SK 海力士 Q1 獲利暴衝 405% 創新高 AI 記憶體需求點燃「超級獲利週期」
在全球人工智慧（AI）基礎建設投資持續升溫之際，南韓記憶體大廠 SK 海力士公布 2026 年第一季財報，交出遠優於市場預期的亮眼成績單。受惠高頻寬記憶體（HBM）與高階伺服器應用的強勁需求，公司單季營收與獲利雙雙寫下歷史新高紀錄，顯示 AI 浪潮正全面重塑記憶體產業獲利結構。
HBM、伺服器 DRAM 與 eSSD 全面爆發 營益率飆破 7 成震撼市場
財報顯示，SK 海力士第一季營收達到 52.58 兆韓元，年增 198%；營業利益達 37.61 兆韓元，年增率高達 405%，大幅優於市場預期的 35.7 兆韓元。營業利益率更衝上 72%，較前一季 58% 再創新高，成為全球半導體產業中罕見的高獲利水準。
市場分析指出，即便與台積電（2330）與輝達（Nvidia）相比，SK 海力士在本季的獲利能力仍顯得格外突出，正式確立其在 AI 記憶體領域的「獲利王者」地位。
AI 需求外溢 從 HBM 擴散至 DRAM 與 NAND
公司表示，本季成長動能不僅來自市場關注的 HBM 產品，高容量伺服器 DRAM 模組與企業級 SSD（eSSD）需求同樣顯著提升。隨著 AI 應用邁向「代理型 AI（Agentic AI）」階段，即時推理需求增加，帶動整體記憶體用量同步放大。
對於市場擔憂現貨價格波動，SK 海力士強調，現貨市場佔比有限，供需結構性失衡仍將持續，預期記憶體價格上行週期將比市場預期更長。
資本支出加碼 技術布局 2027 年 HBM4E 瞄準次世代 AI 市場
在需求強勁支撐下，SK 海力士預告今年將顯著提高資本支出，以擴大先進製程與產能布局。截至第一季末，公司現金及現金等價物達到 54.3 兆韓元，較前季大幅增加 19.4 兆韓元，財務體質持續強化。
在技術發展方面，SK 海力士已開始向主要客戶提供次世代 HBM4E 樣品，預計於 2027 年啟動量產。該產品將採用 1c 製程（第六代 10 奈米級），目前良率已進入成熟階段。
面對三星電子積極推進 HBM4 量產，SK 海力士選擇以穩定性優先策略，確保製程成熟與供應穩定，並持續深化與 AI 晶片大廠合作關係。
砸 19 兆韓元建新廠 鞏固 AI 記憶體全球領導地位
此外，SK 海力士同步宣布在韓國清州動工興建 P&T7 新廠，總投資規模約 19 兆韓元，將專注於先進封裝與測試，主要用於 HBM 等 AI 記憶體產品。
該廠區總面積達 23 萬平方公尺，規劃多條晶圓級封裝（WLP）與測試產線，預計 2027 年前後逐步完工，未來將成為公司擴大全球 AI 記憶體供應的關鍵基地。
AI 熱潮抵銷地緣風險 多頭信心進一步鞏固
今日亞股普遍高檔激烈震盪，南韓股市也不例外，SK 海力士盤中一度重挫，但終場回升至小漲 0.16％、收在 1225000 韓圜。
儘管中東局勢對供應鏈帶來不確定性，但 AI 需求的爆發性成長，已在一定程度上抵銷相關風險。SK 海力士本季超預期表現不僅反映產業景氣的上行趨勢，也進一步強化市場對記憶體多頭週期的信心。
整體而言，隨著 AI 持續推升算力需求，記憶體產業正邁入新一輪高成長與高獲利的黃金階段。
