氮化鎵概念股

上游涵蓋鎵原料、SiC／Si／工程基板、磊晶與 MOCVD 設備，是 GaN 放量前最容易形成瓶頸的環節。中國原生鎵供給占比極高，出口管制使原料安全與多來源認證成為估值變數；同時 6 吋轉 8 吋、未來 12 吋的良率爬坡需要設備與基板供應配合。AIXTRON、Coherent、住友電工等受惠於擴產與技術門檻，但也要觀察鎵價格、設備交期與客戶資本支出節奏。
  • DE AIXA
    Aixtron
    受惠高
    1. 1. AIXTRON 於 2026 年 5 月向瑞薩交付多套 Planetary G5+C MOCVD 系統並已投入運轉，直接支援 GaN 高量產擴產，可帶動設備銷售與後續服務需求。
    2. 2. Planetary MOCVD 以高產能與磊晶均勻性支援 GaN 外延層成長，對 6 吋、8 吋放量及良率爬坡具關鍵性；設備認證週期長，有助維持客戶黏著與技術門檻。
    3. 3. AI 資料中心未來導入 800 V 直流架構，GaN 可用於機架與板級高頻轉換，若設計驗證轉為量產，將推動客戶擴充 GaN 產能，形成 AIXTRON 中長期 MOCVD 訂單催化劑。
    4. 4. GaN 設備需求目前仍僅溫和、客戶利用率逐步回升，AIXTRON 尚未觀察到大幅新增訂單動能；因此短期受惠仍取決於 800 V 架構認證與客戶資本支出落地。
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  • 美股 COHR
    Coherent Corp.
    受惠高
    1. 1. Coherent 是 SiC 基板主要供應商之一，而 GaN-on-SiC 是 5G、雷達與國防射頻的主流平台；基板瓶頸可推升其高階材料需求與議價空間。
    2. 2. 公司已向主要 AI 半導體客戶送樣 300 mm 高導熱 SiC 基板；若完成驗證並量產，可提升大尺寸基板產能利用率，並強化其在 GaN 上游材料的戰略地位。
    3. 3. 中國鎵與高純基板供應集中，促使美歐客戶重視可追溯及多來源供應；Coherent 的美國製造布局有利爭取非中國供應鏈訂單，但 GaN 專屬營收仍未被公司單獨揭露。
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  • 美股 WOLF
    Wolfspeed Inc
    受惠高
    1. 1. Wolfspeed 具備 GaN-on-SiC RF 元件與射頻材料能力，SiC 基板可提供高散熱與耐壓平台，連結 5G、雷達及國防 RF GaN 需求。
    2. 2. 公司採垂直整合模式，掌握 SiC 晶體、基板與元件製造，且已完成 6 吋至 8 吋轉換；基板供應與大尺寸良率優勢可提高 GaN-on-SiC 客戶導入門檻。
    3. 3. AI 資料中心營收於 2026 財年翻倍以上，但主要驅動為 800 V 架構的 SiC 電源產品，並非已量化的 GaN 營收；投資人不宜將整體 AI 成長全數視為 GaN 題材。
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  • 日股 5802
    住友電工
    受惠高
    1. 1. 住友電工提供高品質 GaN／SiC 基板，並參與 ScAlN／GaN HEMT 研究；若高頻通訊、雷達與衛星應用導入，將推升高規格基板需求與材料業務價值。
    2. 2. 日本企業在 RF GaN 晶圓與磊晶技術具專利優勢，住友電工被列為基板領導業者；高可靠度認證與製程門檻有助維持客戶黏著及產品溢價。
    3. 3. 5G Massive MIMO、國防雷達與衛星通訊需要 GaN-on-SiC 的高功率密度與散熱性能，住友電工掌握上游基板環節，可受惠於 6 吋、8 吋晶圓升級帶來的供應鏈需求。
    4. 4. 目前公司未揭露 GaN 基板營收占比、專用產能或具體訂單，投資人應將其視為高技術材料的間接受惠；後續需追蹤量產、客戶認證與營收貢獻。
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  • 美股 VECO
    Veeco Instruments Inc.
