光罩 EUV 概念股

此環節決定 EUV 光罩能否被有效曝光與驗證。艾司摩爾是量產 EUV 與 High-NA EUV 曝光機的唯一供應商，先進晶圓廠擴產使其為受惠最高；Lasertec 的 actinic 光化檢測可辨識一般 DUV 檢測難以捕捉的相位與穿透護膜缺陷，科磊則受惠於光罩與晶圓端製程控制升級，兩者屬受惠高。觀察重點為 EUV 出貨、客戶驗證轉單、高階機台產能及記憶體廠導入 EUV 的速度；High-NA 大量量產若遞延，檢測設備的訂單認列也可能後移。
  • 美股 ASML
    艾司摩爾
    受惠最高
    1. 1. ASML 是全球唯一量產 EUV／High-NA EUV 曝光機供應商，台積電 N2、Intel 18A 與先進 DRAM 擴產均需其設備，直接成為 EUV 光罩需求的源頭受惠者。
    2. 2. AI、HBM 與先進邏輯擴產推升訂單，ASML 將 2026 年營收指引上修至 430 億至 450 億歐元，EUV 系統營收預期年增約 45%，設備放量直接拉動營收。
    3. 3. Low-NA EUV 2026 年產能約 65 台，2027 年規劃增加 30%，且 2027 年訂單接近覆蓋產能；稀缺供給與高市占有助維持議價力，支撐高階光罩生態鏈擴張。
    4. 4. Intel 已將 High-NA EUV 用於 18A 部分產品量產，ASML 並與台積電推進大型光罩生態系；但台積電量產目標在 2030 年，導入遞延仍可能使 High-NA 訂單認列後移。
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  • 日股 6920
    Lasertec
    受惠高
    1. 1. Lasertec 以 13.5 奈米 EUV 光源檢測光罩，可捕捉 DUV 原理上無法辨識的相位與穿透護膜缺陷；製程邁向 2 奈米、High-NA 後，良率對高靈敏度 actinic 檢測依賴提高。
    2. 2. FY2026 接單達 2,375.04 億日圓、年增 125.7%，其中 ACTIS 620 億、MATRICS 772 億日圓；訂單回升將支撐 FY2027 營收指引 2,900 億日圓、年增 25.8%。
    3. 3. Samsung 已採用 ACTIS 並共同開發 AI 缺陷過濾與分類軟體，DNP 也驗證 A200、A300 符合 A14 世代評估標準；客戶驗證深化有助 ACTIS 從研發導入量產設備。
    4. 4. EUV 光罩壽命較浸潤式光罩短，替換與檢查頻率因此提高；但 ACTIS 設備通常需逾一年出貨，還要經安裝、評估與驗收，High-NA 遞延可能使訂單認列後移。
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  • 美股 KLAC
    科磊
    受惠高
    1. 1. KLA 2026 財年半導體製程控制營收占比逾 90%，全年營收 135.8 億美元、年增 12%；EUV、2 奈米與 GAA 複雜度提升，將推升光罩、晶圓缺陷及 overlay 檢測需求。
    2. 2. KLA 在半導體製程控制市占約 55%～58%，具光罩缺陷檢測、電子束與量測平台；EUV 光罩缺陷一旦被印至晶圓會放大良率損失，先進客戶導入後黏著度高。
    3. 3. AI 帶動 CoWoS、SoIC 與混合鍵合，KLA 將 2026 年先進封裝製程控制營收目標上修至約 11 億美元、年增逾 70%；封裝檢測可補強 High-NA 導入遞延風險。
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EUV 光罩需以多層反射膜將 13.5 奈米光反射至晶圓，空白光罩的平坦度、反射率與缺陷密度直接限制良率；護膜則在高功率曝光下兼顧透光、耐熱與防汙。HOYA 在 EUV mask blank 的長期客戶認證與寡占地位使其為受惠最高，AGC 與三井化學受惠於空白光罩及 CNT 護膜規格升級，屬受惠高。應追蹤 High-NA 對低缺陷與高透光材料的認證、擴產良率及日本供應集中風險；信越化學雖具相關材料能力，但事業組合較多元，受惠程度為中等。
  • 日股 7741
    豪雅
    受惠最高
    1. 1. HOYA 在 EUV 空白光罩市占逾 75%，具低缺陷、高平坦度與多層 Mo/Si 結構量產能力；長期客戶共開發與認證週期形成高轉換成本，直接受惠 2 奈米與 High-NA 擴產。
    2. 2. 2026 年 3 月期資訊通訊事業營收年增 14%、部門利益年增 12.9%，半導體用光罩受 EUV 先進產品開發與 DUV 需求帶動；高附加價值產品放量可推升獲利。
