AI 與 HBM 題材概念股

AI 加速器出貨是 HBM 需求的起點：輝達 GPU 與博通主導的雲端 ASIC 平台，都需將運算晶片、多顆 HBM 與互連元件整合為可交付系統。台積電同時掌握先進製程與 CoWoS 先進封裝，是晶片能否如期出貨的關鍵閘門，列受惠最高；輝達受惠最高於資料中心加速器需求，博通則受惠高於自研 ASIC 滲透率提高。應追蹤 CSP 資本支出、Rubin 與客製晶片量產節奏、CoWoS 產能利用率，以及 HBM 供給是否反向限制加速器出貨。
  • 台股 2330
    台積電
    受惠最高
    1. 1. 台積電已量產 5 倍光罩尺寸 CoWoS，並開發 9 倍與 14 倍版本；AI GPU、ASIC 搭配多顆 HBM 整合難度升高，封裝瓶頸可轉化為稼動率與議價力。
    2. 2. 3Q26 HPC 占營收 68%，7 奈米以下先進製程占晶圓營收 79%，其中 N2 已占 8%；AI 加速器與代理式 AI CPU 投片增加，支撐高階晶圓代工收入成長。
    3. 3. 台積電將 2026 年資本支出維持於 600 至 640 億美元，並預期 N2 家族 2027 年年產能超過 2026 年兩倍；先進製程與封裝擴產有助承接 Rubin、雲端 ASIC 等長期需求。
    4. 4. 3Q26 營收年增 50.9% 至新台幣 1.494 兆元，全年美元營收成長指引上修至約 44%；但 HBM、ABF 與封裝供給仍可能限制出貨，且 N2 爬坡與海外廠短期稀釋毛利。
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  • 美股 NVDA
    輝達
    受惠最高
    1. 1. FY2027 年第 2 季營收達 962 億美元，資料中心營收 890 億美元、年增 117%；AI 加速器出貨直接拉動 HBM 搭載量與 CoWoS 封裝需求，形成核心營收引擎。
    2. 2. Blackwell 與 Vera Rubin 將 GPU、CPU、NVLink、網路及軟體整合成整機櫃平台，CUDA 生態提高客戶轉換成本；平台黏著度有助維持加速器市占與定價能力。
    3. 3. Vera Rubin 已進入量產，採台積電先進製程、CoWoS-L 與 HBM4；AWS 已下單約 200 萬顆 GPU，Rubin 放量可同步推升高階加速器 ASP 與 HBM 內容。
    4. 4. 受惠程度高但出貨仍受 HBM 短缺、CoWoS 排程達 52 至 78 週及電力限制牽制；供應瓶頸可能延後營收認列，且 HBM 成本上升會壓縮毛利率。
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  • 美股 AVGO
    博通
    受惠高
    1. 1. 博通 FY2026 第三季 AI 半導體營收達 167 億美元、年增 221%，其中 XPU 占 AI 營收 73%；客製加速器放量會同步拉動 HBM 與 CoWoS 整合需求，成為營收主引擎。
    2. 2. 博通具備 SerDes、晶片間互連、HBM／SRAM 整合與先進封裝 IP，並量產 Google TPU v8i、OpenAI Jalapeño 等 XPU；多晶粒與高頻寬記憶體整合能力提高客戶導入門檻。
    3. 3. 公司預估 AI 半導體營收 FY2027 達 1,150 億美元、FY2028 達 2,300 億美元，且已取得支撐 FY2027 的供應；但 HBM、先進晶圓、載板及資料中心就緒度仍可能限制 CoWoS 加速器交付時程。
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HBM 原廠直接控制 DRAM 晶圓、TSV 堆疊、封裝良率與客戶供貨配額，是題材純度最高的一環。SK 海力士與美光在 HBM3E、HBM4 客戶導入及長約能見度較強，列受惠最高；三星電子具龐大 DRAM 產能與垂直整合能力，若 HBM4 認證及良率持續改善，屬受惠高的市占修復標的。市場重點在 HBM4 量產良率、客戶驗證、長約價格機制與產能售罄期間；2027 年起 8Hi 規格占比提高雖可紓解供給壓力，也可能改變單顆容量與產品組合。
