此類公司直接掌握 HBM、伺服器 DRAM 與一般 DRAM 產能,是供需緊張下最核心的定價者。AI 伺服器讓 HBM 與 DDR5 同時吃掉先進晶圓,新增產能又需到 2027 下半年至 2028 年才有明顯貢獻,使三大廠具備長約、預付款與產品組合升級優勢。benefit_level 最高,觀察重點是 HBM4 認證、市占變化、ASP、bit 出貨與資本支出,風險則是 CSP 預算壓力與高價需求破壞。
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韓股 000660SK 海力士受惠最高
- 1. SK 海力士已於 2026 年第二季開始 HBM4 量產出貨,並計畫下半年全面爬坡;AI 加速器升級推升 HBM 需求,有利高 ASP 產品組合與營收成長。
- 2. 公司公布的 2026 年第二季初步數據顯示,營收 79.3 兆韓元、營業利益 60.5 兆韓元、營益率 76%;DRAM ASP 約增 30%,供需緊張直接轉化為獲利。
- 3. 公司已與約 10 家客戶完成多年期 LTA 協商,通常為 5 年且納入保證金;長約鎖定需求與供貨能見度,支撐 M15X、龍仁廠及先進封裝投資,降低景氣反轉的短期波動。
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美股 MU美光科技受惠最高
- 1. 美光 2026 財年第三季營收 414.56 億美元、毛利率 84.6%,DRAM 約占營收 76%;HBM4、伺服器 DRAM 受 AI 資料中心拉貨,ASP 上升直接放大營收與獲利。
- 2. 美光已簽 16 份策略客戶協議,最低合約營收約 1,000 億美元,涵蓋約 20% DRAM 與三分之一 NAND,並有 220 億美元押金及財務承諾,提升供貨能見度與景氣下檔支撐。
- 3. HBM 產品在 2026 年約占 DRAM 位元 9%,卻消耗約 22% 晶圓投片,排擠一般 DRAM 供給;美光同時推進 1-gamma DRAM、G9 NAND 與 HBM4,有利在供需偏緊時維持高 ASP。
- 4. 受惠高度依賴 AI 資本支出與高價需求;TrendForce 預期 NAND 供給可能於 2027 年下半年轉寬鬆,美光亦需承擔大幅擴產與先進封裝資本支出,價格反轉時獲利波動仍大。
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韓股 005930三星電子受惠最高
- 1. 三星 2026 年第二季 DRAM 營收達 609.8 億美元、季增 63.4%,市占 39.4% 重回第一;AI 伺服器拉動 ASP 與出貨,直接放大供需緊張下的獲利。
- 2. 三星已啟動 HBM4 量產出貨,並預期 2026 年第三季 HBM 營收季增 3 倍以上;HBM4 升級可提高高階產品占比,帶動 ASP 與產品組合改善。
- 3. 三星同時掌握 DRAM、HBM、NAND 與企業級 SSD,AI 需求可從 HBM 擴散至 DDR5、SOCAMM2 及儲存;多產品線布局使其受惠範圍大於單一記憶體廠。
- 4. 三星規劃讓約 60%~70% 記憶體產能納入長期供貨協議,預付款與鎖量可提高營收能見度;但實際 HBM4 認證、良率與客戶市占仍是能否追上競爭對手的關鍵。