    3. 3. HOYA 預期 EUV 空白光罩中期需求成長逾 10%，已投資約 420 億日圓在新加坡擴建產能，預計 FY2028 啟用，並布局 phase-shift、High-NA 與 Hyper-NA；但新產能仍須通過客戶認證，且折舊與少數先進晶圓廠需求集中是觀察風險。
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  • 日股 5201
    AGC
    受惠高
    1. 1. AGC 商業供應 EUV 空白光罩，並具備從低熱膨脹玻璃、拋光到多層膜沉積的完整製程；先進節點對平坦度、反射率與低缺陷要求升高，將推升其高附加價值材料出貨。
    2. 2. AGC 的 EUV 空白光罩已獲多家邏輯與記憶體廠採用，且 2025 年產能擴增約 30%；隨 2 奈米與 High-NA EUV 擴產，認證門檻與供應稀缺性有助維持客戶黏著及訂單能見度。
    3. 3. 公司表示 EUV 空白光罩需求於 2026 年回復，全年銷售可望超越 2024 年；半導體相關營收目標由 2025 年約 1,000 億日圓增至 2030 年約 2,000 億日圓，顯示材料事業具中期成長催化劑。
    4. 4. AGC 仍是涵蓋玻璃、化學品、電子材料與生命科學的多元集團，EUV 成長不會等比例反映於全公司獲利；2026 年上半年電子部門營業利益反而年減，投資人須追蹤出貨回升與擴產稼動率。
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  • 日股 4183
    三井化學
    受惠高
    1. 1. 三井化學獲 ASML 授權生產 EUV 護膜，並自 2021 年在岩國大竹工廠商業出貨；EUV 先進製程擴產可直接帶動其高技術材料需求與營收。
    2. 2. 公司正建置 CNT 護膜量產設施，年產能規劃 5,000 片；材料具 EUV 透過率至少 92%、可承受超過 1 kW 光源，對應 High-NA 與高功率曝光升級。
    3. 3. 2026 財年第 1 季 ICT Solutions 營收 778 億日圓、核心營益 111 億日圓，半導體應用受生成式 AI 拉動；但部門涵蓋多項材料，且 CNT 產線初期仍有啟動成本。
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  • 日股 4063
    信越化學
    受惠中
    1. 1. 信越化學電子材料 FY2025 外部銷售達 1.016 兆日圓、占合併銷售約 39.5%，涵蓋光阻、光罩空白與矽晶圓；AI 及先進製程擴產可推升材料需求，但非全數來自 EUV。
    2. 2. 群馬伊勢崎新基地一期投資約 830 億日圓，2026 年啟用並布局光阻、光罩空白及護膜材料；產能擴充有助承接 High-NA 規格升級，但仍須觀察客戶認證與良率爬坡。
    3. 3. 信越化學具高純度材料、缺陷控制與長期認證優勢，且 2026 年第 1 季電子材料需求強勁；不過 EUV 空白光罩主導者仍是 HOYA、AGC，光罩業務貢獻未單獨揭露，故受惠程度屬中等。
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商用光罩廠把設計資料寫入空白光罩，先進節點的 OPC、EUV 圖形、缺陷修補與檢測時間均大幅增加，使高階產品具較高 ASP。大日本印刷與 Tekscend 已布局 EUV、2 奈米及 High-NA 光罩，並可承接邏輯與 HBM 相關外包，屬受惠高；Photronics 正以高階 IC 光罩、韓國 8 奈米擴產及 EUV 研發合作卡位，惟尚未全面建置 EUV 商用產線，為受惠中等。核心觀察指標是先進光罩營收占比、設計 release 節奏、新廠認證與稼動率，而非單看整體晶圓出貨。
  • 日股 7912
    大日本印刷
    受惠高
    1. 1. DNP 已完成 Rapidus 2 奈米 EUV 光罩 NEDO 開發專案，建立製程與製造基礎，並參與其募資，目標 2027 年進入量產供應。
    2. 2. 公司將 FY2026～FY2028 前段光罩資本支出提高至 700 億日圓，投入 EUV 光罩與量產能力；公司目標 FY2028 先進領域銷售較 FY2024 增加 240 億日圓。
    3. 3. DNP 判斷先進邏輯與記憶體光罩外包需求正在增加，已售出 EUV 測試光罩；管理層預期 EUV 約 FY2028 開始量產，帶動高 ASP 商用光罩收入。
