2303 聯電 11/04 收盤價：105.5 元+2.5 (+2.43%)

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聯電（2303）主要是專業晶圓代工廠：客戶負責設計晶片，聯電則依照客戶設計，在自有晶圓廠把晶片製造出來；它不是以自有品牌銷售手機處理器或記憶體晶片為主。

公司的核心定位是成熟製程與特殊製程，主要提供：

• 邏輯／混合訊號晶片製造：應用在通訊、消費電子與電腦產品。
• 顯示驅動 IC 的高壓製程：用於 LCD、OLED、micro-LED 等面板。
• 電源管理相關製程：包括 BCD、高壓元件，支援 PMIC、MOSFET 等電源與功率元件。
• 嵌入式非揮發性記憶體：常見於微控制器、智慧卡、SIM 卡與各種需要儲存韌體的晶片。
• 射頻技術：如 RFCMOS、RFSOI，可用於手機、Wi‑Fi、5G 通訊與射頻前端元件。
• 感測器與特殊元件：包括 CMOS 影像感測器、MEMS 等。
• 先進封裝與矽光子布局：發展 2.5D／3D IC、晶片堆疊與高速光互連，瞄準 AI、資料中心與邊緣運算需求。

簡單說，聯電不以追逐最尖端製程為唯一目標，而是集中資源在22/28 奈米及其他具差異化的成熟、特殊製程，服務通訊、消費電子、電腦，以及車用、工業等市場。2026 年第三季的應用結構中，通訊約占 39%、消費電子約占 32%、電腦約占 13%，其餘包含車用與工業等應用。

市場目前看聯電，核心不是「是否切入最先進邏輯製程」，而是能否把成熟製程的復甦，轉化成稼動率、價格與產品組合同步改善，並以矽光子、先進封裝與 12 奈米建立下一階段的成長曲線。

1. 成熟製程復甦與稼動率回升

這是短期最直接反映在營收、毛利率與評價的題材。

• 需求回升主要來自 PMIC、MCU、顯示驅動 IC、Wi-Fi、網通、感測器等；聯電的 22/28 奈米及特殊製程是重點。
• 2026 年第二季稼動率已由第一季的 79% 上升至 85%，市場持續觀察能否穩在 90% 以上。稼動率上升意味固定成本攤提改善，通常有利毛利率。
• 9 月營收達 253.5 億元、年增 27.2%，顯示本業需求仍在改善；但產品組合若偏向 ASP 較低的 8 吋 PMIC、MCU 與感測器，營收成長未必會等比例反映到毛利率。

市場真正看的指標：22/28 奈米占比、12 吋與 8 吋稼動率、晶圓平均售價（ASP），以及客戶對 2027 年合約價格的接受度。

2. 特殊製程升級：降低中國成熟製程價格競爭

成熟製程不是單一市場。聯電希望提高 BCD、高壓製程、RF-SOI、嵌入式非揮發性記憶體、電源管理等特殊製程比重，以避開標準化 28 奈米以上製程的削價競爭。

市場重視此題材，原因是特殊製程具有較高客製化門檻與客戶轉換成本；若特殊製程占比增加，即使中國同業持續擴產，也較有機會守住 ASP 與毛利率。現有資訊指出，特殊製程營收比重已超過五成，是聯電與一般成熟製程代工廠拉開差距的基礎。

3. 矽光子：AI 資料中心高速互連的新選項

矽光子是聯電目前最受市場矚目的中長期 AI 題材之一。

• 聯電已交付首批 12 吋矽光子量產晶圓，代表布局已從技術驗證進入商業化初期。
• 後續將發展 12 吋 PIC 平台，並結合 8 吋薄膜鈮酸鋰（TFLN）調變器，瞄準高速光通訊、Optical I/O 與共同封裝光學（CPO）。
• 矽光子單位價值與技術門檻可望高於傳統 CMOS 晶圓；不過，現階段對整體營收占比仍低，市場更在意 2027 年平台開放後的客戶導入、量產良率與訂單擴張。

