6770 力積電 11/06 收盤價：52.9 元-1.9 (-3.47%)

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力積電主要是一家晶圓代工廠，替客戶製造半導體晶片；本身不以自有品牌銷售終端記憶體或處理器為主，而是提供製程技術、晶圓製造與相關整合服務。

核心業務可分為幾類：

• 記憶體晶圓代工
  生產利基型 DRAM、NOR Flash、SLC NAND 等記憶體晶片。近期市場重點在於大型記憶體廠將部分產能優先配置給 HBM 等高階產品，使部分傳統或利基型記憶體供給較緊，力積電可承接相關代工需求。

• 成熟製程邏輯晶片代工
  利用成熟製程製造顯示器驅動 IC、電源管理 IC、影像感測、微控制器及其他特殊應用晶片。這類產品廣泛用於消費電子、車用、工控與通訊設備。

• 特殊製程與半導體整合服務
  包括特殊應用積體電路的技術整合、矽智財設計服務，以及半導體設備零組件的維修、開發、製造與銷售。

• AI 相關先進封裝／3D 整合布局
  公司正投入矽中介層（Interposer）、矽電容、Wafer-on-Wafer 堆疊及 HBM 後段相關製程，目標是把既有的記憶體與邏輯製造能力延伸至 AI 晶片所需的 3D 整合與先進封裝供應鏈。

簡單說，力積電的定位是：以成熟製程為基礎、記憶體代工為重要成長動能，並逐步切入 AI 晶片的特殊製程與先進封裝。目前營運表現與股價題材，主要會受記憶體代工報價與稼動率、成熟製程需求，以及 AI 封裝量產進度影響。

力積電目前的市場題材，可分成「短期由報價與稼動率推動」以及「中長期由 AI 先進封裝轉型推動」兩個層次。

1. 記憶體代工漲價：目前最直接的獲利催化劑

AI 伺服器與高頻寬記憶體需求，排擠了部分成熟型 DRAM、SLC NAND 與 NOR Flash 的供給；力積電正好具備這些利基型記憶體的代工能力，因此市場高度關注報價上調能否持續反映至營收與毛利。

• 2026 年第二季記憶體相關營收占比已升至 52%，其中 DRAM 是主力。
• 公司在 7 月再調升 DRAM 投片價格約 45%，漲價效益預期自第四季開始更明顯認列。
• 1X 奈米 DRAM 已進入小量生產；後續更先進製程的導入，將決定單位晶圓產值能否持續提升。
• SLC NAND 受網通、工控、Edge AI 與 IoT 的低容量儲存需求支撐；NOR Flash 則受 AI 伺服器、5G 基地台及車用應用帶動。

這條題材的核心不是單純「記憶體缺貨」，而是力積電能否同時維持價格上漲、產能滿載與產品製程升級。目前市場預期供需偏緊可能延續至 2027 年，但若終端需求轉弱或供給快速增加，報價循環也可能反轉。

2. 3D AI Foundry／先進封裝：中長期估值重點

市場給力積電最大想像空間的題材，是從成熟製程代工轉向高附加價值的 3D AI Foundry。產品包括：

• 矽電容（IPD）
• 矽中介層（Interposer）
• 晶圓對晶圓堆疊（Wafer-on-Wafer, WoW）
• HBM 後段晶圓製造（PWF）

其中，12 吋矽電容已取得國際 CPU 大廠 EMIB 封裝技術認證並開始量產；矽中介層受先進封裝產能緊張帶動，已在新竹產線復線爬坡。WoW 的 4 層產品完成主要客戶驗證，8 層產品仍在驗證；PWF 試產線規劃於 2026 年底完成，目標 2027 年第四季量產。

這項業務第二季營收占比約 5.4%，公司目標三年內拉高至 20%。若占比真的擴大，意義在於毛利結構有機會脫離傳統成熟製程的價格競爭，成為估值重新評價的關鍵；但要留意設備搬遷、無塵室空間、良率、客戶驗證及量產時程，都可能讓營收貢獻遞延。

