三星 HBM4 傳搶先通過輝達認證，明年上半年供應
據韓國媒體報導，在輝達（NVIDIA）即將推出的新一代 AI 加速器 Vera Rubin 的 HBM4 效能測試中，三星電子在運算速度與能效表現上優於其他記憶體廠商，整體成績居於領先地位。受此帶動，三星 HBM4 已通過輝達內部認證，並於明年上半年開始供貨的可能性明顯升高。
三星 Vera Rubin 測試表現居冠 AI 加速器供應戰局生變
報導指出，輝達對三星 HBM4 的潛在採購需求量，遠高於三星原先內部預估，市場普遍解讀此舉有望成為三星未來獲利的重要動能。供應鏈人士透露，考量平澤 P4 廠的擴建進度與整體產能規畫，雙方最快可望於明年第一季正式簽署供貨合約，並於第二季展開全面交付。對於相關測試與合作細節，三星方面則未對外發表評論。
相較之下，原本在 HBM 市場居於領先地位的 SK 海力士，近期在 HBM4 進度上出現調整。SK 海力士已於今年 9 月底完成 HBM4 量產準備，並向輝達提供付費樣品；然而，韓媒 ZDNET Korea 指出，該公司原訂於 2026 年 2 月左右啟動量產、並於第二季末大幅拉升產能的計畫，近期已轉趨保守。
SK 海力士量產時程轉趨保守、美光按表推進
最新消息顯示，SK 海力士 HBM4 的量產時程已延後至明年 3 月或 4 月，產能快速擴張的節奏也改採更具彈性的策略。同時，HBM4 所需材料與關鍵零組件的採購速度，也比過往放緩，顯示其對市場需求與投資節奏更為審慎。
至於美光（Micron），則在最新一季財報中重申 HBM4 進度不變，預計將於 2026 日曆年第二財季進入量產，並同步推進高良率的產能爬坡。美光指出，HBM4 在基礎邏輯晶片與 DRAM 核心晶片上，全面導入先進 CMOS 與金屬化製程，且相關晶片均由美光自行設計與製造，有助於強化產品差異化與長期競爭力。
隨著輝達新一代 AI 平台即將登場，HBM4 供應能力與時程已成為記憶體三強競逐的關鍵戰場。法人認為，若三星能率先穩定供貨並取得更多設計導入機會，將有機會在下一波 AI 記憶體競賽中扭轉市占結構，進一步改寫產業版圖。