  • 韓股 000660
    SK 海力士
    受惠最高
    1. 1. SK 海力士 2026 年第一季 HBM 市占率達 58%，HBM3E／HBM4 客戶驗證進度領先；AI 加速器依賴 HBM 頻寬，市占優勢有助取得供貨配額與定價權。
    2. 2. 2026 年第二季營收 79.3187 兆韓元、營業利益 60.5426 兆韓元，營益率 76%；HBM、AI 伺服器 DRAM 與 eSSD 高階產品組合，直接放大 AI 記憶體需求的獲利彈性。
    3. 3. HBM4 已於 2026 年第二季開始量產出貨，並於下半年放量；公司已與約 10 家客戶完成長約談判，同步加速 M15X、龍仁與 P&T7 擴產，提升後續供貨能見度。
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  • 美股 MU
    美光科技
    受惠最高
    1. 1. 美光已量產 HBM4 36GB 12-high，並向多家關鍵客戶送樣 48GB 16-high，產品對應 NVIDIA Vera Rubin 等新世代 AI 平台，能直接受惠加速器頻寬與容量升級。
    2. 2. HBM4E 預計於 2027 年放量，且美光已與 NVIDIA 共同開發客製化 NV HBM；客製化可提高功耗、速度與品質差異，深化客戶黏著並支撐較高產品價值。
    3. 3. 美光已簽署 26 份策略客戶協議，預估涵蓋至 2030 年逾 35% 營收；2027 財年超過 75% 出貨量已有承諾，長約與價格機制提升 AI 記憶體營收能見度。
    4. 4. FY2026 第四季營收達 542.3 億美元、年增 379%，毛利率 87%，核心資料中心營收季增 56%；但獲利仍高度依賴 DRAM、NAND 景氣，2028 年新增產能若超過 AI 需求，價格與毛利可能回落。
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  • 韓股 005930
    三星電子
    受惠高
    1. 1. 三星已量產並商用出貨 HBM4，產品可達 11.7 Gbps、12 層堆疊；公司預期 2026 年第 3 季 HBM4 銷售額季增逾 3 倍，直接把 AI 伺服器需求轉為高階記憶體營收。
    2. 2. 三星同時掌握 DRAM、晶圓代工與先進封裝，HBM4採 1c DRAM 搭配邏輯 base die，可透過垂直整合改善供貨與成本；HBM4E 樣品已送主要客戶，提供世代升級與市占修復催化劑。
    3. 3. 三星正與主要客戶簽訂 5 年期 DRAM、NAND 長約，預計覆蓋約 60% 至 70% 工廠產能並收取預付款；在 HBM 排擠一般 DRAM、供給短缺延續下，有助提高產能利用率、議價力與營收能見度。
    4. 4. HBM 供給仍受 TSV、堆疊與封裝良率限制，且 2027 年 8Hi 比重可能提高、改變產品組合；三星能否持續通過主要客戶驗證與維持 HBM4 良率，將決定擴產是否真正轉化為獲利。
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HBM 堆疊層數、AI 晶片功耗與封裝面積同步上升，放大後段封裝、KGD 測試、Burn-in 與高階 ABF 載板的技術門檻。日月光投控與京元電子可承接先進封裝及高功率測試外溢，欣興、南電則受惠於 CoWoS-L 等大型封裝提高載板層數與單位用量，均屬受惠高。此鏈條並非 HBM 本體，獲利能否放大要看 委外封測比重、測試工時、ABF 稼動率與報價轉嫁能力；若 CoWoS 擴產加速、客戶自行整合或載板終端需求轉弱，營收認列可能與 AI 出貨不同步。
  • 台股 3711
    日月光投控
    受惠高
