此類是光罩 EUV 需求的源頭，ASML 為全球唯一量產 EUV／High-NA EUV 曝光機供應商，設備交期與出貨量直接決定先進製程擴產速度，受惠程度最高。KLA 受惠 缺陷檢測與製程控制 門檻升高，應用材料則透過沉積、蝕刻、CMP 等前段設備間接受惠。台積電、三星與英特爾是需求拉動者，benefit_level 取決於 先進製程市占、EUV 裝機、良率改善與資本支出；投資上需追蹤 EUV 出貨、High-NA 導入、出口管制與先進節點稼動率。
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美股 ASML艾司摩爾受惠最高
- 1. 全球唯一量產 EUV／High-NA EUV 曝光機供應商，台積電 N2、A14、三星 2 奈米與 Intel 18A 都高度依賴，出貨與定價權直接放大營收。
- 2. 台積電 2026 年資本支出維持 520～560 億美元，且已採購 High-NA EUV，Low-NA 與 High-NA 訂單能見度高，2027 年前產能幾乎全數訂光。
- 3. EUV 裝機越多，Installed Base Management 的維護、升級與零件收入就越大，2025 年這塊營收年增 26%，為 ASML 提供高毛利長尾現金流。
- 4. AI／HBM 推升記憶體廠擴產，三星、SK 海力士已大舉搶單，2026 年 EUV 出貨目標至少 60 台，供不應求格局使 ASML 直接吃到先進製程擴張紅利。
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美股 KLAC科磊受惠高
- 1. KLA 量測與製程控制營收占比逾 90%，直接吃到 EUV 光罩、晶圓缺陷與 overlay 檢測升級；2 奈米 / GAA 良率門檻提高，檢測需求明顯放大。
- 2. AI 晶片與 HBM 擴產讓缺陷容忍度趨近於零，KLA 在半導體 process control 市占約 55%～58%，EUV 與 High-NA 量產越快，訂單黏著度越高。
- 3. 2026 財年先進封裝營收目標上調至近 10 億美元，受惠 CoWoS、SoIC 與 Hybrid Bonding 檢測需求，單一數據平台可跨晶圓到封裝追缺陷。
- 4. EUV 層數與曝光道數增加，帶動光罩驗證與全檢化需求升溫；KLA 持續擴大買回與配息，反映訂單能見度高、獲利結構穩定。
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台股 2330台積電受惠高
- 1. 2026 年資本支出維持 520～560 億美元，約 70～80% 投入 N3／N2 先進製程，EUV 仍是 2 奈米與 A14 擴產的核心曝光設備，直接拉升光罩與檢測需求。
- 2. N2 已於 2025 年底量產、2026 年進入放量期，3 奈米與 2 奈米持續擴產，單片晶圓 EUV 光罩層數與投片量同步增加，帶動 blank、pellicle 與良率控制耗材。
- 3. 已首度證實採購 ASML 最新 High-NA EUV，代表已提前卡位 A14 之後節點；後續一旦放量，EUV 設備、光罩規格與製程控制要求都將再升級。
- 4. EUV 製程越先進，光罩污染與缺陷容忍度越低，台積電同步強化自研 pellicle、光罩與缺陷控制，良率改善會直接放大供應鏈採購動能。
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美股 AMAT應用材料受惠中
- 1. AMAT 雖非 EUV 曝光機供應商，但在 ALD、CVD、PVD、蝕刻與 CMP 覆蓋先進製程關鍵步驟，2 奈米 GAA 與 A14 微縮會同步拉升設備需求。
- 2. AI／HPC 推升台積電、三星、Intel 與記憶體廠擴產，EUV 層數與良率要求上升，AMAT 可同時吃到前段晶圓設備與先進封裝的資本支出紅利。
- 3. AMAT 近年強化先進封裝布局，AI 晶片走向 3D 堆疊、Hybrid Bonding 與 CoWoS 外溢訂單，讓成長不只來自前段曝光鏈，也延伸到後段封裝。
- 4. 2026 年半導體設備業務成長指引上看 30% 以上，並新增台積電、SK 海力士、美光合作案，顯示先進製程與記憶體擴產已反映在訂單。
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韓股 005930三星電子受惠中
- 1. 三星在 4nm 以下邏輯與 HBM4、1b／1c DRAM 大量導入 EUV，平澤、龍仁與德州廠擴產會同步拉高曝光機、光罩與製程控制採購。
- 2. 三星正推進 2 奈米 GAA 與 High-NA EUV 驗證，製程節點越往下，單晶片所需 EUV 層數、光罩張數與缺陷檢測要求都更高。
- 3. 為降低對日系材料依賴，三星積極扶植本土 EUV blank、pellicle 與檢測供應鏈，打開在地化採購與新一輪供應商認證窗口。
- 4. 2026 年半導體投資重心仍在先進製程，EUV 設備採購與良率調校需求持續增加，可直接帶動 ASML、光罩、護膜與檢測鏈出貨。
