三星、SK 海力士搶先卡位 HBM4,16 層堆疊封裝達量產門檻
2026/02/03
南韓記憶體雙雄三星電子與 SK 海力士(SK hynix)已成功確立第六代高頻寬記憶體(HBM4)16 層堆疊封裝技術的量產可行性,在 AI 與高效能運算(HPC)記憶體競賽中持續拉開技術差距。 三星電子記憶體事業部副社長金在中(김재중) 於上月 29 日的 2025 年第四季財報法說會 中指出,三星已完成 TC-NCF(熱壓接合+非導電薄膜) 為基礎的 HBM3E 與 HBM4 16 層堆疊封裝技術,且良率已達量產水準。 業界普遍認為,HBM 封裝若要具備商業化意義,良率至少須超過 60%。三星此番表態,等同宣告其已在 10 奈米級第六代(1c)DRAM 製程的 HBM4 16 層封裝上,取得可跨越損益兩平點(BEP)的關鍵進展。