3. 與美光合作、切入 HBM 後段供應鏈

力積電出售銅鑼 P5 廠後，市場關注的不只一次性的處分收益，而是合作帶來的三層長期效益：

1. 降低原本閒置產能與折舊壓力，改善固定成本結構。
2. 取得較穩定的長約與預付產能安排，提升訂單能見度。
3. 透過 HBM 後段製程 PWF，間接切入 AI 記憶體供應鏈。

這使力積電不必直接承擔高階記憶體前段製造的大量資本支出與現貨價格波動，而能以後段製程、封裝整合與技術服務參與高階 AI 記憶體成長。真正需驗證的是 PWF 能否如期在 2027 年第四季量產，以及量產後的稼動率、良率與毛利率。

4. 邏輯代工漲價與 AI 伺服器 PMIC

力積電的基本盤仍是邏輯與特殊製程。市場聚焦 AI 伺服器提升用電需求後，對 PMIC、MOSFET 等功率元件的拉貨能否帶動高毛利產品比重提高。

• 8 吋與 12 吋邏輯代工投片價格在 7 月調升約 10%～15%。
• 第三季訂單投片比約 1.4 倍，反映短期需求高於供給。
• AI 伺服器 PMIC 需求強，車用與工控需求也回溫；公司策略是逐步降低低毛利產品，將產能移往較有價格支撐的產品線。

因此，市場看的不是所有成熟製程都會受惠，而是力積電能否靠產能調度與產品組合，把供給緊張轉化為可持續的毛利率改善。

5. 輕資產化、財務結構改善與海外技術服務

出售 P5 廠帶來現金回收與折舊下降，對資產負債表和未來固定成本都有正面作用；此外，海外晶圓廠技術授權與服務收入，也是市場期待的輕資產收入來源。

不過，這裡要把一次性收益和本業獲利分開看：短期 EPS 可能受資產處分挹注而顯著改善，但長期投資價值仍取決於記憶體、邏輯與 3D AI 三條產品線能否穩定提升毛利及自由現金流。

題材重要性排序

整體來看，力積電的題材主軸是：先靠記憶體與邏輯代工的報價、稼動率改善獲利，再以 3D AI 封裝與 HBM 後段製程拉高長期毛利與估值。短線股價對記憶體報價和月營收較敏感；中長線則更取決於 AI 相關產品能否從「驗證與小量出貨」走到「穩定量產」。

力積電目前的營收主體已由「邏輯代工為主」逐漸轉為記憶體比重快速上升、3D AI 業務開始貢獻的結構。

2026 年第 2 季產品營收占比

註：各項四捨五入後加總可能略高於 100%。

以三大事業群歸納

• 記憶體相關：約 52%

  • DRAM 46% 加上 Flash 6%。
  • 相較 2026 年第 1 季，DRAM 占比由 38% 明顯升至 46%，主因是記憶體平均售價提高、需求與出貨成長，而不只是其他業務衰退。

• 邏輯／特殊製程：約 42.6%

  • 主要由 PMIC、Discrete、HV/DDIC、CIS、IMC 組成。
  • 其中 PMIC 是邏輯端最大產品線，雖占比從前季 18%降至 15%，但資料顯示這較偏向 DRAM 成長更快所造成的結構性稀釋。

• 3D AI Foundry：5.4%

  • 包含矽中介層、矽電容與 WoW 晶圓堆疊等高附加價值服務。
  • 這塊目前規模還小，但占比已較第 1 季約 3.2%提升；後續能否持續拉高，取決於矽電容擴產、產線搬遷後的中介層產能恢復，以及 PWF 等新服務的客戶驗證與量產時程。

怎麼解讀這個產品結構

力積電短期獲利對記憶體價格與稼動率的敏感度較高：記憶體已逾半數營收，DRAM 報價若延續上行，對營收與毛利率的拉動會很直接；反過來，若記憶體價格反轉，其波動也會放大。

中期則要觀察 3D AI Foundry 能否從約 5%繼續擴大。這項業務若順利放量，理論上可降低公司對傳統成熟製程與記憶體景氣循環的依賴，並改善產品組合與毛利率；但在目前階段，它仍屬於成長選項，而非支撐主要營收的核心來源。

