三星、SK 海力士競逐 HBM4 技術，2024 年量產目標確定
發佈時間：2024/08/19
為什麼重要
三星電子和 SK 海力士的 HBM4 開發進度將直接影響輝達和 AMD 下一代 AI 加速器的效能和上市時間，進而影響整個 AI 技術領域的發展速度。
發生了什麼
#HBM4、#量產、#AI 加速器
三星電子計劃於 2023 年底開始 HBM4 的流片工作，目標於 2024 年底實現 12 層產品的量產。
SK 海力士計劃使用台積電的 5 奈米和 12 奈米工藝生產 HBM4 的邏輯晶片，並預計於 2024 年下半年開始量產 12 層產品。
輝達和 AMD 計劃於 2026 年推出搭載 HBM4 的 AI 加速器，分別命名為「路賓」和「MI400」。
背景故事
#HBM3E、#1c DRAM、#技術選擇
三星電子正準備向平澤 P4 工廠引進 DRAM 處理裝置，目標是生產第六代 1c 製程 DRAM，以支援 HBM4 產品的開發和量產。
接下來如何
#開發和測試、#投資和改進、#市場影響
三星電子和 SK 海力士將繼續進行 HBM4 產品的開發和測試，並對主要客戶進行產品送樣，以確保 2024 年的量產目標得以實現。
兩家公司預計將進行額外的投資和技術改進，以支援 HBM4 產品的生產和應用，特別是在 AI 加速器領域的應用。
隨著 HBM4 技術的成熟和量產，預計將對 AI 加速器市場產生重大影響，特別是對於輝達和 AMD 於 2026 年推出的新產品。
他們說什麼
SK 海力士的一位 HBM 開發負責人表示，公司內部原本決定使用 1b DRAM 作為 HBM4 的核心晶片，但在得知三星使用 1c DRAM 後，開始重新考慮。
業界分析師預計，三星電子和 SK 海力士在 HBM4 技術上的競爭將加劇，特別是在選擇核心晶片技術和生產工藝方面。
概念股
參考資料
編輯整理：Ethan Chen
