美光重返 DDR4 市場，台股記憶體族群走勢分歧；南亞科、威剛、晶豪科皆下挫
美光擴產 DDR4 市場期待轉單效應落空
今日台股在權值股、AI 供應鏈等族群全面點火下，強勢突破 43000 點整數關卡，終場收在 43644.4 點，創下歷史新高紀錄，但記憶體族群的表現卻分歧而震盪，主要是因為市場傳出美光（Micron）將重新擴大 DDR4 產能，加上三星電子罷工危機暫時緩解，使原先市場期待的轉單效應落空，衝擊該族群的走勢。
其中，南亞科（2408）盤中一度重挫逾 5%，成為賣壓核心；不過資金持續輪動下，華邦電（2344）、旺宏（2337）與力積電（6770）最後均由黑翻紅。
終場，華邦電回升 2.8％ 至 128.5 元，力積電大漲逾半根停板至 67.6 元，旺宏則上漲約 2%；南亞科則相對弱勢，收跌約 4.7％至 296 元；威剛（3260）、晶豪科（3006）、創見（2451）皆收黑。
封測廠力成漲停 華邦電、力積電成交量搶進前五大
不過，今日記憶體封測廠力成（6239）漲停，群聯（8299）、廣穎（4973）、宇瞻（8271）漲幅皆在 2％以上。
成交量部分，華邦電、力積電同步擠進成交台股前五名，成交張數分別為 35.51 萬張、31.97 萬張。至於成交金額前五大，南亞科、華邦電皆榜上有名，分別以 450.99 億元、447.18 億元位居二、三名，僅次於台積電。
分析師：DDR4 利空屬短線干擾 MLC 族群影響有限
分析師指出，目前台股資金正於 AI 權值股、面板與被動元件等族群快速輪動，因此記憶體股短線相對受到壓抑，但整體仍偏向個股表現。
投資人該知道的是，美光此次擴產以長生命週期 DDR4 產品為主，而華邦電與旺宏主力仍集中於 MLC（多層單元）與特殊型記憶體市場，兩家公司合計市占率接近六成，因此受 DDR4 價格波動直接衝擊相對有限。
至於力積電，由於與美光合作關係密切，在美光擴產與訂單調整下，反而具備潛在受惠機會，因此股價表現相對強勢。
不過，南亞科因產品線與 DDR4、DDR5 關聯度較高，加上近期股價短線漲幅已超過 20%，目前進入技術性拉回與洗盤階段，投資人不妨觀察一至兩日後，再確認趨勢。
專家：記憶體長線趨勢未變 短線恐進入多空震盪
市場人士分析指出，市場目前對美光擴產 DDR4 消息反應偏向情緒化，實際衝擊仍需進一步觀察，畢竟美光此次擴產主要針對長生命週期的 DDR4 產品，而南亞科以消費型 DRAM 為主，因此實質影響有限。即便美光單獨擴產，高機率仍難完全滿足整體市場需求，代表記憶體產業中長線景氣循環仍偏向正向。
不過，記憶體族群目前確實已接近前波套牢區，短線回檔本屬合理，加上消息面容易引發主力壓低股價與籌碼震盪，因此短期波動恐明顯放大。
美光 HBM4 量產進度超前 將搭載輝達 Vera Rubin 平台
除了 DDR4 市場變化外，美光同步釋出高頻寬記憶體（HBM）最新進展。美光全球營運副總裁馬尼什・巴提亞於摩根大通投資論壇表示，美光第六代 HBM4 產品量產爬坡（Ramp-up）速度比去年 HBM3 12 層產品快上兩倍，且良率改善速度也優於預期；該產品未來將搭載於輝達公司下一代 AI 平台「Vera Rubin」。
美光指出，HBM4 快速量產主要來自三大因素，一是 HBM3 與 HBM3E 量產經驗累積，二是採用成熟的 1β（1-beta）10 奈米級 DRAM 製程，三是自研最佳化 Base Die 架構提升整體性能與良率
HBM4E 明年量產 導入 EUV 與台積電先進製程
美光也透露，下一代 HBM4E 策略將出現重大變化。HBM4E 核心 Die 將改採 1γ（1-gamma）製程，也就是與三星電子、SK 海力士相同世代的 10 奈米級第六代 DRAM 技術，同時也是美光首次導入艾司摩爾（ASML）EUV 微影設備的製程節點。
此外，HBM4E Base Die 將不再完全自製，而是交由台積電（2330）代工生產。
美光表示，HBM4E 開發進展順利，預計明年開始量產，首波產品將以 JEDEC 標準版為主，後續也將推出客製化版本，以滿足 AI 客戶的不同需求。
三星、SK 海力士同步衝刺 HBM4E
韓系記憶體大廠也正加速布局 HBM4E。三星電子計畫於今年第二季送樣 HBM4E 產品，Base Die 由三星晶圓代工部門以 4 奈米製程生產；SK 海力士則預計今年下半年向客戶提供 HBM4E 樣品，並於明年正式量產，Base Die 持續由台積電以 3 奈米製程代工。
市場預期，隨著 AI 伺服器與大型語言模型需求持續升溫，HBM4 與 HBM4E 將成為未來兩年高階 AI 晶片最重要的記憶體規格，相關供應鏈競爭也將進一步白熱化。
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參考資料
- 美光重启DDR4及LPDDR4生产，DDR4产能将翻两番
- 美光擴產恐衝擊台廠？南亞科走弱力積電漲逾5% 分析師揭兩樣情關鍵
- 美光突襲！DDR4擴產嚇崩南亞科 老手曝記憶體逃命、抄底時機
- 마이크론, HBM4 램프업 순항…"내년 HBM4E 양산"
- 輝達 (NVDA) 2027 Q1 法說會逐字稿