    受惠中
    1. 1. Veeco 的 Propel 300 MOCVD 平台已獲領先功率 IDM 試產線訂單並朝量產推進，且參與 imec 300 mm GaN 電力 consortium，有望受惠 GaN 晶圓擴產與大尺寸化設備需求。
    2. 2. Veeco 以 MOCVD 沉積均勻性、良率與低單片持有成本建立設備競爭力，管理層估計 GaN Power 至 2030 年 SAM 為 2.5 億美元，反映設備端的長期市場機會。
    3. 3. 2026 年第二季化合物半導體營收為 2,100 萬美元、占比 11%，全年預期約翻倍但主要由 Lumina 與 SPECTOR 矽光子設備帶動；因此 GaN 對 Veeco 的短期營收貢獻仍缺乏單獨量化證據。
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  • 日股 4063
    信越化學
    受惠中
    1. 1. 信越化學開發 QST™ 複合基板，IMEC 以其 300 mm 基板製作 GaN HEMT，實現超過 800 V 擊穿電壓，對應 AI 資料中心、工業與車用高壓電源需求。
    2. 2. QST™ 熱膨脹係數匹配 GaN，可改善大尺寸磊晶的翹曲與裂縫問題；信越已供應 150 mm、200 mm 產品並推進 300 mm 量產，有助降低基板成本、支援 GaN 晶圓放大。
    3. 3. 信越已取得 QROMIS 授權，並與 IMEC 合作推進 300 mm GaN 開發，且有日本及國際客戶評估 QST™；但目前仍屬開發與認證階段，尚缺乏 GaN 基板營收占比及量產訂單證據。
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  • FR SOI
    Soitec
    受惠中
    1. 1. Soitec 以 €30M 現金收購 GaN 磊晶晶圓商 EpiGaN，直接取得 RF 5G、功率電子與感測器所需的 GaN epiwafer 技術，切入氮化鎵上游材料供應鏈。
    2. 2. EpiGaN 技術已針對 5G 寬頻網路最佳化，GaN 磊晶晶圓可支援高功率、低損耗射頻元件；若 5G、衛星與雷達需求擴大，將提高 Soitec 特殊基板與磊晶產品的成長選項。
    3. 3. Soitec 具 Smart Cut 工程基板與超過 4,800 件專利，並持續發展 GaN-on-insulator；此類低缺陷、可工程化基板有助 GaN 從高成本 SiC 路線延伸至更具成本效益的功率與通訊應用，但目前缺乏 GaN 營收占比與量產訂單證據，受惠仍屬中度。
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晶圓代工是功率 GaN 從設計勝出走向量產的關鍵，重點在200mm GaN-on-Si 製程、封裝配套與客戶認證速度。台積電退出部分 GaN 代工服務後，GlobalFoundries 等開放代工平台的重要性提升；世界先進則在法說中提到 GaN 量產規模擴大將貢獻成長。此類公司受惠程度取決於產能利用率、長約能見度、良率與 ASP，若僅有平台布局但營收占比低，彈性會低於純元件廠。
  • 美股 GFS
    格芯
    受惠高
    1. 1. 格羅方德已與 onsemi 合作，以 200mm eMode GaN-on-Si 製程開發並製造 650V 功率元件，鎖定 AI 資料中心、車用與工業電源，將代工平台直接連結高成長應用。
    2. 2. 2026 年 9 月格羅方德與 Navitas 已在美國晶圓廠出貨 GaNFast，代表 GaN 由合作開發進入實際供貨；美國製造可提升 AI 電源與國防客戶的供應鏈韌性。
    3. 3. 台積電退出部分 GaN 代工服務後，GlobalFoundries 的開放平台重要性提升；其 200mm 製程與全球製造網絡，有利承接無晶圓廠客戶並縮短量產導入路徑。