    1. 1. AI GPU、ASIC 與 HBM 堆疊提高封裝面積、測試時間及良率要求，日月光 2026 年上半年 ATM 營收年增 35%，可承接後段封裝與測試外溢需求。
    2. 2. 日月光將 2026 年資本支出上修至約 105 億美元，並投入先進封裝、測試及自動化產能；LEAP 服務營收目標超過 35 億美元，擴產有助承接 HBM4、AI ASIC 長期需求。
    3. 3. 高階封裝與測試供給吃緊推升稼動率及報價，日月光 2026 年第二季 ATM 毛利率已達 27.3%，AI 晶片測試工時增加可帶動產品組合與獲利改善。需留意公司並非 HBM 原廠，效益仍取決於委外比例、客戶認證、產能爬坡及高額資本支出的回收。
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  • 台股 2449
    京元電子
    受惠高
    1. 1. 京元電子測試服務約占營收 98%，具備超過 5,900 套設備與自製 Burn-in 爐；AI 晶片封裝更複雜、功耗更高，將推升 KGD、成品測試與預燒工時。
    2. 2. 2026 年第 2 季資料處理應用季增 17%，成品測試季增 13.1%、Burn-in 季增 15.2%，AI GPU、TPU 與 CPU 測試需求已轉化為實際營收成長。
    3. 3. 公司 2026 年資本支出提高至新台幣 500 億元，擴充無塵室、高功率測試與頭份、楊梅、新加坡產能；Rubin 及 ASIC 放量可帶動高階測試收入。
    4. 4. 高功率 AI 測試具技術門檻，京元電子已開發約 1,500W 氣冷及 3,000W 液冷 Burn-in 設備；但 Rubin 測試延後至第 4 季，且擴產伴隨折舊與現金流壓力。
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  • 台股 3037
    欣興
    受惠高
    1. 1. 欣興 2Q26 AI 資料中心營收占比達 61%，ABF 載板占營收 52%；HBM 堆疊與 CoWoS-L 封裝面積放大，將推升高階載板層數、單位用量與產品單價。
    2. 2. 2Q26 ABF 營收季增 22%、年增 51%，稼動率維持 90% 以上，毛利率由 1Q26 的 18% 升至 24.8%；AI 高階產品組合與漲價已轉化為獲利改善。
    3. 3. 公司將 2026 年資本支出提高至 537 億元，其中 80%～85% 投入 ABF 產能與技術升級；光復、楊梅新廠於 2027～2028 年開出，多數產能已有客戶預訂。
    4. 4. 欣興屬 ABF 載板而非 HBM 本體，實際受惠仍取決於 CoWoS／AI 晶片出貨、ABF 稼動率、材料供給與報價轉嫁；若封裝架構或終端需求轉弱，認列可能遞延。
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  • 台股 8046
    南電
    受惠高
    1. 1. 南電 2Q26 ABF 載板營收占 56%，AI／HPC 與高階交換器需求推動大尺寸、高層數載板；HBM 堆疊與封裝面積放大，將提高單顆載板用量及產品 ASP。
    2. 2. 南電 2026 年上半年營收較 2025 年同期增 37.2%，營業利益增加 38.52 億元；AI 伺服器、交換器與記憶體需求推升稼動率，營運槓桿開始顯現。
    3. 3. 樹林與錦興廠 ABF、BT 產能接近滿載，昆山 ABF 稼動率由 2Q26 約 50%升至 60%至70%，預期 4Q26 接近滿載，有利 AI 載板出貨與固定成本攤薄。
    4. 4. 南電 2026 年 8 月通過 468 億元高階載板資本支出，鎖定大尺寸、高層數與 CoWoS／CoPoS 衍生需求；惟獲利仍取決於新產能良率、ABF 報價轉嫁及 AI 需求延續。
