ASML 艾司摩爾 美東 11/06 收盤價：1,424.75 元+68.1 (+5.02%)

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艾司摩爾（ASML）是全球半導體製造設備的核心供應商，主要做的是微影（Lithography）設備：利用光線將晶片電路圖案精準轉印到矽晶圓上。這是製造先進邏輯晶片、DRAM 與 HBM 記憶體時，決定電晶體能否持續微縮的關鍵步驟。

主要業務可分成三塊：

• EUV 微影系統
  用於最先進製程，是製造高階 CPU、GPU、AI 加速器與先進手機晶片的核心設備。EUV 能以極短波長曝光，減少傳統多重曝光流程，提高製程精度與效率；在此領域 ASML 具高度不可替代性。

• DUV 微影系統
  用於成熟製程、部分先進製程層，以及記憶體晶片生產。雖然技術世代較 EUV 成熟，但市場規模仍大，客戶涵蓋邏輯、DRAM、NAND Flash 與特殊製程晶片廠。

• 裝機服務與升級（Installed Base Management）
  包含已售設備的維護、備品、軟體、性能升級與技術支援。這類收入通常較具經常性，也受惠於客戶設備裝機數量增加與晶圓廠提高稼動率。

公司目前的成長主軸，是 AI 帶動先進邏輯與高頻寬記憶體擴產，進而增加 EUV／DUV 設備需求；更長期則是下一代 High-NA EUV，其單機價格與技術門檻更高，有機會提升每座先進晶圓廠的微影設備價值量。

簡單說，ASML 不直接設計或製造晶片，而是提供晶片廠生產先進晶片時最關鍵、最昂貴的「曝光機器」與後續服務。

目前資料顯示公司已上修全年營收與毛利率指引，外部預估對 2026、2027 年 EPS 仍有不同口徑與區間；補查最新實際 EPS 與估值基準，以便對照。

艾司摩爾（ASML）未來兩年 EPS 的市場預期，方向是 2026 年大幅成長、2027 年再維持高成長。綜合近期可取得的多份預估，較合理的觀察區間如下：

換言之，市場對 ASML 的核心預期是：EPS 可由 2025 年約 25 歐元的水準，於 2026 年躍升至接近 40 歐元，2027 年再突破 55 歐元。其中，2026 年 EPS 的預測差異相對小；對 2028 年的分歧則開始擴大，顯示市場對更遠期的設備需求延續性仍保留不同看法。

支撐未來兩年獲利上修的主因有三項：

• 營收指引上修與下半年出貨加速：公司第二季營收為 93 億歐元、EPS 為 7.59 歐元後，將 2026 年全年營收指引上修至 430–450 億歐元，毛利率區間也提高至 54%–56%。這使全年 EPS 約 39–40 歐元的預期具備基本面基礎。
• EUV 與浸潤式 DUV 產能擴張：Low-NA EUV 產能規劃由 2026 年約 65 台，提高至 2027 年約 85 台；同時，E/F 機型提升單機生產力，設備數量增加 30% 不代表收入只成長 30%，對營收與毛利率都有槓桿。
• 產品組合與服務收入改善獲利率：EUV 滲透率提高、高階機台的價格能力、已裝機台服務業務擴大，加上固定成本攤薄，均有助毛利率與營業利益率續升。部分預估認為，2026 年營業利益率可升至約 40%–41%，2027 年再往 43% 附近靠攏。

以頁面股價 1,750.24 美元估算，若採 2026 年 EPS 約 40 歐元、2027 年約 55–56 歐元，且暫不處理歐元兌美元的匯率差異，前瞻本益比大約可理解為：

• 2026 年前瞻本益比：約 44 倍
• 2027 年前瞻本益比：約 31–32 倍

這代表市場願意給 ASML 較高評價，主要反映其在 EUV 微影設備的技術門檻、AI 帶動的先進邏輯與 HBM／DRAM 擴產，以及 2027 年訂單能見度提升。不過，高估值也意味後續股價對「預估是否持續上修」相當敏感；若客戶資本支出放慢、出口限制升級，或 EUV 供應鏈交付受限，則 EPS 實現速度與評價倍數都可能承壓。2028 年 EPS 預測出現較大差距，也反映市場的下一個焦點將是 2027 年後的產能消化與接單延續性。

半導體微影設備產業正進入由 AI 驅動的擴產週期，核心特徵是：先進邏輯、AI 記憶體與全球晶圓廠擴建同步推升設備需求；其中，EUV 是最關鍵、技術門檻最高的環節。

對艾司摩爾而言，產業前景偏正向，但成長節奏會受到客戶資本支出、無塵室完工進度與出口管制影響，因此屬於長期結構成長、高單季波動的設備產業。

1. AI 是本輪微影設備需求的核心引擎

AI 不只推動 GPU 與 AI ASIC，也增加伺服器 CPU、HBM、DRAM、企業級 SSD 的需求。這使晶圓廠同時擴充：

• 先進邏輯製程：用於 GPU、AI ASIC、CPU，帶動 3 奈米、2 奈米與後續更先進節點的微影投資。
• 先進記憶體製程：HBM 與高階 DRAM 不僅需要擴產，製程微縮也提高 EUV、浸潤式 DUV 的使用強度。
• 成熟製程：AI 伺服器周邊的電源管理、網通與功率元件，也帶動部分成熟製程需求。

2026 年下半年起，多家晶圓與記憶體廠的無塵室陸續釋出，設備交付可望加速；2027 年仍有多座新廠進入裝機階段，使前段設備需求延續成長。

2. EUV 是 ASML 最重要的護城河

EUV 是製造先進製程晶片的關鍵設備，直接連結 AI 晶片對效能、功耗與電晶體密度的要求。現階段先進邏輯擴產，尤其 5/4/3 奈米與 2 奈米節點的擴建，都會形成 EUV 的長期需求。