    4. 4. 格羅方德目前已出貨 GaN 資料中心產品，管理層預期 800V 電源架構的拉動將在 2027 至 2028 年增強；實際效益仍取決於 onsemi、Navitas 客戶認證及放量速度。
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  • 台股 5347
    世界
    受惠高
    1. 1. 世界先進取得台積電 650V 與 80V GaN 製程授權，並結合既有 GaN-on-Si 與 GaN-on-QST 平台，形成少數同時支援雙基板的代工能力，提升客戶導入彈性。
    2. 2. 公司規劃在成熟 8 吋產線驗證 15V 至 1200V GaN 製程，目標 2028 年上半年量產；若良率達標，可利用既有設備切入資料中心、車用與工控高附加價值電源元件。
    3. 3. 1H26 電源管理產品營收占比達 77.8%，AI 伺服器 PMIC 成長帶動產能利用率升至 90%；既有電源客戶與製程經驗有利 GaN design-in，但 GaN 營收占比及客戶訂單仍待量產後確認。
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  • FR XFAB
    X-FAB
    受惠中
    1. 1. X-FAB 德勒斯登 8 吋廠提供 100V 至 650V GaN-on-Si dMode HEMT、PDK、MPW、原型與量產服務，讓無晶圓廠客戶降低導入門檻，承接車用、資料中心及工業電源需求。
    2. 2. 2026 年第 2 季寬能隙業務營收 1,060 萬美元、年增 34%，並取得 3 個 SiC design win；GaN 路線持續推進，顯示 AI 800V 供電可望擴大代工案源。
    3. 3. X-FAB 與 IQE 展開為期兩年的合作，開發 650V GaN 平台，結合 IQE 磊晶與 X-FAB 製程能力，建立歐洲在地 turnkey 方案，有助縮短客戶認證與量產時程。
    4. 4. 寬能隙業務第 2 季季減 30%，主因單一客戶臨時訂單波動；且目前 GaN 營收占比與量產客戶規模未明，投資人仍應追蹤良率、認證及長約落地。
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功率 GaN 是投資人最直接追蹤的主線，應用從快充轉向AI 伺服器 PSU、800V HVDC、48V 中間匯流排、車載 OBC 與 DC-DC。Navitas 因純 GaN 曝險與 98% 以上效率平台，題材純度最高但財務波動也最大；英飛凌、onsemi、ST、瑞薩等大型 IDM 則靠併購、產能與客戶關係取得優勢。觀察重點是 NVIDIA 架構導入、資料中心設計勝出、車規認證與價格下滑能否由成本下降抵消。
  • 美股 NVTS
    納微半導體
    受惠最高
    1. 1. GaNFast 將功率元件、驅動、控制、感測與保護整合於單晶片，20 kW 800V 轉 6V 平台峰值效率達 97.5%，切合 AI 伺服器高頻、高密度電源需求。
    2. 2. Navitas 已納入 NVIDIA 800V AI 工廠生態系，並出貨支援 800V 架構的 GaN 與 SiC 量產樣品；若 2027 年超大規模雲端與 XPU 平台放量，單機電源內容量可望提升。
    3. 3. 2026 年第二季營收季增 22% 至 1,050 萬美元，高功率營收年增逾 50%，訂單積壓與 book-to-bill 創高，顯示公司由低毛利快充轉向 AI 電源後已有初步營運牽引。
    4. 4. 公司預期 2026 年底行動與低階消費營收將幾近消失，第四季 AI 基礎設施營收約占三分之一；但仍虧損且依賴外部代工，客戶認證延遲、競爭與 GaN 價格下滑可能壓縮轉型效益。
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  • DE IFX
    英飛凌
    受惠高
