SK 海力士啟動納斯達克 ADR 上市計畫　擬募資最高 294 億美元、七月開始交易

發佈時間：2026/06/25

發行 ADR 籌資逾 45 兆韓元　有望創南韓企業赴美上市紀錄

AI 記憶體龍頭 SK 海力士正式啟動美國資本市場的布局！公司昨日（6/24）宣布，已提交美國存託憑證（ADR）相關證券申報文件，計畫於美國納斯達克市場掛牌交易，最多將發行 1779 萬股新股，約占現有股本 2.5%，募資規模最高可達 45.45 兆韓元（約 294 億美元）。

若最終以募資上限完成發行，不僅將成為韓國企業史上最大規模的赴美上市案，也有機會超越 2014 年阿里巴巴（BABA）250 億美元的 IPO 紀錄，成為全球規模最大的 ADR 發行案之一。

根據規劃，SK 海力士將於 7 月 6 日完成申報生效程序後展開海外機構投資人詢價（Bookbuilding），7 月 10 日確定發行價格，並於納斯達克開始交易；7 月 14 日完成資金募集。

SK 海力士表示，此次 ADR 上市除了拓展全球投資人基礎外，也希望透過美國資本市場重新評價公司價值。

今年 3 月，SK 海力士執行長郭魯正（Kwak Noh-Jung）即表示，希望在聚集全球科技巨擘與 AI 產業鏈企業的美國市場，更充分反映公司估值與 AI 供應鏈地位。

受惠於生成式 AI 與大型語言模型快速發展，SK 海力士憑藉高頻寬記憶體（HBM）市場領先優勢，成為輝達（Nvidia）AI 加速器的核心供應商之一，今年股價已大幅上漲逾 300%，市值突破 1.2 兆美元，甚至超越三星電子，成為韓國市值最高的企業。

市場分析認為，若 SK 海力士在美國市場取得與美光科技（Micron）相近的估值水準，將有助於縮小與美國半導體同業間的估值差距。

值得注意的是，SK 海力士強調，本次募資所得將全數投入資本支出（CapEx），不會用於償債或營運資金。

公司規劃總投資金額高達 55.9 兆韓元，重點包括韓國龍仁半導體園區第一座晶圓廠（Phase 1）的 9.41 兆韓元、清州先進封裝廠 P&T7 先進封裝廠的 19 兆韓元、美國印第安納州先進封裝基地約 5.9 兆韓元及艾司摩爾（ASML）極紫外光（EUV）曝光設備的採購。

截至 2026 年第一季末，SK 海力士已握有超過 35 兆韓元的淨現金，不過公司仍選擇增資募資。

管理層指出，AI 基礎建設投資正快速擴張，HBM 與下一代 AI 記憶體需求持續爆發，公司希望提前建立充裕資金水位，以支應未來數年的產能擴張需求，同時在記憶體景氣循環反轉時維持財務彈性。

此外，公司更將「淨現金超過 100 兆韓元」列為中長期財務目標。

此次發行 ADR 將透過增發新股進行，而非市場原先預期的庫藏股轉換模式。若 1,779 萬股全數發行完成，現有股東持股比例將被稀釋約 2.44%，但法人普遍認為影響有限。

分析師指出，相較於公司未來數年超過 55 兆韓元的擴產計畫，此次募資規模雖大，但仍屬合理範圍，且能提升全球資本市場能見度。

此外，SK 海力士目前與 Alphabet 旗下 Google 及輝達等 AI 巨擘有深度的合作關係，在 HBM 市場維持領先地位。隨著 AI 資料中心建設持續加速，公司未來幾年獲利成長動能仍受到市場高度看好。

法人認為，SK 海力士此次赴美上市具有雙重意義，一是取得未來 AI 產能擴張所需的資金，二是爭取與美國 AI 供應鏈企業相同的估值標準。

在 HBM 供不應求、AI 資料中心持續擴建，以及全球記憶體產業進入新一輪成長週期的背景下，SK 海力士此次納斯達克 ADR 上市案，將成為 2026 年全球半導體產業最受矚目的資本市場事件之一。

編輯整理：Celine