力積電後續展望可分成「短期由記憶體漲價修復獲利」與「中期由 3D AI Foundry 改善產品結構」兩條主線。

1. 近期營運：記憶體報價與稼動率仍是最大驅動

力積電第二季記憶體相關營收占比已升至約 52%，消費型記憶體營收季增 167.8%，顯示 DRAM、Flash 需求與報價上升，已是本業復甦的核心。公司 7 月再調高 DRAM 投片價格約 45%，由於晶圓生產週期，調價效益主要將在第四季營收與毛利中更明顯反映；DRAM 供給缺口則預期可能延續到 2027 年。

邏輯代工方面，公司正壓縮低毛利產品，把有限產能轉往 AI 伺服器 PMIC、車用與工控等較高附加價值應用；下半年 8 吋、12 吋代工價格也已調升約 10%～15%。這代表若投片需求仍高於產能，ASP 上升與產品組合改善可繼續支撐毛利率。

2. 記憶體技術升級：先看 1X，再看 1P

自研 1X 奈米 DRAM 已自 2026 年 6 月進入小量生產，接下來的關鍵不是「是否有製程」，而是良率爬升、客戶驗證與量產速度。若順利量產，能提升產品容量、降低單位成本，並強化對客戶的服務能力。

與美光合作的 1P 奈米製程，規劃在 2027 年第一季導入設備，目標 2028 年中量產；因此它比較偏向 2028 年以後的技術升級選項，短期不宜直接視為 2026～2027 年獲利主力。

Flash 端則有 SLC NAND 價格走揚、MLC NAND 新產品開發，以及 NOR Flash 用於 AI 伺服器、5G 基地台與車用等需求；這些有助於降低公司對單一 DRAM 景氣循環的依賴。

3. 3D AI Foundry：2027 年後最值得觀察的成長引擎

3D AI Foundry 已從第一季營收占比約 3.2%，提高至第二季約 5.4%，公司目標三年內提升到 20%。業務主要包括：

• 矽電容（IPD）：12 吋產品已取得 EMIB 封裝技術認證並穩定量產，2027 年規劃把月產能拉高到 8,000～10,000 片。
• 矽中介層（Interposer）：新竹產線已復線、進入量產爬坡，受惠 AI 先進封裝需求及市場外溢。
• 晶圓對晶圓堆疊（WoW）：4 層產品完成主要客戶驗證，8 層仍在驗證；後者的量產與良率，是技術含金量能否進一步提升的觀察點。
• PWF：與美光合作的 HBM 後段製程試產線，預計 2026 年底完成建置，目標在 2027 年第四季量產。

其中，IPD 和中介層已有量產基礎，較可能先反映在營收；WoW、PWF 則仍屬驗證或試產到量產的轉換期，對 2027 年後的成長斜率較重要。

4. P5 廠處分：改善財務結構，但伴隨產能重整陣痛

出售 P5 廠使公司獲得資金、減少折舊與閒置產能負擔，並透過後段製程合作切入 AI 記憶體供應鏈。這對財務體質與中長期毛利結構屬於正面轉折。

不過，設備與產線移回新竹的過程，會帶來空間、設備搬遷與產品切換的執行風險；公司也因此必須更嚴格地取捨低毛利訂單。短期可能影響部分出貨彈性，但若高毛利的記憶體、PMIC、IPD 與中介層能補上，整體獲利品質會優於過去大量接成熟製程訂單的模式。

5. 展望結論與風險

整體來看，力積電正從成熟製程景氣循環股，轉向「利基記憶體代工 + 高價值邏輯製程 + AI 先進封裝」的複合型代工模式：

• 2026 年下半年：重點在 DRAM 漲價認列、記憶體滿載狀況、邏輯產品調價，以及毛利率能否維持改善。
• 2027 年：IPD、中介層與 WoW 是否如期放量，以及 PWF 試產線建置與客戶驗證，將決定 AI 業務能否成為實質獲利支柱。
• 2028 年以後：1P DRAM 量產若成功，才有機會進一步拉升記憶體產品的技術層級與單位產值。

主要風險則包括：記憶體供需反轉導致報價回落、P5 產線搬遷或新竹復線延誤、WoW/PWF 良率與客戶驗證不如預期，以及成熟製程持續面對中國同業的價格競爭。現階段最重要的是區分：報價帶來的是循環性獲利修復；3D AI Foundry 的放量，才是能否形成長期估值重估的結構性因素。

