此類公司掌握邏輯製程最關鍵的 微影、沉積、蝕刻與製程控制，是晶圓廠 WFE 支出的主要承接者。ASML 幾乎壟斷 EUV 與 High-NA EUV，應材產品橫跨 ALD、CVD、PVD、CMP、離子植入與蝕刻，Lam Research 強在高深寬比蝕刻與薄膜沉積，KLA 則把關缺陷檢測與良率。benefit_level 最高，因為 2 奈米 GAA、A14 與更高曝光密度會提高設備強度；需追蹤 book-to-bill、EUV 出貨、台積電 CapEx 與出口管制變化。
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美股 ASML艾司摩爾受惠最高
- 1. ASML 壟斷 EUV 與 High-NA EUV，台積電 2026 年資本支出上看 520 億至 560 億美元、70% 至 80% 投向先進製程，直接推升機台出貨與長約能見度。
- 2. 2 奈米 GAA、A14 與更高曝光密度提高光刻強度，台積電已證實採購 High-NA EUV，ASML 站在下一代節點升級核心，單機價值與技術門檻同步上升。
- 3. 2026 年 ASML 營收指引上修至 360 億至 400 億歐元，1Q26 EUV 佔設備營收 66%，Low-NA 產能目標至少 60 台，訂單能見度延續到 2027 年。
- 4. Installed Base Management 2025 年營收達 81.93 億歐元、年增 26%，服務與升級收入持續放大，讓 ASML 不只吃新機台，也吃既有裝機基地的高毛利現金流。
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美股 AMAT應用材料受惠最高
- 1. 應材產品橫跨 ALD、CVD、PVD、CMP、蝕刻與離子植入，2 奈米 GAA 與晶背供電讓每片晶圓製程步驟更密集，單機含量同步提升。
- 2. 台積電 2026 年資本支出維持 520 億至 560 億美元，高達 70% 至 80% 投向先進製程，直接拉動應材先進邏輯與 HBM 設備出貨。
- 3. 2026 年半導體設備業務成長預期上修至 30% 以上，先進邏輯、DRAM、HBM 與先進封裝合計貢獻 WFE 成長逾 80%，訂單能見度延伸到 2027 年。
- 4. Q2 營收 79.1 億美元、年增 11%，非 GAAP 毛利率升至 50% 以上並創 25 年高點，顯示 AI 帶動的高階產品組合已轉成實際獲利。
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美股 LRCX科林研發受惠最高
- 1. Lam Research 主攻蝕刻與沉積，正卡位 2 奈米 GAA、晶背供電與 HBM TSV；製程步驟越多，單片晶圓設備含量越高，直接放大出貨。
- 2. 2026 年 WFE 市場預估上修至約 1,400 億美元，台積電資本支出維持 520 億至 560 億美元高檔，且 7 成以上投向先進製程，訂單能見度延伸到 2027。
- 3. 公司在 2026Q3 營收達 58.4 億美元、年增 24%，CSBG 單季首度破 20 億美元，顯示高稼動率下備件與維修收入同步放大，獲利韌性更強。
- 4. NAND 200 層以上轉換與 DRAM / HBM 擴產加速，Lam 的高深寬比蝕刻與批次 / 單片沉積優勢直接受惠，馬來西亞第二廠也為後續放量預先備產。
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美股 KLAC科磊受惠最高
- 1. 科磊主攻晶圓缺陷檢測、量測與製程控制，2 奈米 GAA、晶背供電讓容錯率更低，檢測層數與量測密度同步提升，直接放大設備需求。
- 2. 先進封裝製程控管營收 2026 年上修至約 10 億美元，較 2025 年約 6.35 億美元接近倍增，受惠 CoWoS、SoIC 與 HBM 堆疊良率管理需求暴增。
- 3. 公司半導體製程控制市占約 58%，規模約為第二名 7 倍，且服務營收占比高、毛利率約 62%，在先進節點升級下具明顯定價權與高黏著度。
- 4. 台積電 2026 年資本支出維持 520 億至 560 億美元高檔，約 70% 至 80% 投向先進製程與封裝，KLA 直接吃到台積電與 HBM 客戶的 WFE 擴張紅利。
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日股 8035東京威力科創受惠高
- 1. 塗佈／顯影設備市占約 90% 以上，EUV 與 High-NA EUV 幾乎離不開 TEL；台積電 2026 年 CapEx 上看 560 億美元，直接拉動微影周邊機台需求。
- 2. FY2026 營收 2.44 兆日圓、純益 5,744 億日圓創高，FY2027 上半年營收再拚新高，顯示 AI 驅動的先進製程與 HBM 拉貨已轉成實際訂單。
- 3. FY2027 塗佈顯影營收預估年增逾 50%，先進封裝超過 60%；DRAM 佔新機銷售 31%，HBM 投資回升也帶動蝕刻、沉積與清洗設備出貨。
- 4. 現場解決方案營收年增 16.3%，反映累計裝機帶來零件、維護與改機收入；不只吃新機訂單，也能靠高稼動率放大服務型現金流。
