三星、SK 海力士競逐 HBM4，明年量產迎接 AI 加速器需求
發佈時間：2024/10/25
為什麼重要
三星和 SK 海力士加速 HBM4 的開發和量產將直接影響 NVIDIA 和 AMD 下一代 AI 加速器的效能和上市時間，進而影響整個 AI 技術領域的發展速度。
背景故事
#HBM 市場競爭、#下一代產品、#AI 加速器需求
三星電子和 SK 海力士在高頻寬記憶體（HBM）市場展開激烈競爭，三星在 HBM3 和 HBM3E 方面失去市場份額。
發生了什麼
#量產計劃、#核心晶片技術、#製程技術
三星電子計劃在 2025 年 6 月之前完成 12 層 HBM4 的量產準備，並預計於今年第四季度開始流片工作。
三星將採用 1c DRAM 作為 HBM4 的核心晶片，並透過代工 4nm 工藝量產邏輯晶片。
SK 海力士計劃在明年下半年量產 12 層 HBM4，核心晶片將採用 1b DRAM，並將採用臺積電的 5nm 和 12nm 工藝量產邏輯晶片。
接下來如何
#高效能記憶體供應、#良率提升、#市場格局影響
三星和 SK 海力士的 HBM4 量產將為 NVIDIA 和 AMD 提供所需的高效能記憶體，以支援其 2026 年推出的 AI 加速器 Rubin 和 MI400。
三星必須提高 1c DRAM 的量產良率，以滿足 HBM4 內部量產進度，並可能進行設計和工藝改進以最佳化產品效能。
SK 海力士和三星的競爭將影響未來高效能記憶體市場的格局，特別是在 AI 加速器領域的應用。
他們說什麼
三星電子內部對於在 1c DRAM 開發過程中首次獲得「好晶片」給予了「希望出現了」的積極評價，顯示對於 HBM4 開發進度的信心。
NVIDIA 和 AMD 尚未就三星和 SK 海力士的 HBM4 量產計劃發表評論，但他們的新一代 AI 加速器 Rubin 和 MI400 的推出計劃，凸顯了對高效能記憶體技術的需求。
概念股
參考資料
編輯整理：黃沛琪
