三星、SK 海力士競逐 HBM4 技術，支援新一代 AI 加速器
為什麼重要
三星和 SK 海力士的 HBM4 產品將直接影響 NVIDIA 和 AMD 下一代 AI 加速器的效能與市場競爭力，進而影響相關科技產業的發展趨勢。
背景故事
#DRAM 競爭、#HBM 技術、#AI 加速器
三星和 SK 海力士一直在 DRAM 技術上進行競爭，尋求在 HBM 領域取得領先地位。
HBM 技術的發展對於支援高效能運算和 AI 加速器的需求日益增加，促使這些公司投入更先進的技術研發。
發生了什麼
#HBM4 流片、#代工工藝、#先進 DRAM
三星計劃於 2024 年底開始 HBM4 的流片工作，目標於 2025 年底實現 12 層產品的量產。
三星和 SK 海力士計劃將其 HBM4 產品的邏輯晶片生產從 DRAM 工藝轉移到代工工藝，三星使用 4 奈米，SK 海力士使用臺積電的 5 奈米和 12 奈米工藝。
三星和 SK 海力士的 HBM4 產品將採用更先進的 DRAM 技術，預計將用於 NVIDIA 和 AMD 的下一代 AI 加速器。
接下來如何
#設計改進、#量產計劃、#裝置引進
三星和 SK 海力士將繼續進行 HBM4 產品的設計和工藝改進，並對主要客戶進行產品送樣，以確保產品能滿足市場需求。
預計三星和 SK 海力士的 HBM4 產品將於 2025 年開始量產，並於 2026 年被整合到 NVIDIA 和 AMD 的 AI 加速器中。
相關投資和裝置引進將隨著 HBM4 技術的開發和量產計劃展開，特別是三星電子計劃向平澤 P4 工廠引進 DRAM 處理裝置。
他們說什麼
SK 海力士 HBM 開發負責人表示，公司原本決定使用 1b DRAM 作為 HBM4 的核心晶片，但在得知三星將使用 1c DRAM 後，開始重新考慮。
NVIDIA 和 AMD 預計將於 2026 年推出搭載 HBM4 的 AI 加速器，分別命名為「Rubin」和「MI400」，顯示出對三星和 SK 海力士 HBM4 產品的依賴和期待。