因此，這個題材的意義主要在於：聯電有機會從成熟製程代工，升級為具備「特殊材料＋光子晶片＋封裝整合」能力的平台供應商；但營收顯著放量仍偏向 2027 年後。

4. 先進封裝與異質整合

聯電不走完整 AI 加速器封裝平台的競爭路線，而是聚焦在其中可與既有製程能力結合的環節，例如：

• 矽中介層
• 深溝槽電容（DTC）
• 晶圓對晶圓堆疊
• 記憶體堆疊
• Hybrid Bonding 與 Chiplet 整合

目前已有超過 10 家活躍客戶、35 項以上新產品案在推進。這項業務的投資邏輯是：AI、HPC 與高速網通晶片功耗提升後，電源完整性、晶粒互連與記憶體整合都成為瓶頸；聯電可供應高附加價值的製造環節。

但需區分題材與獲利時間：專案在 2026 至 2027 年進入設計定案與驗證，較明顯的產能與營收貢獻，預期偏向 2028 至 2029 年。

5. 與 Intel 合作的 12 奈米製程

12 奈米是聯電往更高階成熟節點延伸的重要題材，也具較輕資本的特性。

初期應用鎖定 Wi-Fi、通訊、高速 I/O 等產品。市場關注的不是單純多了一個製程節點，而是聯電能否藉此從強勢的 22/28 奈米客戶基礎，延伸到更高單價、技術規格更高的產品。第一波具意義營收預期在 2027 年底以後逐步出現，量產規模與良率將決定此題材能否從預期轉為實績。

6. 資本支出：成長布局，也是短期毛利率壓力

公司擴大資本支出，主要不是再投入大量標準成熟製程，而是建置新加坡矽光子產能、台南先進封裝基地，以及 BCD 電源管理、客製化記憶體堆疊等特殊應用。未來兩到三年規劃投入近 50 億美元，但會依客戶承諾與專案進度分階段執行。

這是雙面刃：

• 正面：顯示公司對 AI、矽光子與封裝需求有長期布局，也有助擴大高附加價值產品的供應能力。
• 風險：新廠租金、設備與折舊增加，可能在新業務尚未充分放量前壓抑毛利率；因此市場會檢視資本支出是否有客戶訂單與稼動率支撐。

綜合判讀

聯電的題材可分為兩條線：

簡單說，成熟製程復甦決定聯電當下的獲利底部與毛利率彈性；矽光子、先進封裝與 12 奈米，則決定市場願不願意給它更高的長期成長評價。最大風險仍是非 AI 消費性需求復甦不均、中國業者的價格競爭，以及擴產後折舊上升速度快於新業務放量。

前次資料已能確認聯電以通訊與消費性電子為主要應用，但要精準整理最新產品／應用營收占比，仍需補上公司最新季度的結構數據與製程別占比。

聯電的營收本質上是晶圓代工服務，公司通常不以單一 IC 產品別揭露，而是以「終端應用」與「製程節點」拆分。最新 2026 年第三季合併營收為 742.4 億元，季增 8.0%；今年前三季營收則依序為 610.4、687.3、742.4 億元，呈逐季走升。

依終端應用別營收占比

通訊是目前最大營收來源，通訊加消費性電子合計達 71%，因此手機、網通、顯示與電源管理需求仍是短期稼動率的核心。車用與工業則雖被歸在「其他」，但因產品生命週期較長、驗證門檻較高，對特殊製程的價格與毛利結構較有支撐。

依製程節點營收占比

40 奈米以下製程合計已占 51%。其中最重要的結構變化是 22 奈米持續提升，主要由顯示驅動 IC、車用雷達與 Wi‑Fi IC 等產品導入帶動；相對而言，較成熟節點仍有近半營收，代表聯電的基本盤依然與消費性、類比、電源及控制類晶片景氣高度連動。

新業務目前的定位

先進封裝、矽光子、深溝槽矽電容與薄膜鈮酸鋰等新業務，公司已確認正逐步放量，但尚未單獨揭露營收占比。現階段它們對整體營收仍非主力，策略意義在於提升特殊製程比重與單位晶圓價值；若後續客戶量產擴大，才可能成為產品組合明顯轉強的來源。

聯電後續展望可分成「短期成熟製程維持高檔」與「中長期往高附加價值業務轉型」兩條主線。

短期：營運動能延續，但成長幅度趨於溫和

第四季公司預期晶圓出貨量季增約 1%～3%、產能利用率維持約 九成以上，毛利率大致與第三季的 34% 相當。這表示目前並非需求急轉弱，而是既有產能已接近高利用率，短期營收成長將主要來自產品組合與新業務，而非單純的大幅增產。

