此類公司直接供應 DRAM 晶圓廠最核心的 微影、蝕刻、沉積與製程控制 機台,是三星、SK 海力士、美光擴產與製程轉換最先下單的對象。1c DRAM EUV 層數增加、HBM TSV 深孔蝕刻、薄膜均勻性與缺陷檢測要求提高,使 LRCX、AMAT、ASML 受惠最直接;KLAC 與 TEL 則受益於良率監控、塗佈顯影、清洗與蝕刻需求。觀察重點是 WFE 上修幅度、記憶體 capex、book-to-bill 與出口管制。
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美股 LRCX科林研發受惠最高
- 1. 科林研發主攻蝕刻與沉積,HBM 的 TSV 深孔蝕刻、1c DRAM 轉進與 3D NAND 高層數化,都會直接拉高機台需求與單片含量。
- 2. 2026 年 Q3 記憶體已占 Systems 營收 39%,其中 DRAM 占 27% 創高;公司同步把 2026 年 WFE 展望上修至約 1,400 億美元。
- 3. AI 伺服器帶動 HBM3E / HBM4 擴產,層數從 8 層走向 12 層、16 層以上,蝕刻與沉積步驟增加,科林受惠度比多數設備商更高。
- 4. CSBG 服務與備件收入占比高,搭配客戶高稼動率與安裝基數擴大,讓訂單認列後仍有長尾現金流,營收韌性優於純一次性設備。
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美股 AMAT應用材料受惠最高
- 1. 應材產品涵蓋沉積、蝕刻、CMP、量測與先進封裝,直接吃到 2 奈米 GAA、HBM 與 CoWoS 擴產;2026 年半導體設備業務成長指引已上修至 30% 以上。
- 2. DRAM 相關營收占半導體系統約 29%至 34%,Q2 2026 DRAM 營收達 17 億美元、年增 18%,代表三星、SK 海力士、美光擴 HBM / DRAM 產能已明確反映在訂單。
- 3. 管理層預期 leading-edge logic、DRAM、advanced packaging 會貢獻 2026 年 WFE 成長逾 80%,且先進封裝營收 2026 年可年增逾 50%,成長動能高度集中在 DRAM 設備。
- 4. 與台積電、SK 海力士、美光在 EPIC Center 共創,並併購 NEXX 強化面板級封裝;客戶給 8 季滾動預測,訂單能見度延伸到 2027 年後,利於持續放大出貨。
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美股 ASML艾司摩爾受惠最高
- 1. ASML 壟斷 EUV 與 High-NA EUV,1c DRAM、HBM4 與 2 奈米微縮都要靠它;台積電 2026 年 CapEx 520 億至 560 億美元,高達 70%~80% 投向先進製程,直接拉動接單。
- 2. SK 海力士已向 ASML 下單約 11.95 兆韓元 EUV 機台,主要用於 1c DRAM 與 HBM 產線;三星也持續擴大 EUV 採購,記憶體擴產把 ASML 需求從邏輯擴散到 DRAM。
- 3. 1Q26 ASML 營收 88 億歐元、EUV 佔設備營收 66%,全年營收指引上修至 360 億至 400 億歐元;Installed Base Management 服務營收年增,強化高毛利現金流。
- 4. 2027 年 low-NA EUV 目標出貨至少 80 台,High-NA 也進入客戶驗證期;先進 DRAM 層數增加與曝光密度提升,讓 ASML 不只吃新機台,也吃升級與維護訂單。
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美股 KLAC科磊受惠高
- 1. KLA 近 9 成營收來自半導體製程控制,DRAM 與 HBM 擴產會直接拉升缺陷檢測、量測與良率管理需求,2026 年前段 WFE 市場也上修到 1,400 億美元以上。
- 2. 2 奈米 GAA 與晶背供電讓檢測層數明顯增加,先進封裝又把良率門檻拉高;KLA 在先進晶圓級封裝市佔約 60%,2026 年封裝營收可由 6.35 億美元躍升至約 10 億美元。
- 3. AI 與 HBM 擴產帶動客戶搶設備插槽,KLA 指出 2027 年成長可高於 2026 年,顯示 DRAM、Flash 與 greenfield 新廠投資將持續推升接單與 backlog。
- 4. KLA 服務營收占比高、毛利率約 62%,且在先進封裝、e-beam 與光學檢測具領先地位;裝機基數越大,備件與維護收入越穩,能平滑景氣循環。
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日股 8035東京威力科創受惠高
- 1. 塗佈顯影設備全球市占約 90%,EUV 先進製程幾乎離不開 TEL;台積電 2026 年資本支出維持 520~560 億美元高檔,先進製程與 N2 量產直接拉貨。
- 2. FY2026 半導體製造裝置營收 2.44 兆日圓創新高,DRAM 佔新機銷售 31%、NAND 佔 10%,顯示 AI 帶動的記憶體 capex 已明確轉成訂單。
- 3. FY2027 上半年營收指引 1.57 兆日圓、年增 33.1%,塗佈顯影預估年增逾 50%、先進封裝逾 60%,訂單能見度延伸到 2027 年。
- 4. 在蝕刻、沉積與清洗具高市占,HBM TSV、3D NAND 高層數化與 GAA 使製程步驟增加,單片晶圓設備內容量提升,強化 TEL 的結構性受惠。