    1. 1. 英飛凌以 2023 年 8.3 億美元收購 GaN Systems，擴充 CoolGaN、約 350 個專利家族及逾 400 名 GaN 專家，形成技術與客戶導入門檻。
    2. 2. 英飛凌已加入 NVIDIA MGX AI Factory 生態系，GaN 可支援接近 1 MHz 的高頻轉換及 800 VDC 降至 50 V、12 V 或 6 V，直接卡位 AI 伺服器 PSU 與 48 V 中間匯流排。
    3. 3. Villach 的 300 mm GaN-on-Si 製程每片晶圓晶粒數較 200 mm 方案多 2.3 倍，若良率持續提升，將降低單位成本並改善功率 GaN 在 AI 電源市場的價格競爭力。
    4. 4. AI 電源需求已供不應求，英飛凌將 FY26 AI 營收指引上修至逾 16 億歐元、FY27 指引為逾 25 億歐元；但中國 GaN 銷售禁令與量產市占仍低於龍頭，需觀察設計導入能否轉成出貨。
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  • 美股 ON
    安森美
    受惠高
    1. 1. onsemi 於 2026 年推出 GaNEXUS，涵蓋 40V 至 650V FET 與整合保護功能，鎖定 AI 資料中心 48V 匯流排、電源架與高壓 DC-DC，可縮小磁性元件最多約 60%，提升功率密度。
    2. 2. AI 資料中心營收 2026 年預期較 2025 年翻倍以上，GaN 設計商機漏斗超過 15 億美元；隨 800V 架構導入，單櫃功率元件內容價值由約 9,500 美元上看 11.5 萬美元，放大營收與 ASP 空間。
    3. 3. 公司同時布局矽、SiC、GaN 及控制與封裝，並與 GlobalFoundries 開發 650V GaN、與 Innoscience 評估 200mm GaN-on-Si 量產，兼顧客製化、高毛利與大規模供貨，降低單一晶圓來源限制。
    4. 4. onsemi 的垂直 GaN 已在自有晶圓廠送樣，涵蓋 AI 資料中心與車用；公司並累積逾五年的 800V 車用經驗，可將高壓可靠度能力移植至 800V HVDC，但 GaN 營收主要仍待 2027 年後放量驗證。
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  • 美股 POWI
    Power Integrations, Inc.
    受惠高
    1. 1. Power Integrations 已發布採用 1,700V PowiGaN 的 NVIDIA 800V 機櫃輔助電源參考設計，預估相較分離式 SiC 可節省約 30% 空間，直接對接 AI 伺服器高密度供電升級。
    2. 2. PowiGaN 額定電壓提升至 2,200V，技術範圍可延伸至 1,500V 資料中心、光伏、儲能與 HVDC；但目前仍是展示技術，商用產品與重大營收貢獻預計需數年驗證。
    3. 3. 公司第二季取得主要 Tier 1 汽車供應商的 GaN 微型 DC-DC 設計案，預定 2027 年量產；汽車營收亦預計 2026 年翻倍，顯示 GaN 正由既有電源應用擴大至車用電氣化。
    4. 4. PowiGaN 產品 2025 年營收年增逾 40%，反映高壓 GaN 導入動能；若持續取代部分矽與 SiC 電源方案，有助改善產品組合，但家電需求疲弱仍是短期營收風險。
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  • 美股 STM
    意法半導體
    受惠高
    1. 1. 意法半導體整合矽、SiC、GaN、類比與電源產品，布局 800V 架構；AI 資料中心升級高壓直流供電，可提高整體電源方案的設計導入與單案價值。
    2. 2. 公司已將 GaN 納入 AI 資料中心電源布局，並同步提供高、低電壓電源與類比產品；管理層預期資料中心營收 2026 年逾 10 億美元、2027 年遠超 20 億美元。