成熟製程中，22/28 奈米特殊製程仍是核心支撐。第三季該節點占晶圓營收 35%，其中 22 奈米占 18.3%，主要由顯示驅動 IC、車用雷達、Wi‑Fi、物聯網與高階電源管理 IC 帶動。這些產品相較一般商品化成熟製程，價格、技術門檻及客戶黏著度較佳，有利聯電維持較高的稼動率與獲利結構。

2027 年：從「出貨量成長」轉向「價格與組合成長」

聯電對 2027 年的策略重點，是在熱門特殊製程產能吃緊、8 吋與 12 吋需求改善的背景下，透過年度合約協商、製程升級及產品組合優化來改善價格。公司預期全年混合平均售價有望年增約 10%。

這個轉變很關鍵：當產能利用率已經超過九成，若 ASP 確實上升，對營收與毛利率的槓桿通常比單純增加出貨量更大。不過，漲價能否完全落實，仍取決於客戶接受度、同業供給變化及中國成熟製程廠的競爭強度。

中長期成長引擎：矽光子、薄膜鈮酸鋰與先進封裝

聯電正嘗試將成熟製程的製造能力，延伸到 AI 基礎設施需求較強、附加價值更高的領域：

• 矽光子（PIC）：12 吋平台已可支援 1.6T 光通訊，持續往更高速的下一代互連技術發展。
• 薄膜鈮酸鋰（TFLN）調變器：已完成 1.6T 系統驗證，可與矽光子平台結合，改善高速資料傳輸的頻寬與功耗。
• 先進封裝與深溝槽電容：手機應用已量產；AI／伺服器的嵌入式方案已完成設計定案與初步驗證，切入的是 AI 系統對供電、記憶體頻寬與異質整合的需求。

這些新業務目前對整體營收仍在早期階段，但其意義不只是新增營收，而是有機會提高產品組合的技術含量與毛利結構。公司也規劃讓矽光子、矽電容及 TFLN 相關產能在 2028 年底起逐步放量，2030 年達較完整的規模；因此，它們較偏向 2028 年以後的成長選項，而不是 2027 年立即大幅挹注獲利的題材。

資本支出是機會，也是獲利觀察點

聯電已追加約 32 億美元預算，將在新加坡與台南擴充矽光子、先進封裝及特殊製程相關能力。這反映公司看好客戶的長期需求，也顯示其成長重心已由一般成熟製程擴產，轉向高價值特殊製程與 AI 周邊基礎設施。

但擴產也代表未來幾年折舊、設備與建廠成本提高。若新產能放量速度低於預期，或客戶驗證時程拉長，毛利率可能先受到折舊壓力；因此，產能利用率是否能長期維持高檔、新業務實際營收占比是否提升，是後續比單季營收更重要的驗證指標。

綜合判斷

聯電的基本盤仍是 22/28 奈米與特殊製程需求復甦、產能利用率高檔及價格環境改善；2027 年的主要看點是 ASP 能否如預期上調、帶動本業獲利持續改善。

更長線則要看矽光子、TFLN、先進封裝能否從客戶驗證進入穩定量產。若順利，聯電將不再只是成熟製程景氣循環受惠者，而是能參與 AI 高速傳輸、供電與異質整合需求的特殊製程平台；反之，若成熟製程競爭加劇、漲價不如預期，或新事業量產遞延，營運改善速度便可能低於市場期待。

聯電未來兩年（2027、2028 年）的 EPS 預估，可先用「市場區間」而非單一數字來看：

2027 年的預估分歧明顯，主因是 2026 年第二季有較大的業外投資收益基期。因此即使本業營收、毛利率與營業利益可望顯著改善，整體稅後 EPS 未必同比大幅增加。較保守估計為 7.05 元，較積極估計接近 7.9 元；多數預估落在 7.5 元上下。聯電已提出 2027 年平均售價（ASP）年增約 10% 的方向，在產能利用率已逾九成、部分製程接近滿載時，獲利成長將更依賴漲價與高附加價值產品占比，而不單是出貨量。

