記憶體族群全紅!華邦電、力積電齊攻漲停且創新高;商丞拉第二根漲停

發佈時間:2026/05/29

摩根士丹利(大摩)最新報告指出,傳統記憶體市場將在 2026 年下半年進一步轉為明顯供不應求格局,供需缺口預估將由先前約 14% 擴大至 19~20%,帶動 DDR4 與 NOR Flash 報價持續上行。受此利多激勵,今日(5/29)台股記憶體族群全面走強,盤面一片紅通通。

「DRAM 雙雄」中的華邦電(2344)昨日重挫後強勢反彈,今日直接鎖住漲停 158 元,創下歷史新高;力積電(6770)盤中震盪翻黑後拉回,終場同樣亮燈漲停至 88.7 元,改寫掛牌上市以來新高;模組廠商丞(8277)攻上第二根漲停,收在 8.61 元。

大摩報告點火記憶體行情 供需缺口擴大至 20%

大摩的報告同時指出,資料中心與企業級 SSD 需求穩健成長,加上 AI 伺服器帶動 CPU 與儲存需求,將支撐記憶體價格進入長周期上行循環,其中 DDR4 第三季漲幅可望達 20%。

在投資評等方面,大摩維持華邦電、南亞科(2409)「優於大盤」評等,並大幅調升南亞科目標價至 380 元、華邦電目標價上修至 222 元。

記憶體族群全面大漲 力積電成交張數與金額皆登上前五高

除了華邦電、力積電、商丞漲停外,「DRAM 雙雄」南亞科(2408)勁揚逾 7%,領漲記憶體族群;同時,群聯(8299)、封測廠力成(6239)、模組廠宜鼎(5289)皆拉了逾半根漲停,旺宏(2337)、華東(8110)及模組廠創見(2451)、廣穎、凌航(3135)的漲幅均超過 4%。

AI 帶動供需反轉 DDR4、SLC NAND 成新焦點

大摩指出,記憶體市場正出現「供給下降+需求上升」雙重驅動。美光(Micron)與 SK 海力士持續將產能轉向 DDR5 與 HBM,導致 DDR4 供給快速收縮,企業級 eSSD 需求反而上升,SLC NAND 也因為其高速特性,在資料中心的應用開始明顯增加,NOR Flash 亦因為成熟製程供應緊縮而價格走高。

報告預估,未來兩到三年供需缺口仍將維持在 18%~20% 區間,顯示本輪上行循環具延續性。

庫存去化近尾聲 法人看旺 2026 年旺季行情

產業面來看,記憶體產業已逐步走出長期庫存調整週期,供應端減產效果逐漸顯現,加上傳統第四季電子旺季的備貨需求,有助於價格築底回升。

此外,AI 伺服器對高頻寬記憶體(HBM)與大容量 DDR5 需求持續提升,也帶動整體記憶體市場結構性轉變。

法人認為,本波行情已從「景氣循環修復」升級為「AI 結構性需求驅動」,後續將關注報價上行與法人籌碼回補動能。

美系資金點火全球記憶體概念股 設備與封測同步受惠

除了台股記憶體族群,美系市場同樣因 AI 記憶體短缺預期而全面走強。

美光股價因為分析師大幅上調目標價而飆升,帶動半導體委外封裝測試(OSAT)鉅子艾克爾(Amkor, AMKR)、自動測試設備與機器人大廠泰瑞達(Teradyne, TER)、先進半導體探針卡大廠福達電子(FormFactor, FORM)股價皆上揚。

分析指出,記憶體擴產將推動設備與晶圓代工長期訂單需求,形成從 DRAM、NAND 到設備與封測的完整產業鏈行情。

AI 記憶體進入超級循環 市場重估供應鏈價值

市場分析認為,AI 資料中心需求已改變記憶體產業的傳統景氣循環,長約訂單增加(2~3 年合約),HBM 導入也改變了獲利結構,記憶體由「高度景氣循環產業」轉向「基礎建設型資產」。

在 AI 算力需求持續推升下,記憶體產業正進入結構性重估階段,成為本波半導體多頭行情的核心主軸之一。

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編輯整理:Celine