HBM4 競局生變？美光傳失利　股價重挫成費半最弱勢

發佈時間：2026/02/10

SemiAnalysis 唱衰工程樣品　恐無緣輝達 Rubin 首波供應鏈

受到半導體研究機構 SemiAnalysis 發布負面報告影響，美光（Micron，MU）週一（2 月 9 日）股價收跌 11.19 美元，跌幅 2.84％、報 383.5 美元，成為費城半導體指數成分股中表現最弱個股，今年來漲幅收斂至約 34％。

報告指出，美光最新一代 HBM4（第六代高頻寬記憶體）工程樣品在引腳速率（Pin Speed）未達到輝達（Nvidia）要求的 11Gbps 規格，恐因此被排除在下一代 Vera Rubin 架構首年量產供應名單之外。

SemiAnalysis 更透露，輝達已將 Rubin 平台的 HBM4 供應權交由韓系兩大廠分食，預估 SK 海力士將拿下約 70％訂單，三星電子則占其餘 30％。

三星搶先量產 HBM4　通過輝達認證卡位 Vera Rubin

南韓媒報導指出，三星電子預計農曆年假後啟動 HBM4 大規模出貨，產品將搭載於輝達下一代 AI 加速平台「Vera Rubin」。市場消息稱，三星已通過輝達品質驗證，並取得採購訂單，量產時程已與輝達新品上市規劃同步敲定。

技術規格方面，三星 HBM4 採用 1c DRAM 與 4 奈米製程，資料傳輸速率最高達 11.7Gbps，高於 JEDEC 標準 8Gbps，也比前一代 HBM3E 提升約 22％。單層堆疊頻寬達 3TB/s，12 層堆疊容量最高 36GB，未來若導入 16 層堆疊技術，容量可望推升至 48GB。

在低功耗設計下，HBM4 可兼顧高效能與節能需求，有助降低資料中心電力與散熱成本。三星預估，今年 HBM 銷量將較去年成長逾三倍，並於平澤 P4 廠擴建 1c DRAM 產線，月產能目標達 10 萬至 12 萬片晶圓。

SK 海力士穩居優勢　美光轉攻 LPDDR5X 補位

除了三星外，SK 海力士憑藉在 HBM3E 領域的先行優勢，也已鎖定輝達大比例的合約。隨著 Vera Rubin 系統規格持續升級，最終頻寬要求提升至 22TB/s，較初始設計大幅增加近七成，對記憶體廠技術能力形成極高的門檻。

儘管 HBM4 首輪競逐恐告失利，市場傳出美光正轉向爭取 Vera CPU 端的 LPDDR5X 訂單。據悉，單顆 CPU 配置容量可高達 1.5TB，或有機會彌補部分 HBM 市占流失。

投資人緊盯 GTC 2026　美光能否重返供應鏈成焦點

市場焦點轉向 3 月 16 日至 19 日登場的 GTC 2026 大會，屆時輝達預計正式揭曉 Rubin 平台細節，並展示搭載三星與 SK 海力士 HBM4 的產品。

投資人關注，美光是否能在後續批次中重返供應名單，或於低功耗記憶體與其他 AI 應用領域取得突破。隨著 HBM 市場競爭白熱化，高頻寬記憶體的供應格局與技術節奏，將成為左右記憶體族群股價表現的關鍵變數。

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編輯整理：Celine

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