美光 HBM4 量產爬坡速度翻倍 HBM4E 明年接棒量產、導入台積電 3 奈米技術
美光 HBM4 量產進度超預期 供貨輝達 Vera Rubin 平台
美國記憶體大廠美光（Micron Technology）表示，第六代高頻寬記憶體 HBM4 量產爬坡（Ramp-up）進展順利，速度較前一代 HBM3 12 層產品快上兩倍，良率改善也明顯加速，顯示 AI 記憶體需求持續強勁。
美光全球營運副總裁 Manish Bhatia 於摩根大通投資者大會中指出，目前 HBM4 的產能優化速度遠超去年 HBM3 產品，相關產品將搭載於輝達（NVIDIA）下一代 AI 運算平台「Vera Rubin」。
市場認為，隨著 AI 伺服器、高效能運算（HPC）與 AI 推論需求持續暴增，HBM 已成為全球記憶體產業最核心的戰略產品之一。
三大因素推動 HBM4 快速量產
美光指出，HBM4 能快速進入量產階段，主要有三大原因，其一是 HBM3 與 HBM3E 量產經驗累積。美光已累積 HBM3 與 HBM3E 12 層堆疊產品的大量量產經驗，因此在製程優化與良率提升上進展更快。
其二是美光採用成熟 1β 製程打造核心 DRAM 晶片。HBM4 核心 Die 採用 10 奈米級第五代「1β（1-beta）」DRAM 製程生產。美光表示，1β 已是目前主力量產製程，在效能與良率方面皆已完成驗證，因此能穩定支撐 HBM4 量產需求。
其三，其自研 Base Die 提升整體效能。HBM4 另一關鍵技術 Base Die（基底晶片）由美光自行最佳化設計，搭配 1β DRAM 後，可進一步提升產品完整度與運算效能。
HBM4E 明年量產 首度導入 EUV 與台積電代工
不過，美光也透露，下一代 HBM4E 策略將出現重大調整。核心 DRAM 晶片將升級至 10 奈米級第六代「1γ（1-gamma）」製程，這也是美光首次導入艾司摩爾（ASML）極紫外光（EUV）曝光設備的 DRAM 製程節點。
業界指出，1γ 製程世代相當於三星電子（Samsung Electronics）1c 製程、SK 海力士（SK hynix）1c 製程，顯示三大 HBM 廠正式進入新一輪先進製程競賽。
此外，美光 HBM4E 的 Base Die 也將不再自行生產，而是委由晶圓代工龍頭台積電（2330）代工。
HBM4E 將推標準版與客製化版本
美光表示，HBM4E 開發進度順利，預計 2027 年正式量產。
Manish Bhatia 指出，首批 HBM4E 產品將以 JEDEC 標準規格版本為主，後續也將推出客製化（Custom）HBM 方案。
雖然客製化產品成本較高，但由於可提供更高效能與更多功能，預期 AI 客戶需求仍將十分強勁。
市場推測，美光客製化 HBM4E 未來可能瞄準 AI ASIC 晶片、超大型雲端業者（Hyperscaler）、AI 推論平台及代理式 AI（Agentic AI）系統等高階應用市場。
三星、SK 海力士同步推進 HBM4E 競賽
目前三星電子（Samsung Electronics）與 SK 海力士也正積極開發 HBM4E 產品。三星電子預計今年第二季出貨 HBM4E 樣品，Base Die 由三星晶圓代工部門生產，採 4 奈米製程打造。
SK 海力士（SK hynix）則是預計今年下半年送樣，2027 年量產，Base Die 持續委由台積電生產，傳將採用 3 奈米製程。
由記憶體三大廠的動作可發現，HBM 市場已從單純記憶體競爭進一步演變為先進封裝、邏輯晶片與晶圓代工整合戰。
1γ DRAM 將成美光最大主力製程
除了 HBM 布局外，美光也看好 1γ DRAM 與第九代 NAND Flash 需求。
公司預估，到今年年中為止，1γ DRAM 第九代 NAND Flash 的 Bit 出貨量占比將超過整體出貨的一半；其中 1γ DRAM 未來更有望成為美光最大規模的單一 DRAM 製程平台。
市場認為，隨著 AI 訓練、AI 推論與代理 AI 需求同步爆發，高頻寬記憶體與先進 DRAM 製程將成為未來數年半導體產業最重要的成長主軸之一。
