美光：HBM3E、HBM4 明年產能全數售罄

根據外媒報導，美光（Micron）財務長 Mark Murphy 近日表示，公司 2025 年的 HBM3E 與 HBM4 供貨量已全數被預訂一空，顯示 AI 記憶體需求強勁。其中，HBM4 將於 2025 年第二季開始出貨。

HBM4 帶寬達 2.8 TB/s　引腳速度超過 11Gbps

Murphy 指出，目前尚無企業通過 AI 半導體系統級的 HBM4 質量認證；然而，美光的 HBM4 正依照既定程序接受驗證，規格包含：

• 帶寬超過 2.8 TB/s

• 引腳速度突破 11Gbps

三大記憶體廠 HBM4 供應鏈路線分歧

報導指出，目前各家 HBM4 中介層（interposer）的代工管道皆不同，SK 海力士由台積電（2330）代工，三星電子由集團旗下三星晶圓代工生產，美光則採取自研、自製模式。

美光科技長（CTO）Scott DeBoer 強調，外界認為美光 HBM4 中介層落後的說法並不正確。他指出，HBM 中介層設計完全以記憶體最佳化為核心，非 ASIC 結構，因此去年因代工廠尚未準備好最佳化方案，美光選擇自行生產。

HBM4E 起交由台積電代工　美光：良率成熟速度將更快

DeBoer 也透露，從 HBM4E 開始，美光將把 HBM 中介層交由台積電製造，目前雙方正同步推進開發。

他表示，美光的 HBM4 採取「最大化沿用 HBM3E 工藝與設計」策略，包括製程、設計與檢測流程皆維持一致，可望：

• 加速良率達成熟水準

• 降低製造成本

• 擴大利潤空間

提到的股票

• 2330 台積電

• MU 美光科技

• TSM 台積電 ADR

概念股

• HBM

參考資料

• 美光：明年HBM3E和HBM4已售罄，Q2开始出货HBM4