    3. 3. ST 的 IDM 模式掌握晶片設計、製造與產能，並推進 200mm 至 300mm 晶圓及 SiC 150mm 至 200mm 轉換，有利高可靠電源元件通過長週期客戶認證並維持供應。
    4. 4. GaN 題材目前仍受獲利轉換限制：P&D 部門 2026Q2 營收 4.64 億美元但營業利益率為 -21.4%，製造轉型成本亦持續壓抑毛利，須觀察稼動率與高階產品占比改善。
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  • 日股 6723
    瑞薩電子
    受惠高
    1. 1. 瑞薩已推出 650V GaN FET 與雙向 GaN 開關，鎖定 AI 資料中心 800V HVDC、UPS、儲能及車用 OBC，能以高頻、低損耗特性切入高功率電源升級。
    2. 2. 併購 Transphorm 補強 d-mode GaN 與驅動整合能力，並可結合既有 MCU、PMIC、類比 IC 與控制器，提供完整電源方案，提升 design-in 勝率與客戶黏著度。
    3. 3. 1Q26 基礎設施業務營收年增 32%，公司明確指出 GaN 已切入 AI Data Center；若資料中心電源需求延續，將帶動高價值產品出貨，但仍須觀察 GaN 認證、量產轉換及毛利率。
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  • 美股 TXN
    德州儀器
    受惠中
    1. 1. 德州儀器在達拉斯與日本會津已量產 GaN；會津投產使內製產能提高 4 倍，搭配 200mm 製程與逾 8,000 萬小時可靠度測試，有助供應伺服器電源與高效率轉換方案。
    2. 2. 公司已完成 300mm GaN 製程試產，產品電壓能力由 900V 起並可再提升；若後續通過客戶驗證，將更貼近 AI 資料中心 800V HVDC 與高功率 PSU，並具單位成本優勢。
    3. 3. 2026 年第二季資料中心營收年增約 100%、季增 20%，但公司未單獨揭露 GaN 營收；TXN 主要受惠於 GaN 搭配 PMIC、類比與控制器的系統方案，純 GaN 曝險仍有限。
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射頻 GaN 主要用於5G Massive MIMO、宏基站、低軌衛星、AESA 雷達與電子戰，GaN-on-SiC 因散熱與功率密度優勢，仍是高功率 RF 的標竿平台。Qorvo、MACOM、NXP 等掌握高可靠度 RF 元件與國防客戶，穩懋則以化合物半導體代工切入 GaN-on-SiC 與航太需求。此段受惠程度看國防長約、基地台建置週期、6 吋 GaN-on-SiC 良率，以及高毛利航太／軍工占比能否提升。
  • 美股 QRVO
    科沃
    受惠最高
    1. 1. Qorvo 的 HPA 事業群 2027 財年第一季營收年增 50.1%，其中國防與航太為最大業務；GaN 射頻元件適合 AESA 雷達、電子戰與高功率通訊，可受國防平台升級拉動。
    2. 2. Qorvo 預期 2027 財年國防與航太銷售額約 5 億美元，需求涵蓋雷達、無人機、導彈防禦及衛星通訊；高可靠度 RF GaN 的認證與導入門檻，有助維持較長訂單週期。
    3. 3. Qorvo 是 5G RAN 射頻鏈收發元件的市場領導者，並觀察到相同 RF 模組延伸至無人機與低軌衛星直連手機；GaN 的高功率密度可提升基地台與衛星終端效能，擴大應用場景。
    4. 4. 公司持續在美國生產 GaAs、GaN、BAW、SAW 與多晶片模組，並降低資本密集度；在國防客戶重視在地製造與供應安全的情況下，GaN 產能布局可強化競爭差異化，但鎵供應與外部晶圓依賴仍是風險。
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  • 美股 MTSI
    MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.