產業資料顯示，低數值孔徑 EUV 於 2027 年的產能已接近被訂滿，公司規劃將低數值孔徑 EUV 及浸潤式 DUV 產能各提高約 30%，並評估 2028 年再提升產能。這代表客戶採購不只是短期補庫存，而是對未來數年的先進製程產能已有較明確規畫。

3. High-NA EUV 開啟下一個技術週期，但短期貢獻仍有限

High-NA EUV 將微影解析能力進一步提高，主要意義在於降低未來先進節點的多重曝光複雜度，並支援 2 奈米以下製程。這不只是既有設備的升級，而是客戶需要重新採購的新平台，因此具備較高單價與長期營收潛力。

目前已出現量產導入的里程碑：客戶已在 18A 節點的部分層次採用 High-NA EUV 量產，顯示技術正從驗證跨向商業化。不過，2026 年預計認列的 High-NA EUV 數量仍僅約 4～5 台，近期營收主力依舊是既有 EUV、浸潤式 DUV，以及機台升級與服務。

因此，High-NA 的投資意義主要在於：

• 2026 年：技術驗證與初期量產階段。
• 2027～2028 年：隨客戶先進節點擴產，成為新設備訂單的潛在成長來源。
• 2030 年代：能否擴大導入至更多先進邏輯與記憶體客戶，將決定其長期成長斜率。

4. 記憶體設備是 2026～2027 年的重要增量

本輪設備循環與過去不同之處，在於記憶體不再只是景氣復甦，而是受到 AI 推論、HBM 與高階 DDR 需求帶動。記憶體廠不只擴增產能，也持續推進製程微縮，兩者都會提高微影設備需求。

目前產業數據指出，2026 年上半年設備需求以記憶體與非中國市場最強；隨 AI 推論帶動資料暫存與儲存需求增加，記憶體廠資本支出仍持續上調。

對 ASML 來說，這有兩層含義：

1. 記憶體客戶提供另一條成長曲線，降低單靠先進邏輯擴產的依賴。
2. 記憶體景氣本質仍高度循環，若未來供給擴張過快、AI 需求放緩，設備訂單的波動通常也會更大。

5. 服務與升級業務提升營運韌性

半導體設備不是一次性賣機台的生意。隨 EUV 裝機量累積，後續維護、零組件、軟硬體升級與生產力改善服務，能提供較穩定且毛利率較佳的收入。

在客戶短期受限於廠房空間、無法立刻新建產能時，提高既有設備的產出效率就特別重要。因此，設備升級與服務業務可部分平滑新機出貨的波動，也是 ASML 相較一般設備商較具韌性的原因之一。

6. 產業風險：出口管制、資本支出與技術採用時程

前景雖佳，但仍要留意三項風險：

• 出口管制：中國市場仍是設備需求的一部分，且政策可能進一步限制浸潤式 DUV 等產品。即使非中國市場的 AI 擴產可部分填補缺口，政策變化仍可能造成訂單組合與短期營收波動。
• 晶圓廠資本支出週期：設備採購高度依賴晶圓廠對終端需求的判斷。若雲端業者縮減 AI 資本支出、記憶體景氣反轉，設備交付可能遞延。
• High-NA EUV 的成本效益與導入速度：設備價格高、客戶須重新調整製程與良率，實際放量速度仍需觀察。若客戶選擇延長既有 EUV 的使用，High-NA 訂單成長可能比市場期待更慢。

對 ASML 的整體判斷

ASML 所在的微影設備產業，正受惠於 AI、先進製程、記憶體微縮及全球晶圓廠擴建，2026 下半年至 2027 年的產業方向仍偏多。其中 EUV 的獨特技術地位，使其能直接受惠高階製程投資；High-NA EUV 則為更長期的技術與單價升級選項。

不過，曝光設備在本輪週期的成長未必永遠領先其他前段設備。2 奈米導入新電晶體架構後，蝕刻與薄膜沉積步驟增加；AI 先進封裝和高層數 NAND 也更偏重蝕刻、沉積與檢測設備。因此，ASML 的長期競爭地位極強，但短期營收成長與評價表現仍會受到產品組合、出貨時點及客戶資本支出節奏影響。

艾司摩爾的客戶幾乎涵蓋全球主要晶圓製造商；若以先進EUV／High-NA EUV設備需求與AI擴產關聯性來看，核心客戶可分為以下幾類：

怎麼看客戶結構

台積電、三星、英特爾是ASML先進邏輯設備的前三大關鍵客戶，尤其決定High-NA EUV何時從研發與驗證走向實質營收。市場資料顯示，三者都已承諾採用High-NA設備；其中英特爾較早進入導入階段，三星目標2028年前用於DRAM，台積電則規劃2030年起量產採用。

AI題材下，客戶需求不再只看GPU與先進邏輯晶片，也擴大至HBM所需的先進DRAM。因此，SK海力士與美光的重要性正在上升：當DRAM製程導入更多EUV層、HBM持續擴產，ASML能同時受惠機台出貨、已裝機台升級與長期維護服務。

對ASML而言，這種客戶組合的優勢是：
- 邏輯端有台積電、英特爾、三星的2奈米以下競賽。
- 記憶體端有三星、SK海力士、美光的HBM與先進DRAM擴產。
- EUV供應高度稀缺，客戶設備需求與交期已延伸至2027年，部分訂單能見度甚至拉長至2029至2030年。

需注意的是，ASML並未定期完整揭露各家客戶的精確營收占比，因此「最大客戶」以公開報導與產業採購規模判斷，台積電最具代表性；其餘客戶的相對排序，會隨各自先進製程、HBM投資與晶圓廠建置節奏而變動。