三星 1c DRAM 良率突破七成，量產加速推進

據韓媒報導，三星電子（Samsung Electronics）近期 1c DRAM 良率已提升至約 70％，距離公司內部設定的 80％以上目標僅一步之遙。多位業內人士透露，三星已「大幅改善 1c DRAM 的製程穩定性」，公司內部對該產品的量產表現「充滿信心」。

良率接近量產水準　平澤 P4 廠進入最後建設階段

一般而言，DRAM 從研發階段轉移至量產線時，初期良率約 50％；要達到全面商業營運，則需提升至 80％至 90％。隨著良率顯著改善，三星正加速推進 1c DRAM 的量產計畫。

消息指出，三星位於平澤的第 4 座半導體工廠（P4）目前正安裝先進設備，將成為主要 1c DRAM 生產基地，整體工程已進入最後階段。

對抗 SK 海力士　以 1c DRAM 搶攻 HBM4 先機

目前，競爭對手 SK 海力士（SK hynix）已採用 1b DRAM 技術構建新一代高頻寬記憶體（HBM4）。三星則計畫以更先進的 1c DRAM 切入市場，力圖在 HBM4 競賽中取得領先。

根據半導體業界消息，隨著 1c DRAM 良率穩定，三星 HBM4 樣品的良率已達約 50％。公司正與輝達（NVIDIA）合作進行性能測試與評估，預計在獲得量產批准後，將立即投入正式生產。

技術突破有望強化三星記憶體競爭力

分析人士指出，若三星能順利提升 1c DRAM 良率，並實現量產，不僅可強化其在 AI 伺服器及高效能運算領域的供應能力，也將為全球 DRAM 市場帶來新一輪技術升級。

提到的股票

• NVDA 輝達

概念股

• 記憶體

• HPC

參考資料

• 消息称三星1c DRAM良率已接近80%