應用材料搶攻 AI「記憶體牆」商機、發表 3D 晶片製造平台 股價飆漲逾 10％創新高
Celine
AI 算力需求爆發 應用材料布局 3D 堆疊技術與 HBM 供應鏈
隨著人工智慧（AI）模型規模快速膨脹，資料中心對高頻寬、低延遲與高能效運算的需求持續攀升，產業界正面臨所謂的「記憶體牆（Memory Wall）」挑戰。為突破記憶體頻寬與容量瓶頸，高頻寬記憶體（HBM）以及 3D 堆疊封裝技術已成為下一代 AI 晶片發展的關鍵方向。
全球半導體設備龍頭應用材料（AMAT）近日正式公開其面向 AI 半導體應用的 3D 晶片製造設備產品線，鎖定 HBM、Chiplet（晶粒）、Hybrid Bonding（混合鍵合）等先進封裝市場，提供涵蓋平坦化、沉積、量測與檢測等完整製程解決方案。
受惠 AI 基礎建設投資熱潮與亞洲市場利多消息的激勵，應用材料（AMAT）股價昨日（6/29）大漲 67.8 美元、漲幅 10.82%，收在 694.64 美元，創下歷史新高。統計 6 月以來，股價累計漲幅已超過 50%，今年以來更大漲 170.3%。
瞄準 HBM 與先進封裝 三大核心設備全面升級
應用材料此次發表的設備平台，主要聚焦於當前 AI 晶片供應鏈最關鍵的先進封裝環節。一是先進化學機械研磨（CMP）設備「Opta Quad」，該設備可於研磨過程中即時監測晶圓狀態，並動態調整製程參數，大幅提升晶圓表面平坦度與總厚度均勻性，對於 Hybrid Bonding 製程的接合良率具有關鍵影響。
市場人士指出，隨著 HBM 堆疊層數由 12 層朝 16 層、20 層以上發展，CMP 製程的重要性正快速提升。
第二項核心設備為電化學沉積（ECD）系統「Nokota Vmax 2」，主要應用於矽穿孔（TSV）填充及微凸塊（Micro Bump）形成，透過自適應圖案調整（APT）技術，可有效修正不同電路布局造成的鍍膜厚度偏差，大幅提升銅沉積均勻性。這項技術被視為 HBM 製造與先進封裝中不可或缺的關鍵製程設備之一。
三是 PECVD 設備「Avila 2」，專門解決 HBM 高層堆疊過程中的翹曲與變形問題。該設備透過在 TSV 周圍沉積應力平衡介電薄膜，可有效降低 12 層、16 層甚至更高層數 HBM 堆疊時的機械應力與翹曲現象，進一步提升堆疊穩定性與製造良率。
電子束檢測設備升級 強化 HBM 製程良率控制
除了製程設備外，應用材料也同步推出新一代電子束量測與檢測系統。新款電子束量測設備「VeritySEM 7AP」，可應用於厚基板、曲面基板及異質材料基板等複雜結構量測，包括 HBM 與 Chiplet 封裝架構。
該設備量測解析度可優於 10 奈米，明顯超越傳統光學檢測設備。
SEMVision G7AP：防止微小缺陷導致整體失效
另一款電子束缺陷檢測設備「SEMVision G7AP」，則能夠高解析度辨識矽基板、有機基板與玻璃基板上的微小缺陷，並透過 AI 自動分類。
由於 HBM 堆疊結構高度複雜，即使單一微粒或鍵合缺陷，都可能造成整個堆疊失效，因此高精度檢測設備的重要性正快速提升。
強化 DRAM 效能 Centura Prime 支援下一代 HBM 與 DDR
除了先進封裝之外，應用材料也升級其 DRAM 外延製程平台「Centura Prime」。
該系統可在晶體管源極與汲極區域選擇性成長矽鍺（SiGe）與矽磷（SiP）材料，進一步提升晶體管驅動電流與能效表現，以滿足下一代 HBM 與 DDR DRAM 對更高頻寬的需求。
此外，新版設備占地面積較前一代產品縮小 20%，有助晶圓廠提高單位空間產能利用率。
AI 記憶體軍備競賽升溫 設備商迎來黃金成長期
業界分析指出，隨著 SK 海力士（000660.KS）、三星電子（005930.KS）及美光科技（MU）等記憶體大廠持續擴大 HBM 投資，AI 半導體產業已正式進入以先進封裝與 3D 堆疊為核心的新競爭階段。
市場認為，應用材料此次完整布局 HBM、Hybrid Bonding 與 3D 封裝設備，不僅有望進一步鞏固其全球半導體設備龍頭地位，也將成為未來 AI 基礎建設擴張浪潮中的重要受惠者。