目前可取得的資料對 2026、2027 年盈餘預估存在落差，主因是記憶體漲價落地速度、3D AI 產線復線與一次性交易影響不同；因此再核對已公布的最新單季 EPS 與近四季基準，才能合理解讀預估區間。

力積電未來兩年 EPS 可先用「2026 年約 7 元、2027 年約 9～10 元」作為市場預估的中性參考；不同公開預估的分歧仍大，反映記憶體漲價、3D AI 業務復線與新產能導入的不確定性。

2026 年預估多落在 5.68～8.53 元；2027 年因邏輯代工續漲、記憶體供給偏緊，以及 3D AI Foundry 復線，估值區間明顯拉大。較積極的情境假設記憶體與邏輯代工 ASP 持續上調、產能維持高稼動率，EPS 可挑戰雙位數；較保守的情境則認為報價漲幅會逐步收斂，新業務尚未能大量挹注。

支撐 EPS 往上走的三項核心：

• 記憶體代工價格遞延反映：第 3 季記憶體產出 ASP 與投片 ASP 仍有超過三成差距，意味先前調漲的投片價格尚未完全轉為營收與毛利，對 2026 年第 4 季至 2027 年初獲利具支撐。
• 成熟製程持續漲價與長約：公司規劃 2027 年邏輯成熟製程價格再調升 10%～20%，且部分 PMIC、MOSFET、IGBT 產能已透過長約鎖定，有助降低單純依賴記憶體現貨行情的波動。
• 3D AI Foundry 恢復與放量：中介層產線預計年底重回較高稼動，WoW 預期於 2027 年上半年量產；這是 2027 年 EPS 能否高於 2026 年的重要變數。至於 PWF 與先進 DRAM 合作，較明顯的營收貢獻偏向 2028 年，並非 2027 年主要獲利來源。

需要特別剔除的一次性因素：2026 年前 3 季 EPS 為 5.42 元，但其中包含銅鑼廠處分相關的其他營業收益約 172 億元，因此不能直接用前 3 季 EPS 年化來推估本業常態獲利。看未來兩年時，更應聚焦毛利率、產能利用率、記憶體／邏輯 ASP 與 3D AI 營收占比。

整體而言，2026 年是記憶體漲價與稼動率回升帶動的獲利修復年；2027 年則是能否由成熟製程景氣，進一步延伸至 3D AI 製程成長的驗證年。 若記憶體價格高檔延續、邏輯製程順利漲價，2027 年有機會偏向區間上緣；反之，若記憶體報價轉弱或新業務量產遞延，EPS 較可能停留在 8 元左右的保守情境。

力積電的產業前景可概括為：成熟製程景氣回升、利基記憶體供給轉緊，以及 AI 帶動先進封裝與 3D 堆疊需求；但能否把產業順風轉成長期獲利，取決於其高附加價值產品的量產與占比提升速度。

產業定位：不只是成熟製程代工

力積電核心仍是 8 吋、12 吋成熟製程，產品涵蓋 DRAM、Flash、PMIC、功率元件、顯示驅動 IC、感測器等；2026 年第 1 季產品組合中，邏輯約占 52.8%、記憶體約占 44%、3D AI 業務約占 3.2%。公司正嘗試由標準成熟製程的價格競爭，轉向利基記憶體、AI 電源管理、矽中介層、矽電容與晶圓堆疊等技術服務。

這個方向很重要，因為成熟製程若只供應標準化消費性晶片，容易面對中國業者新增產能與低價競爭；若能切入客製化、車用、工控、AI 周邊與先進封裝，定價權、客戶黏著度與毛利結構通常會較好。

三項主要產業動能

1. 利基型記憶體供需偏緊

AI 伺服器拉動高階記憶體需求，主流記憶體廠將資本支出與產能優先投入高頻寬記憶體，間接壓縮成熟 DRAM、SLC NAND、NOR Flash 等利基市場的供給。這讓原本偏循環性的記憶體代工，出現較明顯的報價與稼動率修復。

目前市場資訊顯示，DRAM 供給吃緊可能延續至 2027 年；力積電也已在 2026 年調升 DRAM 投片價格，成熟製程的 8 吋、12 吋代工價格也因供給緊張而上調。

