內部，理論上可縮短開發迭代時間、提高供應彈性，也有助於降低原料受制於人的風險。

4. 既有光阻配方經驗與研發投入

公司原先即具顯示器光阻與特化材料基礎，累積大量配方、塗佈、純化及品質控制經驗；轉入半導體後，持續高比例投入研發，並擴大研發團隊。這是台灣多數以單一純物質或大宗化學品為主的廠商較難快速複製的能力。

5. 產品線可從前段延伸至先進封裝

公司已將布局從前段微影材料，延伸至晶圓薄化、切割與暫時保護等先進封裝材料；藉由策略夥伴分工，涵蓋研磨、切割、保護、填膠等不同站點。這讓成長動能不完全只依賴單一微影材料品項。

相對劣勢與競爭風險

1. 規模、全球客戶基礎與產品廣度仍落後國際龍頭

國際材料大廠通常有更完整的產品組合、全球多據點產能、長年專利與跨客戶驗證紀錄。新應材雖已在部分先進材料切入成功，但整體營收與資源規模仍有明顯差距；若競爭者以價格、綁定式產品組合或既有客戶關係防守，新應材擴張速度可能受限。

2. 客戶集中度高，成長高度連動單一大客戶的擴產節奏

目前營收主要來自台灣、且主要客戶占比高。這使新應材能深度受惠於客戶 N3、N2 擴產，但反面是：若先進節點爬坡延後、投片調整，或客戶改採雙供應商策略，營收與產能利用率都可能受較大影響。

3. 「已導入」不等於所有產品都已大量貢獻

Rinse 是已相對成熟的量產品；但 BARC、EBR 的放量仍取決於 N2 爬坡，而 KrF 光阻、高階 BARC、ArF 及多項先進封裝材料，多仍處於驗證或開發階段。半導體材料從送樣、認證到量產往往需較長時間，且每個製程層、每個客戶都可能需要重新驗證。

4. 光阻劑是更高難度的下一戰

KrF 光阻若成功量產，能顯著擴大市場空間；但前段光阻供應長期由日系供應商主導，而且通常一個光罩製程傾向由單一供應商供貨，驗證門檻與切入難度遠高於周邊材料。因此，KrF 的商業化速度與可取得的產品層數，仍是中長期不確定因素。

5. 擴產與研發會先帶來現金流壓力

為支應產能與新產品，公司正投資高雄廠、龍潭研發與小量試產線。這有助未來產品開發與放量，但在營收尚未完全轉換前，折舊、研發費用及資本支出會壓抑自由現金流；若新產品驗證延後，固定成本負擔就會較明顯。

投資上如何看這個競爭格局？

新應材的護城河，核心不是「規模大於國際材料龍頭」，而是在地服務速度、配方與純化能力、供應鏈垂直整合，以及已在先進節點取得實績。其中，Rinse 的既有供應地位最具確定性；BARC、EBR 是否隨 N2 快速放量，以及 KrF 光阻能否由驗證跨入實質營收，是決定公司能否由單一強勢材料供應商進一步升級為多產品平台的關鍵。

因此，競爭優勢可用一句話概括：先進製程的在地化材料供應商中，新應材已先取得產品驗證與量產位置；但能否擴大護城河，仍須持續證明新產品量產、客戶分散與產能轉換的能力。