三星、SK 海力士搶先卡位 HBM4，16 層堆疊封裝達量產門檻
南韓記憶體雙雄三星電子與 SK 海力士（SK hynix）已成功確立第六代高頻寬記憶體（HBM4）16 層堆疊封裝技術的量產可行性，在 AI 與高效能運算（HPC）記憶體競賽中持續拉開技術差距。
三星：HBM4 16 層封裝良率已具商轉條件
三星電子記憶體事業部副社長金在中（김재중） 於上月 29 日的 2025 年第四季財報法說會 中指出，三星已完成 TC-NCF（熱壓接合＋非導電薄膜） 為基礎的 HBM3E 與 HBM4 16 層堆疊封裝技術，且良率已達量產水準。
業界普遍認為，HBM 封裝若要具備商業化意義，良率至少須超過 60％。三星此番表態，等同宣告其已在 10 奈米級第六代（1c）DRAM 製程的 HBM4 16 層封裝上，取得可跨越損益兩平點（BEP）的關鍵進展。
SK 海力士：HBM4 16 層隨時可量產
SK 海力士方面也同步釋出進展。公司表示，HBM4 16 層封裝的所有技術與量產準備已完成，可依照客戶需求即時供應，目前可比照 HBM4 12 層的節奏出貨。
SK 海力士採用的是 MR-MUF（先進回焊＋模塑底部填充） 技術，並以 10 奈米級第五代（1b）DRAM 為基礎，將 HBM 堆疊層數推進至 16 層。該公司日前在 CES 展會 上，也曾展示 24Gb（3GB）DRAM 晶片為基礎的 HBM4 16 層樣品。
高階技術就緒，但需求仍偏向 12 層
儘管技術門檻已突破，三星與 SK 海力士對於 HBM4 16 層的商業化時程看法一致偏保守。
SK 海力士指出，目前市場實質需求與獲利主力仍集中在 HBM4 12 層產品，16 層產品將視客戶實際需求再行啟動量產。
三星方面也坦言，HBM3E 與 HBM4 16 層的客戶需求「非常有限」，在今年規劃供應同容量 HBM4E 12 層樣品的前提下，現階段並無迫切推動 16 層量產的必要。
容量更大、難度更高 20 層將轉向銅接合
相較 12 層，HBM4 16 層可在相同封裝面積下，多提供約 12GB 容量，以 24Gb DRAM 晶片計算，總容量可達 48GB，對 AI 加速器極具吸引力。
不過，根據 JEDEC 標準，HBM4 封裝厚度不論層數皆限制在 775 微米，代表 16 層必須進一步縮小晶片間距，大幅提高封裝難度與良率挑戰。
業界也傳出，為了兼顧厚度與散熱表現，三星與 SK 海力士計畫自 20 層堆疊起，導入「混合銅接合（HCB, Hybrid Copper Bonding）」技術，以支撐下一世代 HBM 的極限堆疊。
技術超前、市場節奏仍是關鍵
整體而言，三星與 SK 海力士已在 HBM4 16 層封裝技術上完成「備戰狀態」，顯示其對 AI 長期需求的高度信心；但短期內，考量成本、良率與客戶導入節奏，12 層仍將是未來 1～2 年的主流規格。
HBM 競賽已不只是「能不能做」，而是「什麼時候做、為誰而做」的精準商業判斷。