2028 年目前公開預估較少，但可見的預估約為 8.91～9.96 元。其邏輯是新加坡與台南的矽光子、矽電容、TFLN 調變器及先進封裝相關產能，預計自 2028 年底開始陸續開出；因此，2028 年較可能是「先反映部分新業務與產品組合升級」，真正更完整的產能與營收貢獻偏向 2029～2030 年。

判讀重點：

• 2027 年看本業品質，不只看 EPS 年增率。若扣除 2026 年一次性或較高的業外收益，2027 年營業利益與毛利率改善會更具代表性。
• ASP 能否落實上漲約 10%，是 2027 年 EPS 能否由 7 元中段往 7 元後段靠攏的核心。
• 毛利率與折舊的拉鋸是風險：新投資與產能建置會增加折舊、成本壓力，可能限制毛利率上行幅度。
• 2028 年的上修空間來自新業務量產速度，但客戶認證、良率、設備裝機與終端 AI 光互連需求，都會決定 EPS 能否接近或超過 10 元。

以目前頁面所示 11 月 4 日收盤價 105.5 元換算，若採 2027 年 EPS 7.5 元的中性情境，預估本益比約 14.1 倍；若 2028 年 EPS 達 9.4 元，則約為 11.2 倍。這代表市場目前較聚焦於：聯電能否將成熟製程景氣復甦，轉化為可持續的價格、毛利率與高附加價值產品成長。

聯電所處的成熟製程晶圓代工產業，目前正從傳統的庫存循環復甦，轉向由 AI 基礎建設、車用與工控需求帶動的結構性成長。關鍵不在最先進的 AI 運算晶片，而在 AI 系統所需的大量電源、連接、控制與光互連元件。

產業成長主軸：AI 將需求外溢至成熟製程

AI 伺服器的功耗持續提高，帶動 48V 電源架構、PMIC、功率元件、MCU、類比／混合訊號晶片及高速連接元件需求。這些晶片多數不需要最先進製程，反而仰賴 8 吋、12 吋成熟製程中的高壓、BCD、RF-SOI、特殊製程等能力。

因此，成熟製程的復甦呈現明顯分化：

• 相對強勢：AI 伺服器電源管理、功率元件、車用、工控、MEMS、混合訊號、22/28 奈米特殊製程、矽光子與封裝中介元件。
• 相對疲弱：DDIC、低階 MCU，以及高度依賴中低階手機、PC 等消費性電子的標準化產品。

這代表產業不是全面缺貨，而是高規格、特殊製程與高可靠度產能變得更有價值。

供給端收斂，有利稼動率與報價

本輪景氣較過去有利的一點，是成熟製程供給沒有快速擴張：

• 部分晶圓廠將資本與人力轉向先進製程、先進封裝，或把既有產能改做高毛利的 AI 相關產品。
• 全球 8 吋產能預估在 2026、2027 年分別減少 6%、2%，新建 8 吋廠有限，供給彈性較低。
• 當 AI 帶動 PMIC、功率元件等需求增加時，有限的有效產能更容易反映在稼動率、報價與毛利率上。

市場資料顯示，2026 年第 4 季全球成熟製程稼動率已來到約 91%，2027 年第 1 季的 8 吋與 12 吋成熟製程報價，預期有約 4% 至 8% 的季增空間。

聯電的產業定位：避開低價標準製程，走向特殊製程

聯電的核心機會，在於其 22/28 奈米與特殊製程平台可承接較高價值的需求，包括：

• 嵌入式高壓、BCD 與 PMIC
• RF-SOI 與通訊晶片
• 車用雷達、Wi-Fi、顯示驅動 IC
• 矽中介層、Bridge Die、深溝槽電容
• 矽光子、光互連與先進封裝相關元件

2026 年第 3 季，聯電產能利用率為 92%、晶圓出貨量超過 120 萬片約當 12 吋晶圓，22/28 奈米營收占晶圓銷售比重達 35%，反映需求改善已從題材逐步反映到營運。公司預期第 4 季稼動率維持約 91% 至 93%，並認為 2027 年平均售價有望較 2026 年提升約 10%，動能除了報價，也來自高價值產品組合提高。