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HBM 從 TSV 深孔、清洗、蝕刻、堆疊與鍵合，到 CoWoS 的濕製程、點膠、貼合及自動化，均提高單位產能所需設備含量。萬潤與弘塑受惠高於台灣先進封裝擴產；應用材料、科林研發則受惠高於 DRAM、HBM 與先進封裝的沉積、蝕刻、CMP 與量測投資。這是典型的 賣鏟人邏輯，接單通常先於客戶量產營收反映；須觀察記憶體原廠與晶圓代工廠資本支出、設備交期、驗收認列及新產能實際良率，而非只以 AI 題材熱度推估營收。
  • 台股 6187
    萬潤
    受惠高
    1. 1. 半導體封測設備營收占比約 80%～90%，產品涵蓋精密點膠、貼合、AOI 與散熱；HBM 堆疊及 CoWoS 封裝複雜度升高，將推升單位設備含量與訂單需求。
    2. 2. 萬潤 2026 年上半年營收 37.66 億元、年增 35.9%，EPS 11.90 元；AI、高效能運算與先進封裝擴產已轉化為設備出貨及獲利成長。
    3. 3. 公司整體稼動率維持高檔，訂單能見度已看到 2027 年第二季；但新設備須經客戶驗收，認列可能延後 6～12 個月，投資人應區分接單與營收落袋時點。
    4. 4. CPO 光耦合與 AOI 設備預計 2026 年第四季開始交貨、2027 年第一季放量，搭配 SoIC、CoPoS 布局，可延伸 AI 封裝設備成長曲線；惟實際貢獻仍取決於客戶驗證與量產進度。
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  • 台股 3131
    弘塑
    受惠高
    1. 1. 弘塑設備業務約占營收 65%，主攻 CoWoS、SoIC 與 HBM 所需的清洗、蝕刻及去光阻濕製程；AI 先進封裝擴產提高單位設備含量，帶動訂單與出貨需求。
    2. 2. 2026 年前五月接單金額已超過 2025 年全年營收 65.14 億元，客戶需求涵蓋先進封裝、HBM 與記憶體；但目前產能僅約滿足需求三分之一，訂單轉營收仍受交機能力制約。
    3. 3. 3D Hybrid Bonding 與面板級封裝自 2026 年起進入放量階段，研究估計 SoIC 濕製程設備 ASP 較 CoWoS 高 50% 至 100%；二期廠投產並降低外包比重，有利 2027 年產品組合與毛利率改善。
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  • 美股 AMAT
    應用材料
    受惠高
    1. 1. 應用材料提供 Epitaxy、PECVD、ECD、CMP 與 eBeam 量測設備，對應 HBM 的 TSV 填充、堆疊、平坦化及缺陷檢測；層數升高會推升單片設備含量。
    2. 2. 公司在 DRAM 與先進封裝具領先地位，2026 年第 3 季營收 91.2 億美元、年增 25%；管理層預期全年先進封裝營收成長逾 70%，直接受惠 HBM／CoWoS 擴產。
    3. 3. 先進邏輯、DRAM 與先進封裝預計占 2026 至 2027 年 WFE 成長約 80%，且大型客戶提供滾動 8 季預測；應材因此可在 HBM 量產前先取得設備訂單與服務收入。
    4. 4. 受惠核心仍是客戶資本支出而非 HBM 銷售；中國營收約占半導體系統與服務 26%，出口管制、HBM 良率或記憶體廠延後擴產，都可能使設備交付與營收認列遞延。
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  • 美股 LRCX
    科林研發
    受惠高
    1. 1. 科林研發具高深寬比乾式蝕刻與 TSV 蝕刻、銅電鍍能力，HBM 堆疊及 CoWoS／3D 封裝提高製程步驟與設備含量，帶動系統訂單。
    2. 2. FY2026 第四季先進封裝營收年增逾 70%，記憶體占系統營收 46%，其中 NAND 營收季增一倍；HBM 與 AI 儲存擴產已轉化為實際設備需求。
    3. 3. 公司預期 2026 年晶圓製造設備支出達 1,500 億美元初段，並看好 2027 年續成長；AI 推升 DRAM、HBM 與先進封裝投資，有利其蝕刻與沉積市占擴張。
