SK 海力士量產 HBM4 在即，AI 時代高階記憶體競爭白熱化
SK 海力士（SK hynix）社長郭魯正（Kwak Noh-jung） 22 日在首爾江南出席「半導體之日」活動前表示，公司已完成高頻寬記憶體（HBM）第 4 代產品 HBM4 的開發與量產體系建構，產品在性能、速度與功能上均完全符合客戶要求。
HBM4 性能與良率達標 量產體系已就緒
郭魯正在受訪時指出：「HBM4 已達到客戶期望的性能、特性與量產性，SK 海力士已建立完善的量產體系。」他並強調，具體進展與量產細節將於下週財報發布時揭露。
SK 海力士上月已對外發布新聞稿，宣告「HBM4 開發完成並進入量產準備階段」。當時業界認為，公司在尚未正式量產供貨前即公開此訊息相當罕見，被視為對三星電子（Samsung Electronics）釋出競爭訊號。
郭魯正表示，未來公司將以「客戶導向」為核心，從單純晶片供應商，轉型為提供 AI 時代完整解決方案的「真正夥伴」。
看好 2026 年記憶體市場 AI 需求推升超級循環
對於明年記憶體市場展望，郭魯正指出，「2026 年的市場將延續今年的良好走勢」。業界普遍預期，隨著 AI 伺服器與高階 GPU 需求爆發，全球記憶體產業有望進入新一輪「超級循環（Super Cycle）」。
SK 海力士 HBM4 亮相 12 層堆疊、效能大幅提升
在同日於首爾 COEX 舉行的「2025 韓國半導體大展（SEDEX）」上，SK 海力士首次公開 HBM4 12 層堆疊的量產用實體晶片。
據公司介紹，HBM4 相較前一代 HBM3E：
頻寬提升 2 倍
能效提升逾 40％
AI 運算性能提升最高達 69％
此技術可有效解決 AI 運算中的資料瓶頸（bottleneck），並降低整體功耗成本，成為生成式 AI 與高效能運算（HPC）市場的關鍵記憶體。
三星同步公開 HBM4 雙雄競爭進入白熱化
值得注意的是，三星電子也在本次 SEDEX 展中首次於國內公開 HBM4 實物。這是三星在歷經 HBM3E 品質與良率挑戰後，試圖在 HBM4 階段逆轉勝的關鍵一步。
三星採用更先進的 1c 奈米製程應用於 HBM4 核心 DRAM，領先前一代 1b 製程；而 SK 海力士則選擇相對穩定的 1b 奈米製程。
在控制層（Logic Die）部分，三星使用 4 奈米代工技術，而 SK 海力士則採用台積電（2330）12 奈米級製程。該晶層負責在 DRAM 與 GPU 之間進行資料信號控制與電力分配，是 AI 記憶體效能的關鍵元件。
黃仁勳訪韓行程保密 HBM 供應關係受關注
對於輝達（NVIDIA）執行長黃仁勳（Jensen Huang） 下週是否將參觀 SK 海力士位於利川的工廠，郭魯正僅表示「無可奉告」，未進一步透露細節。
目前 HBM 市場主要由 SK 海力士、三星電子與美光（Micron）三強競逐，其中 SK 海力士在 HBM3 與 HBM3E 世代穩居供應龍頭。HBM4 量產的提前佈局，將進一步鞏固其在 AI 時代的領導地位。