    4. 4. DNP 與 Rapidus、Kioxia、imec 等夥伴長期協作，累積超過 10 年微細加工與精密塗布技術；若客戶認證及產能爬坡順利，可提高其在先進節點外包市場的競爭力。
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  • 日股 429A
    Tekscend Photomask
    受惠高
    1. 1. Tekscend 以營收計為全球商用光罩市占 38.9% 的第一名，並以全球 8 個據點提供穩定交期；晶圓廠外包增加時，較有能力承接跨區域訂單。
    2. 2. 2026 年第 1 季營收年增 14.8%，28 奈米以下先進產品占總營收逾 35%；AI、資料中心與節點微縮推升光罩層數及 ASP，有利產品組合與 EBITDA 利潤率。
    3. 3. 公司正把資本支出集中於先進節點，推進日本 EUV 量產準備、美國與韓國產線擴充；韓國第三廠預計 2027 年完工、2028～2029 年量產 14 奈米以下光罩。
    4. 4. 2026 年營收達 1,295.76 億日圓、年增 9.8%，但營業利益反降 2.4%，主因材料、折舊與 IPO 費用增加；投資人須確認新產能認證及稼動率能否消化固定成本。
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  • 美股 PLAB
    Photronics, Inc.
    受惠中
    1. 1. Photronics 2026 財年第三季 IC 光罩營收 1.547 億美元，占總營收約 72%；28、22、14 奈米節點遷移使高階產品占 IC 營收創新高 44%，有利 ASP 與產品組合。
    2. 2. 美國 Allen 廠預計 2026 財年末開始貢獻初步營收，韓國 8 奈米擴產的無塵室準備已大致完成；區域化供應與 captive 光罩外包，可擴大高階接單機會。
    3. 3. Photronics 透過合作夥伴供應 EUV 研發光罩與相關方案，先保留先進節點選擇權；但完整 EUV 商用產線尚未建立，管理層仍等待市場規模足以支撐重大資本投入。
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EUV 光罩價值高且污染容忍度極低，從 POD 儲運、充氣、交換、清洗到檢測自動化，均是晶圓廠維持良率與縮短換罩時間的必要投資。家登的 EUV POD 與 High-NA 大尺寸載具布局直接連結先進製程裝機，為受惠最高；家碩受惠光罩潔淨、傳載及自動化設備需求，華洋精機則切入 EUV 與大尺寸封裝光罩檢測，均屬受惠高。後續應檢視客戶認證後的實際出貨、海外據點進度、毛利率及單一晶圓代工客戶集中度。
  • 台股 3680
    家登
    受惠最高
    1. 1. 家登主力產品 EUV POD 負責高價光罩的潔淨、防護與傳載，直接對應 3 奈米、2 奈米晶圓廠的光罩污染控制需求；製程越先進，載具使用與替換的剛性越高。
    2. 2. 2026 年前 7 月集團營收 50.5 億元、年增 29%，光罩載具占本業營收比重升至 58%；海外 EUV POD 營收達 2025 全年 1.5 倍，顯示 EUV 需求已轉化為實際出貨。
    3. 3. 家登 High-NA EUV POD 已通過 ASML 認證，提前卡位台積電規劃 2030 年導入、2031 年建立大型光罩試產線的下一代載具需求；若 6×12 吋規格量產，ASP 與長期訂單選擇權可望提升。
    4. 4. 樹谷 P2 可增加逾 10%～20% 產能，美國亞利桑那廠預計 2026 年第 4 季試產、日本據點年底前後布局，有助貼近海外晶圓廠；但先進封裝載具仍處小量出貨，且擴廠折舊可能早於放量。
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  • 台股 6953
    家碩
    受惠高
    1. 1. 家碩提供 EUV 光罩交換、充氣儲存、潔淨、檢測與自動化傳載設備，2026 年第 1 季相關產品營收占比升至 66%，直接連結 N2、DRAM EUV 擴產。
    2. 2. 2026 年第 2 季營收達 3.69 億元、年增 6.98%，毛利率升至 52.32%；公司表示設備出貨動能延續至 2027 年，N2 放量與 A14 布局可支撐後續認列。
    3. 3. 家碩已將前段光罩技術延伸至 CoWoS 後段，支援 6 吋與 14 吋光罩，並把 AI 檢測整合至 EUV 設備；封裝光罩層數增加可開啟新增設備需求。