    受惠高
    1. 1. MACOM 具備 GaN 射頻功率放大器與高頻 MMIC，產品可用於 AESA 雷達、電子戰及衛星通訊；GaN 的高功率密度與效率有助推升國防訂單與高毛利營收。
    2. 2. MACOM 取得 HRL 40nm GaN-on-SiC 製程授權，並透過 Wolfspeed 射頻業務取得北卡羅來納州晶圓廠與逾 1,400 項專利，強化 40GHz 以上雷達、電子戰與 SATCOM 的技術及供應鏈門檻。
    3. 3. 2026 財年第三季 Industrial & Defense 營收達 1.3339 億美元、年增 23.3%；公司預期兩至三個低軌衛星計畫於 2026 年底至 2027 年初量產，將帶動 GaN 射頻產品由設計導入轉為出貨。
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  • 美股 NXPI
    恩智浦
    受惠高
    1. 1. 恩智浦曾以亞利桑那州 ECHO GaN 晶圓廠生產 5G 基地台射頻功率放大器，直接連結 RF GaN 應用；但該產線預計 2027 年前關閉。
    2. 2. 公司退出射頻功率市場主因 5G 基地台部署低於預期、電信商投資報酬率不足，故氮化鎵題材對 NXPI 的未來營收貢獻將逐步下滑。
    3. 3. 恩智浦將重心轉向資料中心控制平面，相關營收預計由 2025 年約 2 億美元增至 2026 年逾 5 億美元；這屬 AI 電源與網路的間接受惠，並非 RF GaN 元件成長。
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  • 日股 6503
    三菱電機
    受惠高
    1. 1. 三菱電機布局高頻元件、雷達、衛星通信與電子戰等領域；RF GaN 的高功率密度與高頻效率可提升雷達及通訊系統性能，國防現代化將擴大相關元件需求。
    2. 2. 公司半導體與元件事業 FY2025 營收達 2,863 億日圓，涵蓋高頻元件與光元件；既有化合物半導體製造及高可靠度能力，有利承接 5G、衛星與航太國防的高階 RF GaN 應用。
    3. 3. 三菱電機已宣布投資擴大 GaN 生產設施，以回應射頻 GaN 需求成長；若擴產順利，可提高自有供應能力並掌握高毛利國防、雷達及衛星訂單，但仍須追蹤產能時程與良率。
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  • 台股 3105
    穩懋
    受惠高
    1. 1. 穩懋已將 GaN 技術延伸至低軌衛星與太空通訊射頻元件，對應衛星、AESA 與國防通訊的高功率需求，可拓展高附加價值代工營收。
    2. 2. 穩懋具化合物半導體量產與從磊晶到測試的整合能力，並持續擴充 GaN 產線；2026 年資本支出新台幣 20～30 億元，為後續 RF GaN 放量預留產能。
    3. 3. 航太營收已占 Infrastructure 超過 30%，且平台逐步由 GaAs 轉向 GaN；高毛利基礎建設業務 2026 年上半年占比已與手機相當，有助改善產品組合與毛利率。
    4. 4. GaN 受惠低軌衛星、基地台與國防升級，但穩懋尚未揭露 GaN 專屬營收或軍工訂單；投資人仍須追蹤 6 吋產線良率、客戶認證及實際出貨轉換。
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  • 韓股 218410
    RFHIC
    受惠中
    1. 1. 2026 年上半年營收達 946 億韓元，GaN 電晶體銷售年增 74.9% 至 320 億韓元，直接受惠基地台與國防射頻元件需求擴張。
    2. 2. RFHIC 的 GaN 功率放大器體積約為矽基 LDMOS 一半，功率效率高 10%、耗電低 20%，有利 5G 基地台及雷達提升功率密度與散熱效率。
    3. 3. 2026 年上半年訂單積壓達 1,995 億韓元，且公司擴充產能；海外國防產品預計自第三季起加速認列，提供射頻 GaN 業務的出貨能見度。
    4. 4. 公司仍依賴進口 GaN-on-SiC 晶圓，若鎵或基板供應受地緣政治干擾，成本與交期可能壓縮毛利；因此受惠程度取決於擴產及供應鏈管理。
    升級產業方案，解鎖查看受惠原因

    彙整國內外數十份產業報告，濃縮 5~7 點受惠關鍵

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SpaceX 市值超車台積電、點火台股低軌衛星概念股；華通、群創領軍飆漲，穩懋、兆赫皆勁揚

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矽晶圓、光學齊飆天價！「矽晶圓三雄」環球晶、台勝科、合晶亮紅燈；大立光攜先進光、聯一光、今國光漲停

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SpaceX 掛牌首日飆漲，台股低軌衛星族群走勢兩樣情；華通、昇達科、兆赫收黑，聯亞、華星光、群創大漲

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