SK 海力士推遲 1c DRAM 投資，專注擴大 HBM 產能
為什麼重要
SK 海力士專注於高頻寬儲存器（HBM）生產，將影響資料中心和 AI 半導體公司的供應鏈，提升其在高獲利產品領域的競爭力。
三星電子加快 1c DRAM 量產，可能在高效能資料中心和 AI 應用領域發揮市場領先優勢。
背景故事
#1c DRAM、#HBM 產能
SK 海力士於 2024 年 8 月宣佈成功開發 1c 16Gb DDR5 DRAM，原計劃於 2024 年內完成量產準備，並從 2025 年開始供應產品。
與前一代 1b 工藝相比，SK 海力士 1c DRAM 的生產率提高 30％ 以上，將主要用於高效能資料中心，執行速度為 8Gbps，速度和能效分別比前一代提高了 11％ 和 9％ 以上。
SK 海力士推遲 1c DRAM 量產線建設的主因是，包括輝達（Nvidia）在內的主要 AI 半導體公司正在大量訂購 HBM，導致 SK 海力士今年 HBM 產能已售罄。
發生了什麼
#1b DRAM 擴產
SK 海力士計劃推遲對 10nm 級第六代 DRAM（1c DRAM）的投資，專注於生產高頻寬儲存器（HBM）。
HBM 的獲利能力是普通 DRAM 的 3-5 倍，目前 HBM3 8 層（24 GB）和 HBM3E 8 層（36 GB）產品售價分別在 200 美元和 300 美元出頭，而 HBM4 12 層產品售價預計將超過 600 美元。
SK 海力士正專注於擴大其 1b DRAM 產能，以作為 HBM3E 和 HBM4 的核心晶片，並計劃於下半年竣工的 M15X 安裝 1b DRAM 量產線。
接下來如何
#HBM4E 產能擴大、#三星競爭
業界預計，SK 海力士將在 HBM4E 量產後擴大 1c DRAM 的產能，並計劃從 HBM4E 開始將 1c DRAM 用作核心晶片。
半導體業內人士透露，主要 AI 半導體公司對 HBM4 的需求比預期延遲，未來 HBM4E 的量產也可能延遲，因此 SK 海力士不需急著投資 1c DRAM，專注於滿足現有的需求。
與 SK 海力士不同，三星電子正在加快 1c DRAM 的量產速度，計劃於今年下半年量產，並預計於 2026 年開始供應。
他們說什麼
SK 海力士在 4 月的第一季電話會議上表示，投資重點將放在需求可預見性高、獲利能力有保障的產品上。
