此類公司直接銷售 DRAM、HBM、NAND 與企業級 SSD，是記憶體漲價最核心受惠者。三星受惠規模、HBM4 與一般型 DRAM 報價同步上行；美光因產能受限、產品組合轉向伺服器 DRAM，且長約鎖至 2027 年，毛利率彈性明確；SK 海力士 HBM 曝險最高，但部分長約會壓抑短期漲價彈性。benefit_level 取決於 產能售罄程度、HBM4 進度、長約價格區間與市占變化，風險是價格漲幅放緩與 2027 後新增供給。
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韓股 005930三星電子受惠最高
- 1. 三星電子 2026 年第 2 季 DRAM 營收達 609.8 億美元、季增 63.4%，市占率 39.4% 居首；報價上行可直接轉化為規模與獲利優勢。
- 2. 三星已率先導入 HBM4 量產並出貨，帶動第 2 季三大原廠中位元出貨季增最高；AI 伺服器需求使 HBM 與高容量 DDR5 持續排擠一般 DRAM 供給。
- 3. 三星第 2 季 DRAM ASP 季增約 44%～46%、NAND ASP 季增約 67%～69%，且兩者位元出貨均創高；DRAM、NAND 同步漲價擴大記憶體事業營收彈性。
- 4. 三星已與五家資料中心客戶簽訂五年滾動長約，搭配預付款與最低價格機制，提高產能利用率與獲利能見度；但長約也可能限制短期現貨漲價彈性。
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美股 MU美光科技受惠最高
- 1. 美光 FY2026 第三季營收 414.6 億美元，其中 DRAM 占 76%、NAND 占 24%；ASP 分別季增約 60% 與 80%，漲價幾乎直接轉化為營收與 84.6% 毛利率。
- 2. HBM4 已進入高量產出貨，且 2026 年 HBM 產能近乎售罄；同時優先配置高單價伺服器 DRAM，能在 AI 需求排擠一般供給時提升產品組合與議價力。
- 3. 美光已簽 16 份策略客戶協議，覆蓋約 20% DRAM 與三分之一 NAND 產量，最低合約收入約 1,000 億美元、另有 220 億美元承諾，提升漲價週期的營收能見度。
- 4. 新廠與先進製程擴產多要到 2027～2028 年逐步貢獻；在供給仍受限期間，美光可先享受高報價，但長約價格上限也可能壓抑現貨急漲時的短期獲利彈性。
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韓股 000660SK 海力士受惠最高
- 1. SK 海力士 HBM 市占約 55%～60%，且 2026 年 HBM 產能已售罄；AI 加速器需求推升稀缺產品出貨與議價能力，直接受惠記憶體漲價。
- 2. 2026 年第 2 季營收 79.32 兆韓元、營業利益 60.54 兆韓元，營業利益率達 76%；DRAM ASP 季增約 30%，價格上漲高度轉化為獲利。
- 3. HBM4 已於 2026 年第 2 季開始出貨，預計下半年全面放量，搭配 1c 奈米 DRAM 供應增加，可提升高階產品比重並支撐後續 ASP。
- 4. 公司已與約 10 家客戶完成多年期 LTA，通常約 5 年且包含押金機制，可鎖定需求並降低擴產風險；但長約定價也會壓抑短期漲價彈性。
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美股 SNDKSanDisk Corporation受惠高
- 1. SanDisk FY2026 資料中心營收達 51.53 億美元、年增 437%；AI 推論、KV Cache 與 RAG 擴大企業級 SSD 需求，直接推升 NAND 出貨、ASP 與獲利。
- 2. SanDisk 已與 8 家客戶簽署多年期 NBM 協議，覆蓋 FY2027 約 50%、FY2028 約三分之二位元出貨，搭配價格地板與財務擔保，降低漲價循環下的營收波動。
- 3. BiCS8、BiCS10 QLC 與高階企業級 SSD 持續升級，BiCS10 位元密度較 BiCS8 提升約 60%；加上與 Kioxia 合資供應延長至 2034 年，有利掌握 AI 儲存的高容量 NAND 需求。
- 4. SanDisk 是純 NAND／SSD 公司，缺乏 DRAM 或 HBM 分散效果；雖 3Q26 NAND 合約價仍預估季增 10%～15%，2027 年下半年供給可能轉寬鬆，價格回落對獲利衝擊將更直接。