對力積電而言，這不僅是營收增加，更關鍵的是： - 記憶體產能利用率提高，有助攤提固定成本。 - 報價上升可改善過去成熟 DRAM 代工的低毛利問題。 - SLC NAND 與 NOR Flash 可受惠於工控、網通、車用、AI 邊緣裝置等長生命週期需求。

不過，記憶體仍有景氣循環特性；若雲端業者資本支出放緩、原廠重新擴充成熟 DRAM 供給，價格上行的持續時間便可能低於預期。

2. AI 對成熟製程的需求，集中在「周邊晶片」

AI 的受惠者不只有最先進邏輯晶片。AI 伺服器、資料中心與邊緣運算設備，同步需要大量電源管理 IC、功率元件、感測、介面、儲存與特殊記憶體，這些多數仍使用成熟或特殊製程。

力積電可受惠的應用包括： - AI 伺服器 PMIC、功率元件：高功率與高效率電源需求增加。 - 車用與工控：重視可靠性、認證與供應穩定，產品生命週期較長。 - SLC NAND、NOR Flash、利基 DRAM：應用於網通、工控、車用與邊緣設備。 - 顯示驅動 IC、感測器：雖較具消費性循環，但在供給收斂時也有報價回升機會。

產業趨勢也顯示，成熟製程競爭重點已從單純縮小線寬，轉為特殊製程、客製化整合與高可靠度應用；AI、車用、工控與供應鏈區域化是主要驅動來源。

3. 3D AI 代工是中長線的轉型選項

力積電最具想像空間的成長方向是 3D AI Foundry，包括矽中介層、矽電容、Wafer-on-Wafer 晶圓堆疊，以及 HBM 相關後段晶圓製造服務。

AI 晶片的運算效能愈高，晶片與記憶體間的頻寬、功耗與供電穩定性愈成為瓶頸，因此 2.5D/3D 整合、矽中介層與高密度矽電容的重要性提高。力積電的 3D AI 業務目前占比仍小，但已被定位為未來三年要提升至營收 20% 的成長引擎。

若此業務順利放量，意義不只是新增營收，而是： - 改善產品組合，降低對傳統成熟製程價格的依賴。 - 提升技術門檻與客戶共同開發深度。 - 搭上 AI 先進封裝供應鏈成長，而非只參與低毛利晶圓代工。 - 以較輕資產、較高附加價值模式支撐中長期毛利率。

結構性利多：供應鏈去風險

全球客戶為降低單一地區供應風險，正提高非中國成熟製程產能的採購比重。台灣具備完整供應鏈、製造經驗與客戶驗證基礎，對成熟製程代工廠是潛在轉單機會。力積電也將此視為爭取歐美、日本客戶與導入新產品的重要背景。

不過，這項利多並不代表訂單必然長期落在單一公司；客戶通常也會分散供應來源，因此技術、成本、良率、產能位置與長約能力仍是競爭關鍵。

需留意的風險

• 中國成熟製程擴產與殺價：這仍是成熟製程產業最根本的風險，尤其在消費性需求轉弱時，標準品價格容易承壓。
• AI 資本支出循環：AI 需求若降溫，會影響記憶體價格、先進封裝投資與電源管理需求。
• 新技術量產風險：3D 堆疊、矽中介層、矽電容雖具高附加價值，但需經歷客戶認證、良率爬升與產能建置，營收貢獻不會一次到位。
• 產線調整與資本支出：產能移轉、設備投資和折舊下降的進程，會影響短期毛利率波動。
• 一次性收益與本業需分開看：資產處分可改善財務結構，但評估長期競爭力時，仍應聚焦本業毛利率、稼動率與高附加價值產品占比。

整體判斷

力積電所處產業的短中期環境偏正向：記憶體供給緊縮、成熟製程漲價與 AI 周邊需求，共同改善營運條件。中長期真正的觀察重點，則是它能否將 3D AI、HBM 後段製造、矽中介層與矽電容，從目前的小型業務培養成具規模的第三支柱。