矽光子：成熟製程的新成長賽道

AI 資料中心不只需要算力，也需要更高速、低功耗的資料傳輸。隨著 1.6T、3.2T 光互連規格推進，矽光子晶片成為資料中心內部高速傳輸的重要技術之一。

這對聯電的意義在於：

1. 矽光子雖屬成熟特殊製程，但技術門檻高，重點在良率、缺陷控制與光電整合能力，不是純粹比低價。
2. 客戶一旦完成光模組、雷射、封裝與系統驗證，供應商更換成本高，產品生命週期可較長。
3. 聯電已完成首批 12 吋矽光子量產晶圓交付，後續關鍵將是客戶導入速度、量產規模與良率能否持續提升。

主要風險：中國產能與非 AI 終端需求

產業前景雖改善，但不代表所有成熟製程都能享有相同獲利。最需留意兩項風險：

• 中國業者擴產與低價競爭：在 55/90 奈米、28 奈米以上等標準化製程，新增產能仍可能壓抑價格，對技術門檻較低的產品影響最大。
• 消費性電子需求疲弱：PC、中低階手機與部分顯示相關需求仍偏弱，若 AI 電源、車用與工控需求未能補足，成熟製程整體稼動率仍可能波動。

因此，聯電未來能否持續優於一般成熟製程廠，重點不只是總出貨量，而是22/28 奈米、電源管理、車用、RF-SOI、矽光子與先進封裝等高附加價值產品占比能否穩定提高。面對中國低價競爭，產業競爭模式正從比產能與價格，轉為比客戶綁定、技術差異化與產品組合。

聯電是純晶圓代工廠，客戶以無晶圓廠 IC 設計公司（Fabless）為主，而非直接面對手機、車廠或終端消費品牌。公司沒有完整公開「前十大客戶」與個別營收占比，因此較適合從客戶類型、應用與已公開合作案來看。

• 客戶結構：2026 年第一季 Fabless 客戶約占營收 86%，IDM（自行設計與製造的半導體廠）約 14%；公司服務超過 400 家半導體客戶，客戶基礎相對分散。
• 最大客戶應用是通訊：2026 年第三季通訊占晶圓銷售 39%、消費性電子 32%、電腦 13%、其他 16%。通訊客戶所需晶片涵蓋手機、Wi‑Fi、網通、射頻前端與高速介面等；消費性則包括顯示驅動 IC、MCU、機上盒、電源管理 IC 等。
• 具名合作客戶／夥伴：日本車用電子供應商 DENSO 是已公開的重要合作對象，雙方透過聯電日本子公司量產電動車用 IGBT 功率元件。
• 新興客戶群：聯電正切入雲端服務、AI 伺服器與光通訊供應鏈，提供矽光子、先進封裝、深溝槽電容與電源相關技術；公司已提到先進封裝計畫有超過 10 家客戶合作，但未公開其名稱。

投資上較關鍵的不是單一終端品牌，而是聯電能否持續提高22/28 奈米特殊製程、車用、通訊與 AI 周邊客戶的比重。這些產品通常認證期長、轉換成本較高，對價格與毛利率的支撐會優於一般消費性成熟製程訂單。

聯電的競爭定位可概括為：不是跟先進製程龍頭正面競逐，而是在成熟／特殊製程中，靠 22/28 奈米、電源管理、射頻、車用、矽光子與異質整合提高附加價值。

主要競爭對手

聯電的核心優勢

1. 特殊製程占比高，較不易落入純價格戰

聯電營收中約有 50%～60%以上來自特殊製程，重點包含 22/28nm、高壓製程、BCD、RFSOI、電源管理、車用與通訊應用。這使它不必完全依賴標準化成熟製程的低價競爭，也較能透過客製化製程、可靠度與長期認證維持客戶黏著度。

相較單純以 8 吋 PMIC 或面板驅動 IC 為主的業者，聯電的應用涵蓋通訊、消費、車用、工控與 AI 周邊，終端需求分散度較高。成熟製程的需求重點也正由「單純縮小線寬」轉向高壓、低功耗、射頻與異質整合等特殊功能，這符合聯電的轉型方向。

