搶攻輝達 Rubin 商機 SK 海力士提前至明年二月量產 HBM4
發佈時間：2025/12/29
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Celine
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清州 M15X 新廠進度超前 明年 2 月啟動 1b DRAM 投片
根據韓媒《The Elec》報導，SK 海力士為搶先因應輝達（NVIDIA）下一代 AI 加速器「Rubin」對高頻寬記憶體（HBM4）的龐大需求，已決定將韓國清州 M15X 新廠的量產時程較原規畫提前約 4 個月，展現全力卡位下一世代 AI 記憶體市場的企圖。
報導指出，SK 海力士將自明年 2 月起，在 M15X 工廠正式啟動用於 HBM4 的 1b 製程 DRAM 晶圓投片，原先規畫的時程為 6 月。初期月投片量約 1 萬片，並計畫於年底將產能擴大至數萬片規模。業界人士透露，目前相關設備已陸續進場並完成安裝，調整時程的主要目的在於更快、更大規模地支援量產需求。
輝達需求帶動加速 HBM4 競賽白熱化
SK 海力士加快 M15X 量產節奏，關鍵原因在於輝達新世代 AI 平台的推進。搭載 HBM4 的 Rubin 加速器，預計將於明年下半年開始出貨，對高效能記憶體供應形成強大拉力。
SK 海力士目前已完成 1b 製程 HBM4 的認證作業，採用改良電路設計的 HBM4 晶圓，預計於本月底完成製造，並在明年 1 月初向輝達交付下一代 12 層堆疊 HBM4 的最終樣品，為後續量產鋪路。
三星、美光同步競逐 供應商名單明年揭曉
HBM4 市場競爭也同步升溫。近期市場傳出，在輝達「Vera Rubin」平台的 HBM4 效能測試中，三星電子於運行速度與能效表現方面，取得所有記憶體廠商中的最佳成績。
另一方面，美光（MU）也在最新財報中指出，其 HBM4 產品將於 2026 年曆年第二季如期進入量產，並順利推動高良率產能爬坡，顯示三大記憶體廠已全面進入 HBM4 競逐階段。
輝達將定調供應比例 AI 記憶體版圖生變
業界普遍預期，輝達將於明年初完成 HBM4 供應商最終名單與供貨比重的決策。隨著 Rubin 平台逐步成形，HBM4 不僅成為 AI 加速器效能的關鍵元件，也勢必牽動全球記憶體產業新一輪競爭格局。