因此，力積電的產業前景較適合用「成熟製程景氣復甦＋高附加價值轉型」來理解：前者提供近期獲利修復，後者決定長期評價與抗景氣循環能力。

力積電採「開放式晶圓代工」模式，客戶以無晶圓廠 IC 設計公司（Fabless）為主，而非以自有品牌銷售記憶體或晶片。2026 年第二季 Fabless 客戶營收占比已由 83% 上升至 90%，IDM（整合元件製造商）約占 10%；因此客戶分散度相對高，公開資訊通常不會揭露各單一客戶名稱與營收比重。

目前可較明確辨識的合作客戶／客群如下：

• 美光：是最明確揭露的策略合作夥伴。合作範圍包括 1P／1β DRAM 製程開發，以及 HBM 後段 PWF 製程；後者預計在 2027 年第四季進入量產。這類合作偏向技術與製造服務，並非力積電自有品牌記憶體銷售。
• 國際 CPU／AI 平台廠商生態系：力積電的高密度矽電容已通過 Intel EMIB 認證並放量，代表已切入相關先進封裝供應鏈。不過，實際下單者可能包含封裝、系統或晶片供應鏈夥伴，未公開完整客戶名單。
• DRAM、Flash 的 Fabless 設計公司與通路商：DRAM 客戶主要是此類客群，需求來自消費電子、網通、工控、邊緣運算等領域；2026 年第三季 DRAM（含利基型）占營收 55%、Flash 占 6%，記憶體客戶已是營收核心。
• PMIC 客戶：包括 AI 伺服器、手機與車用電源管理晶片設計業者。其中 AI 伺服器與車用相關需求較強，部分客戶以 55 奈米 BCD 製程簽下三年供應安排。
• 車用與工控 IC 設計業者：產品涵蓋車用 TDDI、車用 BCD 電源管理、MOSFET／IGBT 等，部分 2027 年產能已以長約綁定。
• 印度塔塔電子：主要關係是建廠顧問與技術移轉、Fab IP 授權，屬於技術服務合作，並不是一般意義的晶圓代工下單客戶。

投資上應如何解讀：
力積電的客戶結構不像部分大型代工廠由少數品牌客戶主導，而是以眾多 IC 設計公司為基本盤。短期營收最受利基型 DRAM／Flash 客戶拉貨與報價影響；中長期則要看美光合作能否如期轉為量產營收，以及 AI 封裝相關客戶對 IPD、矽中介層、WoW 的驗證與投片進度。這也使其成長機會較多元，但記憶體景氣與成熟製程供需變化對獲利波動的影響仍相當大。

力積電的競爭位置不能只用「晶圓代工」或「記憶體廠」來看；它同時跨足利基型 DRAM／Flash 代工、成熟製程邏輯代工與 3D AI 特色製程。因此，競爭對手依產品線不同而不同。

競爭版圖

目前力積電的 DRAM（含 Specialty）已占 2026 年第三季營收 55%，Flash 約占 6%，記憶體代工是最直接影響短期獲利的主戰場；PMIC、分離式元件與高壓製程則提供成熟製程的分散收入來源。

力積電的優勢

1. 少數仍有利基 DRAM 代工能力的供應者

大型原廠將先進產能轉往 HBM、伺服器 DRAM 與高階 NAND，使 DDR3、DDR4、低中容量及工控／IoT 產品的供給收縮。力積電不以最新世代 DRAM 正面競爭，而是承接被大型原廠降低優先度的成熟規格需求，這讓其在利基型 DRAM 代工的稀缺性提高。公司並以 1P DRAM 製程升級，規劃於 2027 年第二季進入試產。

優勢含意：
利基 DRAM 客戶看重的通常不是最低成本，而是供貨穩定、長生命周期與製程驗證；工控、網通、車用與 IoT 客戶的轉廠成本較高，有助於降低短期削價競爭。

2. 記憶體與邏輯製程並存，產品配置較彈性

相較單一產品導向的成熟製程廠，力積電可在 DRAM、Flash、PMIC、功率元件、顯示驅動與影像感測器間調整資源。當某一類產品景氣轉弱時，理論上可透過高稼動率的其他產品吸收固定成本。