    4. 4. 2026 年第 2 季合約負債升至 7.06 億元，顯示訂單預收增加，但設備須完成出貨與客戶驗收才認列營收；若海外或 DRAM 客戶驗收遞延，短期業績可能落後預期。
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  • 台股 6983
    華洋精機
    受惠高
    1. 1. 華洋精機 2022 年已將 EUV 光罩檢測設備導入國際晶圓廠，SFO 技術可辨識微粒與平面缺陷；製程邁向 2 奈米後，全檢需求可推升設備訂單。
    2. 2. 公司已切入 14 吋 CoWoS 光罩檢查產線，並為主要晶圓代工客戶的 EUV 光罩及 14 吋光罩檢測設備獨家供應商；先進封裝擴產將擴大出貨機會。
    3. 3. 2025 年營收 3.12 億元、年增 24.42%，毛利率 65.57%；清潔機、量測設備及日本市場預計於 2026 年底至 2027 年初帶來新動能，但前三季最大客戶營收占比達 79.63%，集中風險仍高。
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台積電的 N2 量產、2030 年後 High-NA 路線與 6×12 吋大型光罩規劃，是供應鏈長線規格升級的主要需求來源；英特爾已累積 High-NA 量產線經驗，三星則規劃把 High-NA 延伸至先進邏輯與 DRAM。三者是整條鏈的訂單引擎，但其營收並非由光罩直接貢獻，故皆定位為受惠中等。應關注先進製程稼動率、資本支出、良率爬坡及 High-NA 時程；若以既有 Low-NA EUV 延長節點壽命，供應鏈的新增規格需求將遞延。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠中
    1. 1. 台積電 N2 已於 2025 年第 4 季量產，2026 年資本支出上修至 600 億至 640 億美元，其中 70% 至 80% 投向先進製程，將擴大 EUV 光罩、檢測與耗材需求。
    2. 2. AI／HPC 需求使 2026 年第 2 季先進製程占晶圓營收 77%、HPC 占 66%；N2、A14 持續推進會增加高階光罩層與製程控制需求，但台積電僅是需求端。
    3. 3. 台積電規劃 2030 年起導入 High-NA EUV，2031 年建立 12 吋光罩試產線、2033 年支援量產；若如期推進，將催生新規格光罩生態系，但導入仍取決於良率、成本效益與資本支出。
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  • 美股 INTC
    英特爾
    受惠中
    1. 1. 英特爾已在 Panther Lake 部分層導入 High-NA EUV，累計處理逾 100 萬片晶圓，18A 特定層表現達到或優於 0.33 NA，量產驗證有助推動光罩、檢測與載具規格升級。
    2. 2. 英特爾將 2026 年資本支出上調至 200 億美元以上，設備支出年增約 40%，重點投入 Intel 3、18A 與 18A-P；先進製程擴產將增加 EUV 光罩及製程控制採購需求。
    3. 3. 英特爾與 ASML、光罩廠及材料商共同推動 6×12 吋大型光罩標準，若未來降低 High-NA 拼接限制，將帶動光罩基板、製造、檢測與自動化設備的長期規格升級。
    4. 4. 英特爾對光罩 EUV 的受惠主要是需求端而非直接銷售；Q2 2026 Intel Foundry 營收 58 億美元中，外部客戶僅約 2.93 億美元，代工仍虧損，需觀察外部訂單與產能稼動率能否改善投資回報。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠中
    1. 1. 三星同時布局先進邏輯與 DRAM，4nm 以下、HBM4 及 1b／1c DRAM 導入 EUV，製程微縮會增加光罩層數、護膜與缺陷檢測需求。
    2. 2. 三星 2026 年第 2 季資本支出 16.8 兆韓元，其中 15.4 兆韓元投入半導體；記憶體供應緊張預期延續至 2028 年，擴產有利光罩供應鏈訂單。
    3. 3. 三星與 ASML 推進 12 吋大型光罩平台，並規劃 2028 年將 High-NA EUV 導入 DRAM 量產，可提升光罩規格與單套價值；但仍屬導入計畫，時程及良率存在遞延風險。
    4. 4. 三星是光罩 EUV 的需求引擎而非直接供應商，光罩相關採購僅占整體半導體投資一環；若 2 奈米良率、資本支出或 High-NA 導入不如預期，受惠將低於材料與設備商。
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