2. 22/28nm 與 12 吋成熟製程具規模優勢

聯電的強項不是追逐 3nm、2nm，而是將成熟節點升級為高附加價值平台。22/28nm 可承接 Wi-Fi、DDIC、車用雷達、PMIC、MCU 等需求，而 12 吋生產相對 8 吋具備較佳的單位成本與擴產效率。

在台積電與三星逐步調整部分成熟、8 吋產能配置後，聯電有機會承接成熟製程外溢訂單。2026 年成熟製程回溫也已推動聯電稼動率上升，產品組合與議價能力改善。

3. 非中產能與全球製造布局是客戶分散風險的選項

面對供應鏈區域化，聯電在台灣、新加坡、日本及中國都有製造據點；其中新加坡、日本與未來美國合作產能，對希望降低單一地區供應風險的歐美客戶具吸引力。聯電與英特爾合作的 12nm 平台，預計 2027 年底開始帶來較具意義的營收貢獻，也讓聯電可在較低資本負擔下，進入美國在地製造供應鏈。

4. 矽光子與先進封裝提供成熟製程以外的成長選項

聯電已交付首批 12 吋矽光子晶圓，並規劃把 PIC、TFLN 調變器、矽電容及混合鍵合等技術整合。矽光子不同於一般 CMOS 晶圓，客戶導入後需與雷射、光模組、封裝與系統共同驗證，因此認證期長、轉換成本高，若成功切入量產，客戶關係與產品生命週期通常較穩定。

聯電在台灣廠商中已具 12 吋 PIC 商用量產實績，且高階 PIC 的單價與附加價值可明顯優於一般成熟 CMOS 製程；這是其相對世界先進、力積電的差異化方向。

聯電的主要劣勢與風險

1. 與台積電的差距不只在製程，也在完整生態系

台積電在 2026 年第二季的純晶圓代工市占約 72.5%，聯電約 3.9%；前者在先進製程、客戶規模、研發資源、資本支出、先進封裝與大型 AI 晶片整合上，均有壓倒性優勢。

因此，聯電即使布局先進封裝，也比較適合定位為開放生態系的第二供應來源，主攻中介層、混合鍵合、晶圓對晶圓整合與光電整合，而非直接搶攻最尖端 GPU／HPC 的完整一站式代工訂單。

2. 中國成熟製程擴產，仍是 ASP 的結構性壓力

聯電最大的長期競爭壓力來自中芯國際、華虹、晶合等中國業者。這些廠商持續擴充成熟製程，對 28nm 以上的通用型製程、消費性 IC、DDIC 與部分 MCU 市場形成價格壓力。

聯電雖透過特殊製程、非中供應鏈、車用可靠度及客戶服務降低衝擊，但只要消費性需求疲弱、成熟製程產能過剩，客戶仍可能用中國報價作為議價籌碼。市場預期成熟製程價格競爭將常態化，聯電能否守住 ASP，關鍵在特殊製程占比、長約與稼動率。

3. 矽光子屬於潛力，而非立即的大規模獲利

矽光子、TFLN 和先進封裝雖是高成長題材，但新產能大規模開出時點偏向 2028 年底以後。短期 EPS 的主要來源仍是成熟製程稼動率、ASP 與毛利率改善；新事業能否實現高毛利，仍取決於客戶認證、良率、設備進度與 AI 光互連需求。

此外，高塔與格羅方德在矽光子已有先行優勢，高塔長期深耕 PIC，格羅方德則透過收購補強製程 IP 與客戶基礎。聯電雖有 12 吋量產與成本規模的潛力，但仍需要時間累積平台、生態系與長期客戶訂單。

投資角度的結論

聯電的優勢不在「最先進」，而在於把成熟製程去商品化：

• 用 22/28nm、特殊製程守住本業毛利與客戶黏著度。
• 用新加坡、日本與美國合作布局，爭取非中供應鏈需求。
• 用矽光子、TFLN、先進封裝與 12nm 平台，拉高單位晶圓價值與中長期成長性。

相對地，需持續留意三項風險：中國成熟產能導致的價格壓力、消費性與 PC 需求疲弱、以及新事業量產時程或良率不如預期。聯電的競爭力能否轉化為獲利上修，最直接的驗證指標仍是稼動率能否維持高檔、2027 年 ASP 漲價能否落實，以及特殊製程與新業務營收占比是否持續提高。