    4. 4. FY2026 第四季客戶支援營收達 24.7 億美元、連續第三季創高，可受惠高稼動率帶動備品與服務；但中國出口限制及記憶體資本支出反轉仍可能延後訂單認列。
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HBM 優先占用先進 DRAM 晶圓、封裝資源與資本支出後，常規 DRAM、利基型記憶體及企業級 SSD 供給可能受排擠。南亞科較直接受惠於標準型 DRAM 報價與稼動率改善，列受惠高；華邦電受惠中等於利基型 DRAM、NOR Flash 供需緊俏，群聯則受惠中等於 AI 推論資料中心的企業級 SSD 與 NAND 控制 IC 需求。此類屬 價格外溢而非 HBM 本體，應嚴查庫存成本、合約價與現貨價走勢、終端需求及擴產進度；價格回落或高價庫存跌價時，獲利彈性也會快速反轉。
  • 台股 2408
    南亞科
    受惠高
    1. 1. 南亞科主力為標準型 DRAM，主要大廠持續把產能轉向 HBM、DDR5，造成 DDR4 等成熟規格供給受排擠；公司 3Q26 ASP 季增逾 60%，毛利率升至 85.7%。
    2. 2. AI 基礎建設與伺服器相關營收已占南亞科超過 20%，需求由 HBM 延伸至網路、儲存及系統管理 DRAM；AI 資料中心擴建可支撐其高容量記憶體出貨與報價。
    3. 3. 南亞科目前長期供貨協議覆蓋約 50% 至 70% 產能，客戶並希望延長合約；供給能見度提高，有助公司在缺貨期維持稼動率、議價力與獲利穩定度。
    4. 4. 公司 3Q26 位元出貨量反而季減中個位數，獲利主要依賴 ASP 上漲；若 AI 資本支出放緩、成熟型 DRAM 供給增加或高價庫存反轉，毛利率與 EPS 彈性將快速收斂。
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  • 台股 2344
    華邦電
    受惠中
    1. 1. HBM 與高階 DRAM 優先占用晶圓後，DDR4、LPDDR4 等成熟規格供給收縮；華邦電 2026 年第 2 季記憶體毛利率達 70.3%、產能利用率約 100%，可透過報價上漲放大獲利。
    2. 2. 華邦電全球 NOR Flash 市占約 23%，公司估計新一代 AI 伺服器單一機櫃需 500 至 600 顆 NOR；AI 機櫃控制板、交換器與電源需求增加，有助帶動高容量 NOR 出貨與產品組合升級。
    3. 3. 公司已將 2026 年資本支出提高至約 421 億元，高雄 DRAM Module A 月產能規劃由 1.5 萬片升至 2.4 萬片，2027 年可增加位元出貨；但主要受惠仍是價格外溢，若 AI 資本支出放緩或成熟型記憶體供給回補，獲利彈性可能快速反轉。
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  • 台股 8299
    群聯
    受惠中
    1. 1. HBM 與 AI 優先配置上游資源，NAND 供給受排擠；群聯執行長預期短缺可能延續至 2027～2028 年，有利企業級 SSD 與高容量儲存報價。
    2. 2. 群聯 2Q26 AI Ecosystem Module 已占營收 38%、季增 68%，9 月占比更突破 50%；涵蓋 eSSD、aiDAPTIV、AI Networking 與 AI Server，直接承接 AI 推論儲存需求。
    3. 3. 2026 年 8 月群聯控制晶片出貨量月增 10%，其中 PCIe SSD 控制晶片大增 77%；9 月營收達 306.39 億元、年增 370.26%，顯示受惠不只來自 NAND 漲價，也有高階產品放量。
    4. 4. 群聯存貨淨額達 917.92 億元、週轉天數 297 天，主要配置企業級與工控專案；低成本庫存可放大漲價期毛利，但若 NAND 報價反轉，庫存跌價與現金占用風險也會同步升高。
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