美光 HBM 產能拚翻倍！年底月產 10 萬片晶圓 HBM4 12 層占比衝 5 成、搶攻輝達 Vera Rubin
Celine
AI 伺服器需求持續爆發，高頻寬記憶體（HBM）成為記憶體大廠兵家必爭之地。業界傳出，美光（Micron）正大舉擴充 HBM 生產能力，計畫在今年底前將 HBM 月產能提升至約 10 萬片晶圓，較去年接近翻倍，藉此縮小與 SK 海力士、三星電子在 HBM 產能上的差距。
美光狂擴 HBM 年底月產能拚 10 萬片
據業界人士透露，美光今年底前計畫新增最多 6 萬片晶圓的 HBM 產能。以 2025 年每月約 4 萬至 5 萬片的 HBM 產量計算，若擴產計畫順利落地，美光 HBM 月產能有望達到約 10 萬片。
為加速擴產，美光近期正向多家 HBM 製造設備供應商追加訂單，相關設備陸續進駐台灣與新加坡廠區。目前美光 HBM 封裝主要在台灣銅鑼廠及新加坡兀蘭廠進行，日本廣島廠也正籌備設備投資，全球 HBM 產能布局持續擴大。
HBM4 12 層快速放量 年底占比最高衝 50％
除了擴充產能，美光也同步加速產品升級，積極將 HBM 產品組合轉向 HBM4 12 層。
目前美光 HBM 產量仍以 HBM3E 12 層為主，但業界消息指出，HBM4 12 層占比已由今年初約 20% 至 30%，可望逐步拉升至年底最高 50%，顯示新世代 HBM 產品正進入快速放量階段。
HBM4 12 層被視為 AI 伺服器新一代高階記憶體的重要產品，主要搭配輝達最新 AI 加速器「Vera Rubin」。美光已在今年第二季啟動 HBM4 12 層量產，產品升級速度明顯加快。
HBM4 爬坡速度快兩倍 累計出貨收入破 10 億美元
美光執行長桑杰・梅赫羅特拉（Sanjay Mehrotra）先前在業績電話會議中表示，HBM4 12 層的量產爬坡速度約為 HBM3E 12 層的 2 倍，顯示新產品導入效率顯著提升。
美光同時透露，HBM4 累計出貨收入已突破 10 億美元，隨著 AI 加速器持續升級，以及 HBM 容量、頻寬需求同步增加，HBM4 有望成為公司未來記憶體業務的重要成長引擎。
AI 晶片需求強勁 HBM 供給仍追不上需求
AI 運算快速成長，帶動輝達等 AI 晶片業者對 HBM 的需求持續攀升。相較傳統 DRAM，HBM 具有更高頻寬與更強資料傳輸能力，是 AI 加速器處理大量資料的重要關鍵元件，因此各大記憶體廠正加速投入資本支出搶占市場。
在 AI 伺服器持續擴大建置的情況下，HBM 供應仍面臨產能限制。對美光而言，若要進一步放大 HBM 業務營收與獲利貢獻，除了提升 HBM4 等新產品技術與良率，能否快速擴充產能同樣是關鍵。
美光加速追趕 HBM 三強競爭進入新階段
隨著美光年底 HBM 月產能朝十萬片晶圓邁進，市場預期其與 SK 海力士、三星電子之間的產能差距可望進一步縮小。
從 HBM3E 到 HBM4，AI 記憶體競爭已不再只是技術與良率的比拚，更進一步延伸至產能、先進封裝以及客戶認證速度。美光此次同步擴產與推進 HBM4 12 層，意味著全球 HBM 市場競爭正全面升溫，也將持續牽動台灣半導體、記憶體及先進封裝供應鏈的投資機會。