2026 年第三季，公司產能利用率已升至 97%，ASP 上升與稼動率改善，帶動毛利率升至約 48%。

優勢含意：
這種組合使公司不像純 DRAM 製造商完全暴露在記憶體報價循環下；但在目前 DRAM 營收占比升高後，短期獲利對利基記憶體價格仍明顯敏感。

3. 成熟製程正切入較高附加價值應用

成熟製程的競爭不只比晶圓價格，也比平台完整度、車規認證、良率與交期。力積電的 55 奈米 BCD 已切入 AI 伺服器 PMIC，並以長約鎖定部分客戶；MOSFET、IGBT 相關產能也已有相當比重以長約配置。公司計畫將 2027 年成熟製程報價再調漲 10% 至 20%，反映特定供給仍偏緊。

4. AI 封裝是中長期差異化選項

力積電利用 DRAM 製程能力延伸至 IPD 矽電容，再串接 Interposer、WoW 與 PWF，試圖提供邏輯、記憶體與封裝整合服務。這類產品的認證週期較長、客製化程度較高，若量產順利，毛利結構可望比標準型利基記憶體更穩定。

目前 Interposer 與 WoW 仍在搬遷後復線與試產階段，預計 2027 年上半年量產；PWF 則規劃於 2027 年第四季量產。因此，這是未來競爭力來源，而非目前的主要營收支柱。

力積電的劣勢與風險

1. 技術世代與資本規模不及國際 DRAM 龍頭

力積電的核心定位仍是成熟世代、利基規格與代工服務，不具備 HBM、先進 DDR5 等最新主流產品的大規模競爭力。這並非短期問題，因為公司刻意避開高資本支出、技術快速迭代的正面戰場；但也代表其無法直接分享最高階 AI 記憶體的主要價值。

投資解讀：
當利基 DRAM 缺貨時，這種定位是優勢；若未來成熟 DRAM 供給恢復、價格下跌，公司相較高階產品供應者的防禦力會較弱。

2. 利基記憶體仍有商品化與循環性

DRAM 雖然是利基市場，仍會受終端需求、客戶庫存、回收顆粒、競爭者擴產與價格波動影響。近期 DDR3 現貨已受到拆機回收貨增加而走弱，雖然公司認為屬短期現象，但它說明利基市場不是完全不受景氣循環影響。

尤其力積電第三季 DRAM 占營收達 55%，若合約價漲幅收斂、客戶投片轉趨保守，對 ASP、稼動率與毛利率都會有放大效果。

3. 中國成熟製程產能是長期競爭壓力

在 PMIC、DDI、MCU、功率元件、NOR Flash 及部分利基記憶體領域，中國業者的成熟製程擴產、在地供應鏈需求與成本競爭，長期都可能壓抑報價。力積電的競爭策略是以非中國供應鏈、客戶共同開發、品質與供應穩定性來區隔，但這不代表能完全避開價格競爭。

4. 3D AI 題材尚待量產驗證

IPD、矽中介層、WoW、PWF 確實能拉高技術門檻，但目前仍有產線遷移、良率、客戶驗證與量產爬坡的不確定性。第三季 3D AI Foundry 營收占比僅約 1.4%，低於前一季，主因是銅鑼廠設備搬遷影響產出。

因此，市場若以 AI 封裝高成長預先給予評價，後續需看到實際產能恢復、出貨增加與營收占比提升，才可證明護城河正在形成。

5. 擴產空間與資本配置受限

現有無塵室空間已接近用盡，新廠仍在台灣、日本與新加坡等地評估中。公司雖規劃透過客戶共同投資或預付款降低資本支出風險，但也表示新產能不是短期就能開出。這在供不應求時有利維持價格，卻也限制公司快速承接額外訂單的能力。

綜合判斷

力積電最具辨識度的競爭力，是利基記憶體代工的稀缺性 + 邏輯與記憶體混合產能 + 往 AI 特色製程升級的選項。在利基 DRAM 供應收縮、成熟製程滿載的環境，這個組合有利於提升 ASP、稼動率與固定成本吸收。

但其核心弱點也很清楚：目前獲利仍高度仰賴利基記憶體景氣與報價，先進 AI 封裝尚未形成大規模營收。 因此，力積電較適合被視為「記憶體／成熟製程循環改善，加上 AI 特色製程上行選擇權」的公司，而非已完全轉型為高門檻 AI 封裝平台的業者。